士兰微机构调研纪要

士兰微电子是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业之一，技术水平、营业规模、盈利能力等指标在国内同行中均名列前茅。公司总部位于中国杭州，成立于1997年，2003年在上海证券交易所上市，是首家中国境内上市的集成电路芯片设计企业。

投资者关系活动主要内容总结：

1. 汽车功率控制模块合作： 公司与国内外众多汽车厂商有合作，包括国内外的知名企业。
2. 12英寸生产线项目： 《士兰12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目》分两期建设，第一期总投资100亿元，公司出资金额为15.1亿元。
3. AI服务器电源领域： 公司重点发展模拟电路和MEMS传感器，在AI服务器电源领域已成功开发出多款电源套片，包括16相和12相VRM多相电源控制器、90A/70A Dr.MOS、12V 60A efuse、12A/20A PoL电源等，部分产品性能达到国际领先水平，Dr.MOS和PoL已实现量产，efuse即将试产，VRM多相电源控制器预计2026年量产。
4. 股价表现与未来发展： 公司认为当前效益不佳主要受新能源汽车行业价格战影响，以及在新技术与产品领域的投入。公司在国内多个产品领域市场份额领先，如大型白电、汽车功率模块、汽车级MOSFET单管、MEMS惯性传感器等。公司推出AI算力电源上的四颗关键模拟芯片，在国内领先，未来将丰富汽车级模拟电路产品线，并推进MEMS产品领域的多品类进展。
5. SiC芯片市场： 公司认为SiC芯片市场需求增加，但产能扩张和竞争加剧可能导致价格下行，公司通过技术平台升级和产品创新努力实现销售规模持续增长和企业盈利的平衡。
6. 大基金一期股份安排： 公司未公告大基金一期股份转让情况，但表示根据交易规则尚未达到需单独披露的要求。
7. 美国市场： 公司产品直接销往美国市场的占比很小。
8. 海外生产基地： 公司现阶段暂不考虑在马来西亚或泰国建生产基地，但已在进行海外量产功率模块的外形优选工作。
9. 行业库存和价格走势： 公司认为目前功率半导体行业存在产能扩张导致的价格承压，公司通过技术平台升级和产品创新努力实现销售规模持续增长和企业盈利的平衡。
10. AI应用： 公司在机制化推进AI在公司各领域的应用，但目前对公司期间费用的影响还较少。
11. IGBT技术： 公司车规级750V和1200V的IGBT水平与国际大厂持平甚至略领先。
12. SiC衬底供应商： 公司认为8英寸SiC衬底单位面积成本略高于6英寸，预计2026年下半年会降下来，12英寸SiC目前还较远，但公司厦门基地已考虑升级。
13. IGBT认证与订单： 公司未透露与具体公司的合作细节，但表示8英寸碳化硅线跑片顺利，已跑出合格芯片，计划明年年初安排通线仪式，6英寸SiC产线负荷已大幅度上升。
14. 士兰集科控股： 根据与厦门半导体的投资协议，士兰集科实现盈利满一年或投产满7年，公司可以通过向厦门半导体回购部分股权实现对士兰集科的控股。
15. 市值管理： 公司认为营收持续保持较快增长，但盈利增加不多主要受研发投入、产能建设等因素影响，利润率持续提升需要持续努力。公司未进行市值管理，但表示未来将通过持续努力实现盈利反转。
16. OCS MEMS器件： 公司表示暂时没有开发微镜阵列的计划。