全球先进封装设备行业20240907

全球先进封装设备行业20240907_原文 2024年09月08日21：38 发言人00：00 一周在台湾我们自我调研的一些成果，也向各位领导汇报我们对QHBN相关的这些先进封装，近期的一个动向，以及展望未来2到3年内，目前已经比较确定比较明晰的包括CPU，包括POPOP的这些路线。首先从cosHBN的这个情况来看，就目前的产能还是非常紧缺的那管理层其实也在业绩会等公开场合有提到目前的增速，产能扩张增速是50%到60%。这个电厂的周期大概是两年，目标的话是进一步缩短到一年半。 全球先进封装设备行业20240907_原文 2024年09月08日21：38 发言人00：00 一周在台湾我们自我调研的一些成果，也向各位领导汇报我们对QHBN相关的这些先进封装，近期的一个动向，以及展望未来2到3年内，目前已经比较确定比较明晰的包括CPU，包括POPOP的这些路线。首先从cosHBN的这个情况来看，就目前的产能还是非常紧缺的那管理层其实也在业绩会等公开场合有提到目前的增速，产能扩张增速是50%到60%。这个电厂的周期大概是两年，目标的话是进一步缩短到一年半。这个比过去几年前的44年以上，其实有很明显的改善，但目前仍然是供不应求的那尤其是随着本身GPU的面积的增长，尤其是breadwil第一次采用对这种设计，它面积其实是好的两倍。未来ruby这个面积只会再继续增大，这个会进一步的去除了出货量 本身的增长以外。从技术层面来看，GPU的面积增长，包括配备的HBN的数量在提升，都会进一步的去消耗cos的 产能。 发言人01：23 现在科沃斯的路线图分为三种，一个是2022年以前为主的科，以及现在正在逐步导入铺开的cossel以及cosl。这个区别的话主要是在propose方面。SS的话那个S代表的就是cityproposal，它的这个中间层都是以硅片为主。然后cosl的话它是采用的这种硅胶的设计，就bridge这种设计。在organic这种有机的exposer中会放入一些小的乖巧。通过这种硅巧放在H边和SOC的边缘形成互联。这个做法除了台积电cosl以外，是像intel的EID是类似的思路。最后一个是cocoa的话，整个interpreter就是以有机材料为主，这个的话就会跟前面两种会比较不一样。但其实现在实际上应用cosSL的这种案例也不是特别多，主要还是以coss和cosl为主。 发言人02：36 从这个分界来看的话，22年以前基本上是以coss这种silytopost为主。随着我们刚刚提到的SOC本身的面积在增大，包括说双SOC甚至未来有可能会出现四年OC这种区块链设计，以及HBN本身搭载数量增加，其实对于coss消耗都是比较明显的。所以从从24年之后，你应该能够看到更多这些GPU的产品，像cosl转型。包括说wil这个新的平台也是基于cos去做设计的那从这个尺寸的话也有一个比较直观的基准。如果是以830的这个screenmaymeter去做一个基准，那在11年的话这个面积是一个单位。然后22年的话是3.3个单位，然后2024年的话就会增长到4个单 位，25点55555点5个单位。从后续的路线图看的话，27年甚至有可能会达到8个单位，这个是用在S台积电H6制成的SOSOS这个产品上，就会到达这个规模。 发言人03：57 它带来的一个直接影响就是单个科瓦斯能够切的片数会急剧下降。同时另一方面对于金元的利用率也会有大幅的下降。在hoper大概一片cos能够去切28个，然后到bw的话基本上目前市场预估的是会每一个扣款前16个。在后续的rubin可能这个数量就会掉到6个月。当刚刚提到这个radical到达基准的3倍到5倍的时候，其实你有效利用对于这个圆形的面积的有效利用率，其实可能会下滑到6成到七成。 发言人04：45 这个是因为本身做聚类这个东西是方形的那对于圆形晶圆这个边角利用率会有所不足。如果换成了panel这种方形的方案的话，这个有效利用率可以提高7到80甚至更高。随着这个radical的面积基于这个基准的倍数进一步的提高，pano和圆形的精准在先进封装每每一片能够有效利用的比例就会进一步的拉大。这个是我们现在站在2024年去看新封装现况已经发展需要很明确的一点。 发言人05：30 在HBN的部分我们看到的是HBN31目前是12层和16层。三家公司的这个进展，我们在之前的H存储板块100张里面有提到，在此不做赘述。从路线图来看的话，单一是1216层HBN4会，也是保持在12和16层HB5的话预估是20层及以上。 发言人05：59 从现况来看的话，12层HBN4以前应该还会以压线和DC邦的为主。其中不太一样的是海力士它是在HB3使用AR音乐，而不是TCB。虽然他用的还是TCB的设备，但是它本质上是做thatreport。那三一的话会使用更好的材料去做advancedNRNU的这种结构。在四的话，目前公司在本周四宣布了会同时推进AR以及绑定这个做法。那HV5的话会全面转向，还不方便。这边稍微介绍一下刚才提到的messfor，然后TCB和Harrybounding具体是指什么？ 发言人06：52 在先进封装中有个比较重要的环节是电荷。电荷的话既可以是芯片和基板之间电的这的连接，也可以是芯片与芯片之间的连接。这种帮顶的步骤就是指尖和目前的键合在传统封装这种引线键合。引线键合其实对于芯片面积的有效利用，然后也包括说他的这个传输速度，其实都没办法满足高性能的这些处理器所需要的条件。所以我们也可以看到，以iphoneinfo这种做法为一个标志性的事件。基本上就开始往倒装芯片，然后往像包括TCB这种新的联合方式去做一个转型。从现在的在AI芯片方面的话，台积电converse还是以bestfor这种做法为主。 发言人07：53 然后在存储板块HBN方面，主流是用TCB软件和做法。像海力是因为它的材料足够好，所以他可以使用mf的这种方式去做。这个东西带给他就是成本上的优势和产量上的优势。但像美光和三星，因为没有相应的这个材料去做支持，所以他们是必须使用热压结合这种做法，通过对任何的环节进行加压，来保证这个HBN在堆叠到8层、12层的时候不会出现形变的问题。因为在整个先进封装中受热的均匀度如果不是均匀的话，那其实每一层叠上去它都有可能出现超区的问题。那这个在HBN里面发生的严重程度和概率实际上是比口本来的更高。这个也是从cos角度来说，台积电和存储的几家公司使用的的这个帮顶的做法不太一样的原因。 发言人09：00 无论是mathrefer还是TCB，它本质上都是在芯片上面放小的这些图块，我们称为棒棒这种东西。然后去做实现上下RDL的之间的一个联通。在无论KCB和那就是说如何去发展，如何尽可能的去减少泵头的这个高度，芯片之间和芯片之间的这个间距会始终存在。Happyfinding其实是从根本上去解决这个问题。在happybounding中它是通过铜焊直接和上下两层去之间的这个铜焊盘直接去做连接的那他可以完全去减少棒这个存在。 发言人09：48 回到为什么要在HBN4和HB五逐步去转化为Harrybounding？这个原因是实际上是由HBN的这个总层高所限制的那HBN在cost结构中放置，它的位置是放在GPU的旁边。无论是八层、12层，甚至未来十六和20层堆叠起来，这个总高度是不可以超过GPU本身的高度的。因为如果超过的话，那后续的这个封装就没办法再同一个高度上面进行。因此HBN的这个技术发展一定程度上是需要考虑到它这个总高度。 发言人10：25 对于总高度的控制，一方面可以通过减少芯片与芯片间距，就我们刚刚提到棒的这个间距。另一个层面的话就是可以把每一层的H边带去打的更薄。但无论怎么做，这个东西是有底线。如果这个韧带打的过于薄，那这个是对于结构的刚性和它的良率都会有很大的影响。刚刚也提到在证据的部分，只要放这个材料，一定要放在去和去之间。虽然可以通过武汉机的这种做法去减进一步减少泵的尺寸，但始终还是两个芯片之间还是会有一个东西存在。那这个对于芯片之间间距的压缩，然后以及在芯片表面做RDO这个密TSB和RDO这个密度都会有一定的限制。所以从长期来看的话，还是邦也是一个必须去发展的方向。 发言人11：23 海瑞邦鼎在今年上半年经历比较坎坷的曲折，其中主要原因是在四月份的时候，刚刚所提到的这个总层高有略微放宽，比原本预先的这个750放宽到了770。这个就一定程度上允许了在比如说12层的HBN4还可以继续去使用最比较先进的这种热压电荷。刚才提到这种武汉机热压电荷去做，这个一定程度上对Harrybounding是一个打击。当时市场可能更悲观的预估Harry邦会推迟到20分以后，但是HBN5以后可能是很多年之后的事情了。但从本周三面看台湾无论是三星和海逸市来看的话，其实两家厂商对于everybody导入还是虽然比原本的预期来得晚，但也没有推迟到20岁以上。目前预估的话可能在16层6驱跟四专门看到两条路线的同时推进了。那在20层的H点5的话，那就可能会更加明确一些。 发言人12：33 这个主要是过去hHarrybounding主要面临的一些，包括芯片平整度，然后包括良率，然后包括刚刚提到的铜焊盘本身。因为同样盘和同案盘之间的连接，对于表面是否有杂质残留这个东西要求是会比TCB还是更高。种种这些材料和设备上的问题是导致过去相关的这些厂商和客户不愿意那么积极去导入，还被绑定。 发言人13：05 然后在四月份通过放宽总层高的这个做法去推迟happybounding的其中一个原因。但从小米看台湾，我们也看到了SKhine，还有三星店在相关的这些工艺上面做了一些新的调整。我们也会乐观看待说海瑞邦可能会比4月份当时市场比较悲观的情况来看的话，在导入的时间节点上面可能会稍微有一些好转。那从以上是在先进封装的部分，可能也稍微提一下，就是在这个HBN最下面basset的部分，我们从你看台湾也是看到一些新的变化。这个主要就是对于定制化HBN的需求，可能会从basebal上面去做着手。 发言人13：58 Based带的话是在8层或16层里面，在这个堆点的H点下面放一块逻辑芯片。然后这个逻辑芯片是用于承载H上面8层12层的利润带，并与下面的interpose连接的一个芯片。这周的话SKImiss和三星电子也在贝斯特上面有一些瞩目。那这方面未来有可能会交给房主去利用fn更成熟的逻辑芯片的工艺来实现定制化的需求，然后提高先进封装整体的系统性的那以上是我们从现况cosHBN的一个我们的一个基本看法。 发言人14：43 相关的设备商有几个板块，刚刚提到的像是HD韧带这种打包，这个一般来说是有一些简报，这个就是日本的disco。以及在打包的时候，因为这个芯片变变薄，它可能会有一些结构上面的压力。通常会通过这种临时建合的方式去固定和支撑这个临时件和会用一个塑料载板放在这个晶圆上面，然后去去承载金地润贷，让它不容易那么坏，不那么容易坏。这种临时电荷的工艺会用到像欧洲的素，然后还有hbara他们都有一些相关的事件和最后的设备。在刚才听到cos之间的这种matoryfor，然后瑞亚建和以及海水当地的话，这个是永久建合的领域，这个跟临时建合是不太一样的。 发言人15：48 在永久建合的话主要有几家供应商。像是日本的雪宝软，然后像韩美半导体，像是港股的SMDT，美股的库里手法，以及欧洲的basic。其中有公开的客户以及对应的板块的话，能够看到是韩美半导体，就韩国的韩美半导体跟SKhy是关系比较紧密。两家从15年开始推韩HBN的做法的时候，就已经深度在做合作。目前是从公司持续披露的这个订单，有的话也可以看到，SK哈里斯还是继续在跟韩美进行合作，然后这个单也基本上没有停那刚刚提到虽然SK韩你做的是NRAS这种的for做法，但他采购的设备还是采购TCbounder。同时我们也看到像美光，他也有在采购韩美半导体的TCborder。这个是由于SKS和韩美半导体的独家供应协议，在去年的时候已经到期了。对，从今年上半年我们也陆续有看到美光箱还没半导