2026年第二季度前瞻：又一个强劲的二季度和ADR溢价

核心观点与关键数据

半导体设备行业：

• 强劲的内存周期：当前内存周期类似于1990-1995年的超级周期，受AI大模型（Agentic Al）推动，服务器和移动设备需求激增，DRAM和NAND价格持续上涨。
• 2026年二季度盈利大幅提升：受DRAM和NAND ASP（平均售价）上涨（环比+40%、同比+50%）、NAND利润率改善（321层制程升级）及KRW销售额增长（环比+56%、同比+269%）驱动，OP（营业利润率）预计达65%（对比2025年四季度30%）。
• HBM价格上涨推动下半年增长：预计2026年下半年OP将环比增长28%，达到KRW84万亿，主要受HBM价格飙升（市场份额50-60%）支撑。
• 2027年ASP预期：预计2027年ASP同比提升35%，OP达KRW452万亿（增长59%），销售达KRW556万亿（增长59%）。

估值与目标价

• ADR上市溢价：公司于6月24日提交ADR上市计划，分析师给予20%溢价，将P/B倍数从2.8倍上调至3.4倍，目标价从KRW2.9万上调至KRW4万。
• 目标价计算：基于2027/28年预期平均BVPS（每股净资产），目标P/B为3.4倍，对应2027/28年EPS的8倍PE，当前OP较市场预期高3-7%。

风险因素

• 下行风险：美联储加息、内存厂商产能扩张、韩元升值。

全球内存资本开支

• AI需求驱动：AI大模型推理（内存需求）增长，服务器出货量2026/27年预计增长20%/21%，CSP（计算服务提供商）资本开支达USD643亿（同比+71%）。

研究结论

• 维持“买入”评级：看好SK海力士在全球内存领域的领先地位，建议投资者关注其ADR上市带来的估值提升机会。
• 目标价与推荐：KRW4万目标价，较当前价格有显著上行空间，维持“买入”评级。