核心观点：AI电源器件已从"周期底部"迈入"结构性景气上行"。800V高压架构+单卡3kW/机柜1MW功率跃升，驱动功率器件（SiC/GaN）、模拟芯片（Drmos）、被动元件（MLCC/钽电容/电感等）三大品类量价齐升，单瓦价格有望翻倍以上，TAM有望实现4~5倍的增长。
功率模拟器件：
- SiC/GaN用量非线性增长，高压化重塑价值分布，功率密度提升Drmos同步扩容
- 传统架构功率器件仅0.62元/W，800V架构下全链路合计有望达到1.2-1.55元/W，翻倍以上
- 核心变化源自于高压化推动SiC从0到1（SST/PSU），高频化推动GaN渗透率提升（IBC/VRM）
- 模拟控制和驱动器件扩容加速，单台AI服务器DrMOS用量从数十颗增至数百颗，单机价值量从数百美元升至数千美元
- 未来垂直供电（VPD）趋势下，DrMOS向PCB背面/芯片正下方集成，Z轴供电方案（MPS等）对DrMOS性能要求更高，800V下耐压等级、开关频率、精度要求全面升级，价值通胀确定
被动元件：
- MLCC/钽电容/电感/薄膜电容/超容全面受益
- 涨价潮已至：2025年下半年至2026年初，全球被动元器件进入全品类、多轮次涨价周期，涨幅5%-30%，高端品类更高
- 村田高端MLCC交期拉长至22-24周，库存降至五年低位
- MLCC单机翻倍以上增长，高端100V以上高压高容缺口扩大
- 钽电容是VRM低ESR储能核心；电感用量增大，TLVR耦合电感替代传统分立电感+新增补偿电感Lc
- 薄膜电容SST/800V DC-Link从零到一；超级电容BBU未来标配化，单机柜被动元件合计超2.5万美元
技术变革：
- 800V+垂直供电+TLVR三重驱动
- 800V避免54V/18.5kA超大电流母线
- VPD从平面→背面垂直（PDN 10-15μΩ）→基板集成（7-10μΩ）
- TLVR双绕组磁耦合+超薄封装
建议关注：
功率模拟器件：华峰测控、圣邦股份、华虹、中芯国际、思瑞浦、纳芯微、杰华特、芯朋微、新洁能、扬杰科技、士兰微等
被动元件：顺络电子、三环集团、博迁新材、国瓷材料、硅电容等
PCB：中富电路深度拆解详情可联系天风电子及对口销售
