SK海力士正加速建设龙仁“Y1”工厂,并已开始向主要供应商下达先进DRAM制造设备订单。初始投资将用于每月约2万片晶圆的生产能力,目标产品为第六代10纳米级1cDRAM及第七代HBM4E。工厂原计划明年5月启用第一阶段,现提前至2月,设备供应商亦加快准备以配合安装进度。行业官员指出,SK海力士提前从第三季度初开始设备销售价格谈判,以尽快引入设备。此外,公司正加速开发龙仁半导体集群,将第四工厂完工时间从2045年提前至2033年,并预计今年下半年开始建设Y1第二和第三阶段洁净室,整体建设时间表极为紧张。