半导体设备：65nm ArF光刻机官宣，国产光刻机行则将至

2024年09月18日 行业研究●证券研究报告 半导体设备 行业快报 65nmArF光刻机官宣，国产光刻机行则将至事件点评 65nmArF光刻机官宣，参数对标ASML1460K及NikonS322F。为促进首台 （套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工业和信息化部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。根据市场监管总局等五部门联合印发的《中国首台（套）重大技术装备检测评定管理办法（试行）》，该文件对中国首台（套）重大技术装备做出了明确定义：指在国内实现重大技术突破、拥有自主知识产权，但尚未在市场上取得明显业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》电子专用装备目录下，集成电路设备方面披露氟化氩光刻机和氟化氪光刻机，两者均属于DUV光刻机，氟化氩（ArF）光刻机参数为分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪（KrF）参数为分辨率≤110nm、套刻≤25nm。其中，65nmArF光刻机指标与ASML1460K/NikonS322F接近。根据华瑞博远统计，ASML1460KArF光刻机，波长为193nm，分辨率≤65nm、套刻精度为3.5/5.0nm，产量≥205wph；NikonS322FArF光刻机，波长为193nm（134nm），分辨率≤65nm、套刻精度为2.0/5.0nm，产量≥230wph。根据光刻人笔记信息，65nm工艺的主要特点包括足够成熟、足够先进（相对于90nm）、良率高、产量大以及设计平台的成熟可靠。与前一代90nm制程相比，65nm制程的标准元件密度增加两倍，具备更高的整合性和更好的性能。此外，65nm工艺还广泛应用于射频器件（RF-SOI）的生产中，并已实现量产。 套刻精度为前后图案层对齐精度，工艺节点越小对套刻精度要求越高。套刻精度（overlay），指前一个图案层与后一个图案层之间的对齐精度。由于一个器件可能需要经过多次光刻步骤来完成不同层，因此每一层图案都需要与先前层精确对齐。细微的偏移可能会导致电路性能降低，良率下降，甚至芯片完全失效。两层之间图案的实际相对位置与期望相对位置之间的偏差，叫套刻准容差。套刻容差越大，实际生产中的套准误差越大，同一个器件，需要的面积也就越大，会产生许多问题。随着特征尺寸的减小，允许的绝对套准误差变得更小。而随着特征尺寸的降低，芯片的层数一般会持续增加，套准误差可能会在多个层级中累积。这些误差可以叠加起来，导致更大的综合偏差。套刻精度分为OPO（产品本身的套刻精度）、DCO（同一台设备自身套自身的精度），MMO（不同设备之间的套刻精度），如ASML的NXT1980Di，OPO≤3.5nm，DCO≤1.6nm，MMO ≤2.5nm。根据电子工程世界披露，1980Di是ASML现有效率较低光刻机，支持NA1.35光学器件、分辨率<38nm，理论上可以支持7nm工艺，大多数晶圆厂使用1980Di光刻机，主要生产14nm及以上工艺芯片。 投资建议：光刻机技术是半导体工艺中的关键，决定了芯片晶体管尺寸大小，直接影响芯片性能和功耗。自美国对中国半导体制裁起，光刻机对国内半导体行业发展及集成电路产业链自主可控重要性日益凸显。建议关注光刻机产业链“卡脖子”环节中技术积累较深或直接/间接进入ASML/上海微电子等供应链环节厂 投资评级领先大市-B维持首选股票评级一年行业表现 资料来源：聚源 升幅%1M3M12M相对收益-4.03-3.581.36绝对收益-9.25-13.9-13.14 分析师孙远峰SAC执业证书编号：S0910522120001sunyuanfeng@huajinsc.cn分析师王海维SAC执业证书编号：S0910523020005wanghaiwei@huajinsc.cn报告联系人宋鹏songpeng@huajinsc.cn 相关报告兆易创新：“存”如基石“算”如冀，花月正春风-华金证券-电子-兆易创新-公司深度2024.9.12消费电子：字节跳动收购Oladance，或入局AI眼镜赛道-华金证券-电子-消费电子-行业快报2024.9.11集成电路：封测板块Q2总结：盈利能力改善，持续加码前沿先进封装-华金证券-电子-先进封装-行业动态分析2024.9.10京东方A：24H1业绩同比高增，半导体显示领域持续领先-华金证券-电子-京东方-公司快报2024.9.3通富微电：24Q2业绩显著提升，AI芯片带动高性能封装增长-华金证券-电子-通富微电-公司快报2024.9.2 华峰测控：24Q2业绩环比显著提升，以期STS8600验证&海外市场拓展-华金证券-电子-华峰测控-公司快报2024.8.27 长电科技：聚焦高附加值应用，先进封装产能利用率/净利润上升-华金证券-电子-长电科技-公司快报2024.8.26 商。如芯碁微装（直写光刻）、富创精密（零部件）、炬光科技（光学器件）、赛微电子（物镜）、波长光电（光源）、奥普光电（整机）、腾景科技（光学器件）、福晶科技（光源）、茂莱光学（光源）、电科数字（计算/控制模块）、新莱应材（零部件）、美埃科技/蓝英装备（洁净设备）、同飞股份/海立股份（温控）、东方嘉盛（服务）、上海微电子（整机，未上市）、华卓精科（工件台，未上市）。 风险提示：技术研发风险；宏观经济和行业波动风险；国际贸易摩擦风险。 行业评级体系 收益评级： 领先大市—未来6个月的投资收益率领先沪深300指数10%以上； 同步大市—未来6个月的投资收益率与沪深300指数的变动幅度相差-10%至10%； 落后大市—未来6个月的投资收益率落后沪深300指数10%以上；风险评级： A—正常风险，未来6个月投资收益率的波动小于等于沪深300指数波动； B—较高风险，未来6个月投资收益率的波动大于沪深300指数波动； 分析师声明 孙远峰、王海维声明，本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，勤勉尽责、诚实守信。本人对本报告的内容和观点负责，保证信息来源合法合规、研究方法专业审慎、研究观点独立公正、分析结论具有合理依据，特此声明。 本公司具备证券投资咨询业务资格的说明 华金证券股份有限公司（以下简称“本公司”）经中国证券监督管理委员会核准，取得证券投资咨询业务许可。本公司及其投资咨询人员可以为证券投资人或客户提供证券投资分析、预测或者建议等直接或间接的有偿咨询服务。发布证券研究报告，是证券投资咨询业务的一种基本形式，本公司可以对证券及证券相关产品的价值、市场走势或者相关影响因素进行分析，形成证券估值、投资评级等投资分析意见，制作证券研究报告，并向本公司的客户发布。 免责声明： 本报告仅供华金证券股份有限公司（以下简称“本公司”）的客户使用。本公司不会因为任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。 本报告基于已公开的资料或信息撰写，但本公司不保证该等信息及资料的完整性、准确性。本报告所载的信息、资料、建议及推测仅反映本公司于本报告发布当日的判断，本报告中的证券或投资标的价格、价值及投资带来的收入可能会波动。在不同时期，本公司可能撰写并发布与本报告所载资料、建议及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，本公司将随时补充、更新和修订有关信息及资料，但不保证及时公开发布。同时，本公司有权对本报告所含信息在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。任何有关本报告的摘要或节选都不代表本报告正式完整的观点，一切须以本公司向客户发布的本报告完整版本为准。 在法律许可的情况下，本公司及所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易，也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务，提请客户充分注意。客户不应将本报告为作出其投资决策的惟一参考因素，亦不应认为本报告可以取代客户自身的投资判断与决策。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议，无论是否已经明示或暗示，本报告不能作为道义的、责任的和法律的依据或者凭证。在任何情况下，本公司亦不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。 本报告版权仅为本公司所有，未经事先书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表、转发、篡改或引用本报告的任何部分。如征得本公司同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并注明出处为“华金证券股份有限公司研究所”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。 华金证券股份有限公司对本声明条款具有惟一修改权和最终解释权。风险提示： 报告中的内容和意见仅供参考，并不构成对所述证券买卖的出价或询价。投资者对其投资行为负完全责任，我公司及其雇员对使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失概不负责。 华金证券股份有限公司办公地址： 上海市浦东新区杨高南路759号陆家嘴世纪金融广场30层 北京市朝阳区建国路108号横琴人寿大厦17层 深圳市福田区益田路6001号太平金融大厦10楼05单元电话：021-20655588 网址：www.huajinsc.cn