存储行业专题报告：需求爆发、供给刚性，存储超级成长周期

需求爆发&供给刚性，存储超级成长周期 西南证券研究院电子研究团队2026年3月 核心观点 需求爆发&供给刚性，价格持续上涨，存储迎来超级周期。1）AI大模型技术超预期迭代升级，全球Token消耗量爆发式增长，由此带来海量的数据存储、处理和检索需求，存储行业迎来超级景气周期。2）海外三大原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对消费级和低端存储芯片产能造成严重挤压，供需缺口扩大。3）存储原厂在上轮周期产能和资本开支过度后，本轮周期扩产动作均较为谨慎；且高端HBM存储芯片存在洁净室建设周期长，良率爬坡困难等问题，短期供给持续偏紧。在需求爆发&供给刚性的背景下，据CFM闪存市场预计，2026年存储价格整体仍将延续上涨。 需求端：本轮超级周期的根本原因在于，AI大模型技术超预期迭代升级，带来海量的数据存储、处理和检索需求。1）得益于生成式AI的快速迭代，AIagent、多模态应用与原生视频技术等新应用爆发式增长，由此带来海量数据的存储、处理和检索需求，直接推高了对HBM、DRAM、NAND等存储介质的需求，开启一轮存储超级需求周期。2）根据OpenRouter，2026年2月同期全球主要大模型消耗的token是25年同期的10倍及以上，彰显出极其旺盛的算力及存储需求。3）预计2026年八大CSP厂商，资本开支将增长25%至约5000亿美元，延续高强度算力基建投入。 供给端：产能挤压&扩产谨慎，短期供给刚性。1）存储原厂多为IDM模式，资本开支巨大，存储厂在上轮周期产能和资本开支过度后，对本轮周期扩产指引均较为谨慎。2）原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对低端存储芯片产能造成严重挤压。3）高端HBM技术壁垒高&良率低，且当前洁净室建设周期长，建设周期（8–12个月）远跟不上AI/HBM需求爆发。4）目前三大原厂库存水平仅为3-5周，处在历史极低水平，供给极其紧张。 乘AI之势，国产存储产业链全面崛起：在全球存储行业高歌猛进的大背景下，国内存储企业依托工程师红利，完善的基建设施，齐全的产业链配套等优势，正以惊人速度崛起。以长江存储、长鑫存储、兆易创新、江波龙等为代表的本土企业依托自主架构创新与工艺迭代，产能持续扩张、良率稳步提升，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破，推动中国存储从规模增长转向技术引领。 风险提示： AI发展不及预期风险：当前AI拉动存储需求持续提升，若大模型技术进展不及预期，不排除AICapex下修的风险，从而影响需求。存储价格下行风险：由于存储价格暴涨，流通渠道存在部分炒作囤货现象，若投机炒作过度影响下游需求，存在价格下跌的风险。研发进展不及预期风险：存储企业需要持续进行产品升级和创新，若战略选择失误，或造成研发失败风险。 目录 01020304需求端：AI需求爆发，超级成长周期DRAM：高端需求爆发，供给结构变化NAND：AI需求驱动，产能扩张谨慎供给端：扩产指引谨慎，原厂库存极低 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 存储定义及分类：存储产品是指为数据存储及临时或永久访问而设计的硬件组件，根据核心晶圆类型、性能特征及应用场景的不同，存储产品可以系统地分为嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存模组、LPDDR及可移动存储等多种形态。 存储产业链：可分为三大环节，包括上游晶圆及主控芯片设计与制造、中游存储产品的开发与制造，以及下游终端应用。 •上游：主要包括晶圆制造和主控芯片的设计和制造，为行业提供基础资源； •中游：主要包括存储产品的开发及制造，包括存储设计、封装及测试； •下游：下游应用领域呈现高度多元化，涵盖AI端侧、消费电子、智能驾驶及工业能源等领域。 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 AI需求方兴未艾：伴随着生成式AI技术的持续迭代，AI训练和推理需求迎来爆发式增长；此外，AI的影响力正以前所未有的深度和广度向下游板块渗透，厂商和云端设施均在积极向AI端侧转型。AI服务器及其应用成为存储需求的核心引擎，正革命性地重塑存储市场的需求格局。 存储下游需求变化：根据佰维存储香港招股书及弗若斯特沙利文，2025年至2029年全球存储产品市场规模总量呈上升趋势。按照下游应用类型进行分类，预计2025-2029年AI端侧对应的存储市场规模的CAGR增速为36.4%，AI服务器对应的存储市场规模的年化增速为14.1%；此外，由于价格上涨及供应短缺，传统消费电子存储市场规模预计会下滑，占比将会下降。 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 新增需求驱动：存储行业存在由需求驱动的长周期（通常为8-10年），包含从新需求出现到全面普及，渗透率持续提升的过程；之前的PC时代，智能手机时代，再到当前的AI时代，均在演绎该过程。下游产品和技术创新带来新增需求，需求上行时存储厂商通常会增大资本开支，扩大产能以增加销售；若下游需求不及预期，存储厂商通过降价去库存，并选择主动缩减产能，使得市场供给得以收缩，如此循环往复。 资本开支和技术升级决定供给：存储芯片技术升级与投资周期紧密相连，存储原厂扩产需要高额资本开支，技术壁垒极高，因此厂商通常选择规模化生产以此更好地实现盈利。 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 Token高爆发：本轮超级周期的根本原因在于，AI大模型技术超预期迭代升级，带来海量的数据存储、处理和检索需求。得益于生成式AI的快速迭代，数据量和token呈现指数级增长，存储产品作为数据中心的核心载体，海量数据的存储、处理和检索需求，直接推高了对HBM、DRAM、NAND等存储介质的需求，开启了新一轮存储超级需求周期。根据OpenRouter，2026年2月同期全球主要大模型消耗的token是25年同期的10倍及以上，彰显出极其旺盛的算力及存储需求。 技术创新带来数据量持续高增长：根据希捷投资者日材料，AI时代数据生成量呈现指数级增长趋势，2028年产生的数据量将达到达到394ZB，较2020年的72ZB数据生成量呈现数倍增长。 AI时代数据量爆发式增长 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 生成式AI持续迭代：在AIagent、多模态应用与原生视频技术的浪潮下，全球数据正以指数级速度爆发式增长，直接引爆数据中心的存储需求；单条多模态任务的数据量从KB级跃升至GB/TB级别，长上下文推理和实时视频流处理，对于存储带宽和容量均提出极致要求。 多模态爆发：从Sora2，Seedance2.0等视频生成模型爆发，视频生成实现“GPT-1时刻”向“GPT-3.5时刻”的巨大飞跃；字节Seedance2.0采用统一的多模态音视频联合生成架构，支持文字、图片、音频、视频四种模态输入，集成了多模态内容参考和编辑能力。Seedance2.0的10分钟单条长视频文件体积轻松达到10GB+，生产10秒视频消耗的Token是文本生成的数十倍。 多模态应用对存储需求持续增长 数据中心对存储的强劲需求 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 多模态以及长上下文应用将带来KVCache增加；英伟达最新Rubin架构，强化存储用量和重要性。 KV Cache：存储占用与上下文长度L成正比，而推理过程中每增加一层Transformer层，缓存的复用次数和带宽需求都会显著提升，导致DRAM/HBM的容量和带宽需求呈超线性增长。例如，当上下文从4K扩展到128k，KVCache的占用会直接扩大32倍； BlueField-4 DPU：英伟达在Rubin中创新推出了BlueField-4AI原生存储平台，该平台将新增一层AI原生上下文存储，专门承接KVCache溢出与共享，存储架构从本地堆叠变成分布式全局池化；最新架构将新增专用NAND存储层，直接导致NAND需求从“TB”跃升至“PB级”，单机柜容量暴涨5倍+，并成为与GPU算力强绑定、线性增长的刚性需求。让存储从AI的配套设施变成“核心基础设施”，存储需求从容量驱动转向“性能+架构+能效”三位一体驱动。 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 Token加速增长：25Q2以来，无论是海外巨头谷歌，还是国内巨头字节，其日均处理的Token数量（万亿）增长斜率迎来显著加速，映射出全球AI应用正从“文本对话”向“多模态交互”演进的趋势；Token处理的指数级增长，直接驱动了对算力和存储的需求； CSP算力军备竞赛：随着AI需求快速扩张，全球互联网巨头正扩大采购英伟达GPU整柜式解决方案、扩建数据中心等基础建设，2025年谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文和腾讯、阿里巴巴、特斯拉的CSP合计资本支出合计约4000亿美元，预计2026年资本支出将增长25%至约5000亿美元。 需求端：AI需求爆发，超级成长周期 供需关系极其紧张：25Q2以来，伴随Token的爆发式增长，全球互联网巨头加大资本开支，存储需求迎来显著加速；据CFM闪存市场报价，截止至25年12月初，25Q4DRAM/NANDFlash综合价格指数同比均实现翻倍以上增长。 26年价格持续看涨：2025年四季度，全球大型云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，翻倍式增长的eSSD和DDR5采购量超过原厂现有的供应能力，叠加原厂将有限的产能向利润更高的高端企业级存储倾斜，非服务器市场面临严重的存储供应紧缺和价格飙升。CFM闪存市场预计，26Q1环比25Q4仍然会有大幅涨价，涨幅20%-45%不等，26Q2-Q4或仍将延续涨价节奏，26年全年存储价格易涨难跌。 DRAM：高端需求爆发，供给结构变化 AI需求爆发是根本原因：从23Q1开始，得益于AI算力爆发带来的需求持续上升，DRAM和NAND市场规模均呈现出逐步复苏比并加速增长的态势；随着推理爆发，多模态和长上下爆发式增长，AI服务器对HBM和DDR5等高端DRAM需求爆发式增长。1、22Q1-23Q1：彼时需求端表现低迷，原厂主动减产，并缩减低端DDR3和DDR4产线，DRAM市场处在调整期；2、24Q2-25Q1：AI算力的爆发，HBM出货量大幅增加，终端和渠道进入主动补库存，行业进入结构性景气期，HBM价格开始上涨；3、25Q2至今：由于多模态和视频生成的爆发，算力和存储需求迎来爆发，HBM和DDR5供不应求越发突出；全行业进入抢货布局，包括DDR4和DDR3都迎来暴涨，DRAM全系产品价格飙升，市场规模大幅扩大。 DRAM：高端需求爆发，供给结构变化 存储原厂整体呈现高度集中的“三巨头格局”，这是由存储原厂技术壁垒极高，资本投入巨大，生态深度绑定，规模效应显著等多重壁垒共同作用的结果。 DRAM市场：三星、SK海力士、美光三强垄断格局，合计市占率超91%；截至25Q3三星/SK海力士/美光/南亚科技/华邦电子的DRAM市场份额分别为34.8%/34.4%/22.4%/1.6%/0.6%。 厂家策略：根据25Q3三星，海力士，美光业绩交流会，三大原厂的核心策略都是聚焦高端产能，积极扩产HBM和先进DRAM产能，对于低端的DDR4和DDR3产能扩张持谨慎态度。 DRAM：高端需求爆发，供给结构变化 高端需求爆发，长期供不应求，中低端和消费级供给被压缩，供给减少价格补涨。 高端HBM和DDR5得益于需求爆发：从23Q1开始，得益于多模态和视频生成等爆发式增长，AI服务器对HBM和DDR5等高端DRAM需求爆发式增长；叠加英伟达等巨头提前锁单，DDR5和HBM需求持续旺盛，价格一路飞涨。 DDR4和DDR3涨价系产能迁移与供需错配：在历史难遇的涨价周期面前，原厂将大量先进产能转向HBM和DDR5，直接挤压了DDR4和DDR3的产能空间；与此同时，原厂对部分消费级和低端芯片减产的消息引发了下游ODM/OEM、模组厂和经销商的恐慌性囤货，造成价格暴涨。中期来看，由于DDR4/DDR3利润微薄，大厂不愿意进行资本开支，短期产能缺口明显。 DRAM：高端需求爆发，供给结构变化 全面发力HBM4：当前三星、SK海力士、美光正以HBM4为核心，