半导体行业周报：关注国产DRAM产业链机遇

市场回顾 最近一周（10月21日-10月25日）半导体板块涨跌幅为1.41%，相对沪深300涨跌幅0.62pct。年初至今半导体板块涨跌幅为21.93%，相对沪深300指数涨跌幅6.62pct。 本周半导体行业子板块涨跌幅分别为半导体材料4.9%、模拟芯片设计3.7%、集成电路封测0.9%、半导体设备0.5%、电子化学品Ⅲ0.4%、数字芯片设计-1.3%。 国产DRAM产业链蓄势待发HBM：国产厂商全面布局 高带宽内存（HBM）拥有提供远高于传统内存的数据传输速率，成为解决内存墙问题的有效方案，当前HBM3E产品已经投入市场销售，下一代HBM4产品亦有望在2025年进入市场。 当前诸多国产厂商进行了HBM产品布局。晶圆厂方面，据Trendforce报道，长鑫存储和武汉新芯均投建了HBM产能。今年2月，武汉新芯披露招标公告，拟建设不少于3000片/寸（12英寸）的HBM先进封装产能。长鑫亦于6月通过子公司芯浦天英在上海市浦东新区金桥南区竞得土地，拟建设高端封测存储芯片产能3万片/月。晶圆厂之外，还有诸多封测厂商进行了技术布局。长电科技布局了2.5D封装和HBM封装技术，通富微电于9月披露了高带宽存储芯粒先进封装技术升级和产能提升项目。国产HBM的发展有望带来全产业链的价值增量。 传统存储：价格短期回落，利基市场格局出清 据中国闪存市场数据，本轮DRAM价格于23Q3触底反弹，至24Q2最高点价格涨幅超过30%，但进入24Q3以来出现回落，截至10月价格较前高降幅约19%。分类型来看，小容量DDR3的降幅更大，其次是DDR5和大容量DDR4，居中的DDR4 8Gb价格相对稳定。拥有DDR3产品线的存储厂商相对较多，行业竞争更为激烈，而DDR5作为最高端代际经历了过去几个季度的扩产，供给大幅增长。 伴随DRAM技术迭代，海外龙头厂商停产DDR3，减产DDR4，利基型DRAM格局有望迎来优化，国产存储厂有望在DDR3/DDR4市场获得更大成长空间。 同时，国产龙头存储厂亦推出了LPDDR5产品，在产品代际上加速追赶海外三大原厂，DRAM国产化全面推进。 投资建议：国产DRAM产业链加速成长，先进存储方面，多家厂商在HBM领域全面布局；传统DRAM方面，国产厂商加速产品代际迭代，利基DRAM格局出清，带来全产业链的长期成长机遇。个股方面，建议关注： 前道设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测等； 封测设备：精智达、长川科技等； 存储封测：长电科技、通富微电、深科技、太极实业等。 风险提示：存储行业周期复苏不及预期；行业竞争加剧；研发进度不及预期。 1国产DRAM产业链蓄势待发 1.1国产厂商全面布局HBM 随着人工智能和大数据应用的日益流行，处理大量数据的需求不断增加，这导致了“内存墙”问题变得日益严重。“内存墙”本质上是由于内存带宽和处理器速度存在差异，从而限制了数据处理的效率，成为系统性能提升的瓶颈。高带宽内存（HBM）通过提供远高于传统内存的数据传输速率，成为解决内存墙问题的有效方案。 AI需求推动下，海外三大存储原厂积极争抢HBM技术高地。美光于2023年7月及时发布业界首款24GB 8-High HBM3E，海力士和三星亦随后跟进，当前HBM3E产品已经投入市场销售，下一代HBM4产品亦有望在2025年进入市场。 图1：全球主流HBM厂商的产品路线图 国内市场亦有诸多厂商进行了HBM产品布局。晶圆厂方面，据Trendforce报道，长鑫存储和武汉新芯均投建了HBM产能。今年2月，武汉新芯披露招标公告，拟建设不少于3000片/寸（12英寸）的HBM先进封装产能。长鑫亦于6月通过子公司芯浦天英在上海市浦东新区金桥南区竞得土地，拟建设高端封测存储芯片产能3万片/月。 晶圆厂之外，还有诸多封测厂商进行了技术布局。长电科技布局了2.5D封装和HBM封装技术，通富微电于9月披露了高带宽存储芯粒先进封装技术升级和产能提升项目。国产HBM的发展有望带来全产业链的价值增量。 1.2传统存储：价格短期回落，利基市场格局出清 存储行业价格具有周期性特征，据中国闪存市场数据，本轮DRAM价格于23Q3触底反弹，至24Q2最高点价格涨幅超过30%，但进入24Q3以来出现回落，截至10月价格较前高降幅约19%。 分类型来看，据DRAMexchange数据，截至10月25日，DDR3 4Gb现货平均价0.82美元，距离年内前高降幅22%；DDR4 4Gb现货平均价1.23美元，较年内前高降幅4%；DDR4 8Gb现货平均价1.90美元，较年内前高降幅5%； DDR4 16Gb现货平均价3.22美元，较年内前高降幅10%；DDR5 16Gb现货平均价4.78美元，较年内前高降幅7%。 对比不同类型的DRAM价格走势差异，不难发现，小容量DDR3的降幅更大，其次是DDR5和大容量DDR4，居中的DDR4 8Gb价格相对稳定。 我们认为价格趋势的差异主要与行业竞争格局相关。拥有DDR3产品线的存储厂商相对较多，行业竞争更为激烈，而DDR5作为最高端代际经历了过去几个季度的扩产，供给大幅增长。但伴随DRAM技术迭代，海外龙头厂商停产DDR3，减产DDR4，利基型DRAM格局有望迎来优化，国产存储厂有望在DDR3/DDR4市场获得更大成长空间。 同时，国产龙头存储厂亦推出了LPDDR5产品，在产品代际上加速追赶海外三大原厂，DRAM国产化全面推进。 图2：DRAM指数 图3：不同类型DRAM价格（美元） 2本周市场行情回顾 最近一周（10月21日-10月25日）半导体板块涨跌幅为1.41%，相对沪深300涨跌幅0.62pct。年初至今半导体板块涨跌幅为21.93%，相对沪深300指数涨跌幅6.62pct。 本周半导体行业子板块涨跌幅分别为半导体材料4.9%、模拟芯片设计3.7%、集成电路封测0.9%、半导体设备0.5%、电子化学品Ⅲ0.4%、数字芯片设计-1.3%。 图4：半导体行业子板块周涨跌幅 图5：半导体行业个股周涨跌幅前五名&后五名 3风险提示 1）存储行业周期复苏不及预期：存储行业具有周期性特征，若行业景气度复苏不及预期，将对板块公司业绩造成不利影响； 2）行业竞争加剧：国内诸多厂商布局了存储产品，若行业竞争加剧，将对板块公司业绩造成不利影响； 3）研发进度不及预期：HBM等高端存储产品有较高的技术难度，若研发不及预期，将对板块公司业绩造成不利影响。