美国BIS新规全面解读：设备上清单、HBM全面制裁，持续强Call国产替代

证券研究报告|行业点评报告 2024年12月09日 美国BIS新规全面解读：设备上清单&HBM全面制裁，持续强Call国产替代 半导体行业评级:推荐 事件概述: 12月2日，美国BIS正式发布管制文件，范围包括半导体制造设备、HBM、AI等，同时进一步扩大实体清单，实现对华科技战全面围堵。经过我们梳理，三大核心措施如下： 1）实体清单：本次共新增140家中国企业，半导体设备公司首次集体进入入实体清单，包括北方华创、拓荆科技、中科飞测、精测电子、芯源微、新凯莱、凯世通等，基本涵盖各环节大多数本土设备商；晶圆厂重点是昇维旭、青岛芯恩、鹏新旭以及武汉新芯等，长鑫存储未进入名单，因此DRAM扩产不受影响；EDA软件包括华大九天、国微；材料包括南大光电、沪硅等。 2）HBM芯片：重大变化是DRAM以存储单元面积<0.0019μm²或存储密度>0.288Gb/mm²界定先进制程，①销售方面，所有HBM纳入管控，力度超市场预期，且韩国三星、海力士并未获得豁免，国产HBM需求进一步增加；②制造方面，包括TSV刻蚀设备、后道堆叠、减薄等，重点突出围绕先进封装设备。 3）先进制造设备和软件：进一步细化和限制出口先进制程设备种类，中国大陆获取美国先进制程设备难度升级。包含光刻、刻蚀、离子注入、量测、单晶圆清洗等，具体看：管制叠层精度小于1.5纳米压印光刻设备、 加强对低能量、高精度以及3D掺杂应用离子注⼊设备管控；刻蚀设备重点管制30:1深宽比的介电材料的设备，同时硅通孔（TSV）受到限制，清洗设备管控涉及超级临界二氧化碳清洗和升华干燥清洗设备。 ►国产设备商上清单，美系垄断且国产化率低的零部件环节最为受益 实体清单主体将难以获得EAR许可，美国受控的硬件/软件/技术服务出口将受到严格审查，极大限制前述厂商获取美系零部件及材料。因此美系垄断且国产化率的零部件环节最为受益，相关零部件市场空间广阔：1）射频电源：刻蚀&薄膜机核心零部件，根据中科英智统计，2022年美国MKS和AE合计市占率87%，当前国产化率不足10%，25年国内市场规模预计约70亿元；2）泵阀：气体系统和真空系统主要零部件，根据QYResearch数据，美国派克市占率排名第二约1%。美系企业尤其在气体阀门具有较强优势，根据我们测算，25年国内市场规模400亿元。3）真空泵：几乎所有主设备都需要配备多台，且前中后道环节均有真空需求，根据华经产业院数据，2019年Edwards市占率约50%，根据华经数据我们预计当前国产化率不足10%，25年市场规模120亿元（Edwards为瑞典Atlas子公司，但与美政府合作紧密，美商务部计划提供1800万资助建厂）。 ►本土主要晶圆厂受限（注脚5+RedFlags），国产设备加速导入 除三大核心措施外，本次新规还新增FDP注脚5规则和8项红旗警示（RedFlag），1）FDP注脚5规则：任何含美技术产品（无论含量高低）出口至中国企业都需要美国商务部审批，此次共有14家实体适用于注脚5，本土主要晶圆厂包括中芯国际（集团）、中芯南方、中芯北方、鹏芯旭、鹏芯旭、武汉新芯、福建晋华等均在内，同时中微公司、华虹半导体和华润微移出VEU清单。2）8项红旗警示（RedFlag）：主要针对产品最终去向和用途进行严格审查，具体包括限制成熟制裁Fab厂购买先进节点IC生产设备、下游客户和使用者不确定、出口商的许可证不确定应暂定交易、新客户管理层与实体清单存在重叠等。“注脚5+RedFlags”全面围堵国内主要晶圆厂进口先进设备，通过“白手套”获取美系管制设备难度加大。全面围堵下，进一步驱动本土晶圆厂全面转向国产设备，设备国产化率有望大幅提升。 ►HBM全面制裁落地，看好HBM及先进封装设备公司 梳理本次制裁新规，除逻辑、NAND先进节点界定不变外，对HMB有明显的限制，将管制内存带宽密度mm²/s 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 2GB的HBM，目前生产的所有HBM堆栈都超过了这一阈值，意味着对HMB进行全面管制，包括TSV刻蚀设备、后道堆叠、减薄等先进封装设备也受到管制。我们认为随着美对华HBM全面限制升级，势必会提升中国大陆后续相关扩产力度以满足AI等相关发展；在制造设备端，不少先进封装设备多以日韩欧企业为主，相对影响较小，且此类设备突破难度弱于先进逻辑前道设备，同时DRAM大厂长鑫存储未进入名单，对于大陆HBM相关扩产边际利好，看好HBM及先进封装设备公司。 投资建议: 美股制裁落地，利好美系设备及零部件垄断环节，①设备：重点推荐中科飞测、拓荆科技、精测电子、北方华创、中微公司、华海清科、万业企业、芯源微、京仪装备、长川科技，其他受益标的金海通、百傲化学等；②零部件：射频电源环节受益标的英杰电气；阀门等气体系统环节重点推荐新莱应材、正帆科技；真空泵环节受益标的汉钟精机；其他环节受益标的珂玛科技、富创精密、江丰电子、美埃科技等。 风险提示 后续制裁力度超预期、行业扩产不及预期、国内相关企业技术发展不及预期等。 分析师：黄瑞连 邮箱：huangrl@hx168.com.cnSACNO：S1120524030001 联系电话： 分析师承诺 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，保证报告所采用的数据均来自合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解，通过合理判断并得出结论，力求客观、公正，结论不受任何第三方的授意、影响，特此声明。 评级说明 公司评级标准投资说明评级 以报告发布日后的6个月内公司股价相对上证指数的涨跌幅为基准。 行业评级标准 以报告发布日后的6个月内行业指数的涨跌幅为基准。 买入分析师预测在此期间股价相对强于上证指数达到或超过15% 增持分析师预测在此期间股价相对强于上证指数在5%—15%之间 中性分析师预测在此期间股价相对上证指数在-5%—5%之间 减持分析师预测在此期间股价相对弱于上证指数5%—15%之间卖出分析师预测在此期间股价相对弱于上证指数达到或超过15% 推荐分析师预测在此期间行业指数相对强于上证指数达到或超过10% 中性分析师预测在此期间行业指数相对上证指数在-10%—10%之间回避分析师预测在此期间行业指数相对弱于上证指数达到或超过10% 华西证券研究所： 地址：北京市西城区太平桥大街丰汇园11号丰汇时代大厦南座5层网址：http://www.hx168.com.cn/hxzq/hxindex.html 华西证券免责声明 华西证券股份有限公司（以下简称“本公司”）具备证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司签约客户使用。本公司不会因接收人收到或者经由其他渠道转发收到本报告而直接视其为本公司客户。 本报告基于本公司研究所及其研究人员认为的已经公开的资料或者研究人员的实地调研资料，但本公司对该等信息的准确性、完整性或可靠性不作任何保证。本报告所载资料、意见以及推测仅于本报告发布当日的判断，且这种判断受到研究方法、研究依据等多方面的制约。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及预测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息始终保持在最新状态。同时，本公司对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者需自行关注相应更新或修改。 在任何情况下，本报告仅提供给签约客户参考使用，任何信息或所表述的意见绝不构成对任何人的投资建议。市场有风险，投资需谨慎。投资者不应将本报告视为做出投资决策的惟一参考因素，亦不应认为本报告可以取代自己的判断。在任何情况下，本报告均未考虑到个别客户的特殊投资目标、财务状况或需求，不能作为客户进行客户买卖、认购证券或者其他金融工具的保证或邀请。在任何情况下，本公司、本公司员工或者其他关联方均不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，也不对任何人因使用本报告而导致的任何可能损失负有任何责任。投资者因使用本公司研究报告做出的任何投资决策均是独立行为，与本公司、本公司员工及其他关联方无关。 本公司建立起信息隔离墙制度、跨墙制度来规范管理跨部门、跨关联机构之间的信息流动。务请投资者注意，在法律许可的前提下，本公司及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易，也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务。在法律许可的前提下，本公司的董事、高级职员或员工可能担任本报告所提到的公司的董事。 所有报告版权均归本公司所有。未经本公司事先书面授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容，如需引用、刊发或转载本报告，需注明出处为华西证券研究所，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。