核心观点
AI需求驱动全球半导体行业景气度上行，存储产业链通胀与扩产共振，长鑫科技IPO或推动国内Capex新周期。长鑫科技借科创板IPO拟募295亿元启动大规模扩产，当前其产能规模与海外巨头差距显著，现有产能已接近满产，中长期多基地推进布局，Semianalysis预测公司2028年全球市占率达17%，对标海外大厂产能体量，长鑫后续扩产增量空间大。
关键数据
- 2026Q1三星、SK海力士、美光三大原厂合计掌控全球DRAM产能约89%。
- HBM单位比特所需晶圆产能约为常规DDR5的2.5-3倍。
- TrendForce预测2027年DRAM增至9033亿美元，同比增长44%。
- 美光FY2026预计资本开支超过250亿美元，同比增长超80%。
- 三星FY2026计划总投资（含研发）超过110万亿韩元（约733亿美元）。
- SK海力士FY2026资本开支计划同比继续大幅增加。
- 长鑫2025年年产能约273万片，仅为美光的76%、三星的36%。
- 长鑫2026年底目标月产能35万片（年化约420万片），与美光约38.5万片/月的产能水平较为接近。
- 长鑫存储2026年全球市占率有望升至17%。
研究结论
长鑫科技IPO过会不仅是国产DRAM龙头资本化的关键节点，也意味着国产存储扩产周期进入更清晰的订单兑现阶段。长鑫扩产资本开支或将沿产线建设节奏逐级传导，分为三个阶段：第一阶段启动前道设备招标采购，刻蚀、薄膜沉积等核心设备有望率先受益；第二阶段订单向上游零部件传导，带动腔体、真空、射频等环节需求；第三阶段产线爬坡后，材料耗材需求持续放量。各环节受益顺序与弹性不同，需按产业节奏布局。
投资建议
围绕“存储扩产+国产替代”主线布局。把握长鑫IPO落地后的产能建设节奏，海外原厂集体扩产也验证了行业高景气。建议关注：
- 扩产启动初期较早体现为设备招标与采购，刻蚀、薄膜沉积、CMP、清洗确定性较强的设备相关厂商：北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海、华海清科、芯源微、中科飞测、精测电子、微导纳米、迈为股份、京仪装备等。
- 整机订单向腔体、真空、流体、射频电源、温控等环节传导，供给瓶颈放大弹性的核心零部件相关厂商：富创精密、江丰电子、珂玛科技、恒运昌、新莱应材、正帆科技、先锋精科、中科仪、神工股份、英杰电气等。
- 随产线投片和产能爬坡持续释放，具备后周期、复购型特征的材料耗材相关厂商：雅克科技、鼎龙股份、安集科技、沪硅产业、彤程新材、上海新阳等。
风险提示
- 长鑫IPO及扩产进度不及预期风险。
- 存储价格及需求景气度低于预期风险。
- 国产设备及零部件导入不及预期风险。
- 海外出口管制及供应链扰动风险。
