半导体材料：景气上行叠加工艺通胀，国产替代开启成长新篇

证券研究报告 行业专题报告/2026.04.13 投资评级:看好(维持) 核心观点 ❖AI算力、数据中心和智能终端持续放量，正在推动全球半导体景气进入上行阶段，并直接带动晶圆厂资本开支水平与稼动率维持高位。在这一背景下，半导体材料因具备消耗和复购属性而成为产能落地后的终局受益品种。更进一步，在先进逻辑、HBM、3D NAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类并非简单跟随晶圆片数增长，而是呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，因此在行业景气上行阶段，部分产业链环节呈现更强的增长弹性和业绩落地确定性。除此之外，当前在晶圆厂扩产、叠加供应链安全重估及对日替代预期强化背景下，下游fab对本土材料导入意愿明显增强，部分材料的验证节奏和国产化率正加快抬升，半导体材料板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。 分析师唐佳SAC证书编号：S0160525110002tangjia@ctsec.com ❖半导体材料关键品类正呈现出先进工艺需求“通胀”属性，高度受益于此轮景气上行。首先，CMP抛光材料在逻辑芯片从250nm缩至7nm时，抛光步骤增至30次，抛光液种类从5种增至20余种；存储芯片从2D NAND到3D NAND，CMP步骤近乎翻倍。靶材同样是典型“通胀型”耗材，3D NAND从128层升至232层以上时单片晶圆消耗量增加超40%，HBM单颗芯片铜靶用量达传统芯片3倍以上。光刻胶方面，7nm及以下多重曝光使单位晶圆消耗量显著增。刻蚀液方面，从65nm到7nm刻蚀步骤激增超300%。清洗液方面，从80-60nm到20-10nm清洗步骤从100步增至200步以上。因此，先进逻辑的落地、3D NAND的迭代、HBM与先进封装并非只带来材料用量提升，特别是在CMP、靶材、光刻胶、刻蚀液、清洗液等环节形成规格升级和价格抬升的复合通胀，相关材料将展现出强于行业平均的增长弹性。 分析师詹小瑁SAC证书编号：S0160525120008zhanxm@ctsec.com 相关报告 1.《LPU专题报告一：架构创新突破大模型推理延迟瓶颈，广阔市场空间有望快速放量》2026-03-162.《光刻胶加速突围，高端国产化迎关键窗口》2026-03-123.《国产模型调用量激增，昇腾适配部署加速》2026-03-04 ❖半导体材料国产替代正在从长期逻辑走向加速兑现。目前，我国半导体材料整体国产化率仅为15%，高端领域仍高度依赖进口。其中，光刻胶的国产化落地最为迫切，日本JSR、TOK等五家企业垄断全球约95%份额，我国当前KrF光刻胶国产化率仅约3%，ArF不足1%，EUV几乎为零，若高端光刻胶纳入出口管制，供应链中断风险将急剧放大，国内光刻胶产业链迎来明确的替代窗口。湿电子化学品方向，高端刻蚀液市场仍高度集中于海外厂商，叠加上游含氟电子特气供给受限和出口管控趋严，国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望迎来导入提速。CMP材料和靶材方面，政策支持、下游扩产和供应链安全重估，正在提高fab对本土材料的导入意愿。近期，中国对钨实施出口管制后，全球六氟化钨供应链趋紧，日本钨靶龙头的出货能力受限，进一步为国内高纯靶材企业打开份额提升窗口。 投资建议：建议关注卡位需求通胀以及对日替代关键逻辑的重要半导体材料公司，如鼎龙股份、江丰电子、上海新阳、安集科技等。 ❖风险提示：技术与良率/爬坡风险，需求不及预期风险，地缘与贸易摩擦。 内容目录 1半导体材料：景气上行、工艺通胀与国产替代共振........................................................31.1CMP材料：制程微缩、存储堆叠与先进封装驱动需求升级.........................................31.2靶材：“通胀型”耗材，制程升级与制程结构复杂化共同推动其量价齐升....................41.3光刻胶：先进制程驱动用量持续攀升，自主替代迫在眉睫...........................................41.4刻蚀液：湿法刻蚀的核心耗材，先进工艺推动量价齐升..............................................42风险提示..............................................................................................................5 1半导体材料：景气上行、工艺通胀与国产替代共振 AI算力、数据中心和智能终端的持续放量，推动全球半导体景气上行，全球晶圆厂资本开支持续增长。台积电2025年资本开支已达到409亿美元，2026年进一步上修至520-560亿美元，并同步加速3nm、2nm与CoWoS扩产；中芯国际2025年资本开支81亿美元，2026年预计维持高位并新增约4万片/月12英寸产能，且公司2025年平均产能利用率达到93.5%，四季度达到95.7%，其中8英寸超满载、12英寸接近满载；存储端，长鑫与长江存储均启动新一轮大扩产，长鑫上海新厂预计2026年下半年设备进场、2027年投产，长江存储武汉三期原定2027年量产、当前有望提前至2026年下半年启动。目前，下游晶圆厂高稼动率运行，半导体材料因具备消耗和复购属性而成为产能落地后的终局受益品种。更进一步，在先进逻辑、HBM、3D NAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类并非简单跟随晶圆片数增长，而是呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，因此在行业景气上行阶段，部分产业链环节呈现更强的增长弹性和业绩落地确定性。除此之外，当前在晶圆厂扩产、叠加供应链安全重估及对日替代预期强化背景下，下游fab对本土材料导入意愿明显增强，部分材料的验证节奏和国产化率正加快抬升，半导体材料板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。 1.1CMP材料：制程微缩、存储堆叠与先进封装驱动需求升级 CMP是实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，其中抛光垫与抛光液作为CMP工艺的核心耗材，在先进制程和存储中的地位日益凸显。根据SEMI统计，CMP抛光材料约占晶圆制造总成本的7%，其中CMP抛光液、抛光垫分别占CMP抛光材料成本的49%、33%。目前随着工艺进步，单片晶圆所需CMP步骤数、抛光液种类、材料规格都在显著上升。例如逻辑芯片制程从250nm缩小到7nm时，抛光步骤从8次提升至30次，使用的抛光液种类也从5种提升至20余种，带来了抛光材料量价的显著提升。储芯片方面，从2D NAND到3DNAND，CMP步骤近乎翻倍；而3D NAND向200层、300层堆叠演进的过程中，每增加一层堆叠，CMP工艺步骤和抛光液消耗量均同步增长，形成典型的技术“通胀”效应。与此同时，在后道环节，随着2.5D/3D封装、硅通孔和混合键合的加速普及，CMP已从前道晶圆制造延伸至后道互连、晶圆背减与背面金属露出等关键工艺，当前国内先进封装产业正处在“技术突破”与“份额提升”的战略共振点，国内龙头长电科技近期披露了2026年近百亿的资本开支计划，同比大幅增长58.5％，或将显著带动产业链机遇。 1.2靶材：“通胀型”耗材，制程升级与制程结构复杂化共同推动其量价齐升 3D NAND从128层提升至232层以上时，单片晶圆的靶材消耗量增加超40%；先进逻辑制程向5nm及以下微缩，以及HBM与Chiplet架构普及，同样驱使半导体靶材量价齐升。分金属看：铜靶和钽靶在先进逻辑芯片的多层互联与栅极结构中用量快速提升，其中HBM单颗芯片铜靶用量可达传统芯片的3倍以上；而钨靶超90%需求集中于存储芯片，主要用于3D NAND的高深宽比通道及字线、位线填充，当前全球存储大厂扩产迅猛，成为钨靶最核心的增长来源。近期，中国对钨实施出口管制导致全球六氟化钨（WF₆）供应链趋紧，六氟化钨是钨靶制备及钨薄膜沉积的关键原料，而全球钨靶龙头日矿金属高度依赖该原料供给，直接造成日本钨靶出货受限、全球供应链紧张。这一局势为国内具备高纯靶材量产能力的企业带来明确机遇，本土靶材有望在全球市场上迅速提高市场份额。 1.3光刻胶：先进制程驱动用量持续攀升，自主替代迫在眉睫 光刻胶是决定线宽控制与芯片良率的核心材料，先进制程中光刻工艺成本占比高达30%-40%，光刻胶及配套试剂在晶圆制造材料成本中占12%-15%。随着制程向7nm及以下微缩、EUV光刻普及以及HBM、Chiplet等先进封装需求爆发，光刻胶在分辨率、灵敏度、耐蚀刻性等方面要求持续升级，多重曝光等复杂工艺使得单位晶圆光刻胶消耗量较成熟制程显著增加，ArF、EUV等高阶产品用量快速提升。据QY Research调研显示，全球光刻胶市场规模预计从2025年约67亿美元增至2032年近99亿美元，呈现高阶产品用量与价值量齐升态势。供给端，日本JSR、TOK等五家企业垄断全球95%份额，尤其在EUV光刻胶领域形成寡头格局。目前，我国g/i线国产化率仅20%-25%，KrF约3%，ArF不足1%，EUV几乎为0。在此背景下，因目前光刻胶仍高度依赖日本，若高端光刻胶纳入出口管制，供应链中断风险将急剧放大，因此其自主可控紧迫性显著提升，国内光刻胶产业链迎来明确的替代窗口。 1.4刻蚀液：湿法刻蚀的核心耗材，先进工艺推动量价齐升 刻蚀液是晶圆湿法刻蚀环节的核心功能性耗材，用于精准去除多余材料以形成精密沟槽与孔洞结构，对芯片电路成型及器件可靠性起关键支撑作用。据SEMI数据，从65nm制程演进至7nm制程，刻蚀步骤激增超300%；存储芯片方面，从32层提升至128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48%；从FinFET 向GAAFET架构升级，涉及刻蚀工艺的步骤从5道增至9道。工艺窗口持续收窄，对刻蚀液的纯度、选择比与均匀性要求不断提升，进而推动单位芯片耗材用量与产品价值同步上行，形成清晰的制程迭代通胀效应。当前，全球高端刻蚀液市场高度集中于海外厂商，国内先进制程领域自给能力薄弱；叠加上游含氟电子特气等关键原料供给受限、海外出口管控趋严，行业供需格局持续偏紧。国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业，有望充分受益于自主可控提速与行业量价上行红利。 2风险提示 技术与良率/爬坡风险：高端半导体材料的研发涉及配方、纯度、工艺控制等多重技术壁垒，国内企业产品在先进制程中的良率稳定性及批量供应能力仍需验证，若爬坡进度不及预期，可能影响国产替代的规模化落地。 需求不及预期风险：半导体行业景气度受宏观经济、终端消费及AI应用落地节奏影响，若下游晶圆厂扩产计划推迟或产能利用率下滑，材料需求的增长幅度可能低于预期，进而拖累相关企业业绩释放 地缘与贸易摩擦：全球地缘政治博弈加剧，海外对半导体材料、设备及关键原料的出口管制持续加码，若贸易摩擦进一步升级，可能干扰国内企业的供应链安全与海外市场拓展，增加经营不确定性。 信息披露 ⚫分析师承诺 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，并注册为证券分析师，具备专业胜任能力，保证报告所采用的数据均来自合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解。本报告清晰地反映了作者的研究观点，力求独立、客观和公正，结论不受任何第三方的授意或影响，作者也不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收到任何形式的补偿。 ⚫资质声明 财通证券股份有限公司具备中国证券监督管理委员会许可的证券投资咨询业务资格。 ⚫公司评级 以报告发布日后6个月内，证券相对于市场基准指数的涨跌幅为标准：买入：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅大于10%；增持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在5%～10%之间；中性：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在-5%～5%之间；减持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅小于-5%； 无评级：由于我们无法获取必要的资料，或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件，