SK海力士将在韩国永仁新建的工厂于明年3月启用首个洁净室,比原计划提前两个月,显示其计划加快DRAM产能扩张。此举旨在应对高带宽存储(HBM)芯片的旺盛需求,该芯片由DRAM制成,用于AI芯片。
SK海力士计划在永仁建设共四座晶圆厂,规模将大于M15X工厂。设备进场预计于第二季度开始,可能在4月,此前将由TEMC CNS和STI进行公用设施安装。TEMC CNS已与SK海力士签署价值484亿韩元的合同,以交钥匙方式供应中央化学品供应系统。
此外,第二至第三阶段的进度也已加快。原计划第一阶段于2027年投产,第二和第三阶段分别于2028年和2029年投产,现计划第二阶段也于2027年投产,第三阶段于2028年投产。