长鑫科技集团股份有限公司招股说明书(申报稿)

长鑫科技集团股份有限公司，我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，本次申报首次公开发行股票并在科创板上市。公司专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，采用“跳代研发”策略，已完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代升级。公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平，并形成了DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。

公司报告期内处于产能快速建设及爬坡的发展阶段，持续加大研发投入，但尚未盈利且存在累计未弥补亏损。主要原因是DRAM行业具有规模导向属性，公司需要持续提升产能规模和研发投入，导致固定资产折旧和研发支出等费用较高。此外，DRAM行业周期性波动导致产品价格波动，也对公司经营业绩造成冲击。

公司未来几年内持续扩产及投入研发带来的折旧及摊销、研发支出等在短期内仍将给公司利润带来压力，但如果未来公司产品研发及市场化不及预期、规模效应释放不及预期等情况，将可能导致公司持续处于未盈利且存在未弥补亏损的状态，甚至导致公司亏损进一步扩大。

本次发行的募集资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，旨在提升公司技术研发实力和加快产能建设与升级。公司预计2026年或2027年可实现盈利。