全球先进封装设备行业CoWoSHBM持续扩产CPOFOPLPSOIC渐行渐近20240907

全球先进封装设备行业：CoWoS、HBM持续扩产，CPO、FOPLP、SOIC渐行渐近20240907_原文 2024年09月08日20：56 发言人00：03 大家好，欢迎参加深圳海外深度100奖，全球先进封装设备行业。目前所有参会者均处于静音状态，现在开始播报免责声明。声明，播报完毕后，主持人可直接开始发言，谢谢。 全球先进封装设备行业：CoWoS、HBM持续扩产，CPO、FOPLP、SOIC渐行渐近20240907_原文2024年09月08日20：56 发言人00：03 大家好，欢迎参加深圳海外深度100奖，全球先进封装设备行业。目前所有参会者均处于静音状态，现在开始播报免责声明。声明，播报完毕后，主持人可直接开始发言，谢谢。 发言人00：20 本次电话会议仅服务于兴业证券客户，会议音频及文字记录的内容版权为兴业证券所有，内容必须经兴业证券审核后方可留存。未经允许和授权转载、转发此次会议内容均属侵权，兴业证券将保留追究其法律责任的权利。电话会议所有参会人员不得泄露内幕信息以及未公开重要信息。涉及外部嘉宾发言的，兴业证券不保证其发言内容的准确性与完整性。兴业证券不承担外部嘉宾发言内容所引起的任何损失及责任，不承担因转载、转发引起的任何损失及责任。市场有风险投资需谨慎，提醒投资者注意投资风险，审慎参考会议内容。 发言人01：19 好，各位投资者领导，周二早上好，我是新人海外TNT的徐峰龙。本场的话也是我们应变方向最后一场100场的这个活动。也是借着过去一周台湾我们做调研的一些成果，也向各位领导汇报我们对HBN相关的这些先进工作，近期的一个动向以及展望未来2到3年内，目前已经比较确定比较明晰的包括CPU，包括LPOP的这些路线。首先从QHBN的这个情况来看，在目前的产能还是非常紧缺的那管理层其实也在业绩会的公开场合有提到目前的增速。产能扩张的增速是50%到60%。 发言人02：11 这个电厂的周期大概是两年，目标的话是进一步缩短到一年半。这个比过去几年前的44年以上，其实有很明显的改善，但目前仍然是供不应求的那尤其是随着本身GPU的面积的增长，尤其是brainwil第一次采用Q这种设计，它面积其实是好的两倍。未来ruby这个面积只会再继续增大，这个会进一步的就除了收货量本身的增长。另外从技术层面来看，GPU的这个面积增长，包括配备的HBN的数量在提升，都会进一步的去消耗科沃斯的产能。 发言人02：57 及cos这个区别的话主要是在于process方面。Coss的话那个S代表的就是citycountryproposal。它的这个中间层都是以硅片为主。然后cosl的话它是采用这种硅胶的设计，就bridge这种的设计。在organic这种有机的exposer中会放入一些小的规巧，通过这种规则放在HB和SOC的边缘形成互联。这个做法除了台积电cosl以外，是像intelEID是类似的思路。最后一个是coscost的话，整个proposal就是以邮寄材料为主，这个的话就会跟前面两种会比较不一样。但其实现在实际上应用co小孩的这种案例也不是特别多，主要还是以coss和cosCL为主。 发言人04：10 从这个分界来看的话，22年以前基本上是以cos这种silypost为主。所以我们刚刚提到的SOC本身的面积在增大，包括说双SOC甚至未来有可能会出现4.3C的这种区别设计，以及HBN本身搭载的数量增加，其实对于coss的消耗都是比较明显的。所以从而从20年之后，我们应该能够看到更多这些GPU的产 品，像cossel转型。包括说不然wil这个新的平台也是基于coscel去做设计的那从这个尺寸的话也有一个比较直观的基准。如果是830的这个meter去做一个需要更多公司调研纪要关注公众号MT调研可添加微信号S130970。 发言人05：14 基准。在11年的话这个面积是一个单位。我22年的话是3.3个单位，然后2024年的话就会增长到4个单位，25年 55555点5个单位。从后续的路线图看的话，27年甚至有可能会达到8个单位。 发言人05：31 这个是用在S台积电H6制成的SOSOS这个产品上，就会到达这个规模。它带来的一个直接影响就是单个科尔斯能够切的片数会急剧下降。同时另一方面对于这个晶圆的利用率也会有大幅的下降。在hoper大概一片科瓦斯能够去切28个，然后到verywel的话，基本上目前市场预估的是会每一个科瓦是前16个。那在后续的rubin可能这个数量就会掉到6个。 发言人06：15 当刚刚提到的这个radical到达基准的3倍到5倍的时候，其实你有效利用对于这个圆形的面积的有效利用率，其实可能会下滑到6成到七成。这个是因为本身做去这个东西是方形的那对于圆形茎圆这个边角利用率会有所不足。那如果换成的panel这种方形的方案的话，这个呃有效利用率可以提高7到8折甚至更高。随着这个radical的面积基于这个基准的倍数进一步的提高，panel和圆形的精准在先进封装每每一片能够有效利用的比例就会进一步的拉大。这个是我们现在站在2024年去看先进封装现况以及发展，需要很明确的一点。 发言人07：14 在HBN的部分我们看到的是HBN31目前是12层和16层。三家公司的这个进展，我们在之前的H存储板块100章里面有提到，在此不做赘述。从路线图来看的话，三一是1216层HB是会也是保持在12和16层HB5的话预估是20层及以上。 发言人07：43 从现况来看的话，12层HBN4以前应该还会以高压线和DC邦的为主。其中不太一样的是海力士它是在HB3COLR音乐，而不是TCB。虽然他用的还是TCB的设备，但是它本质上是做thatreport。那三一的话会使用更好的材料去做advancedNRNU的这种结构。在四的话目前公司在本周四宣布了会同时推进AR以及绑定这个做法。那HV5的话会全面转向，还不帮这边稍微介绍一下刚才提到的md然 后TCB和Harrybounding具体是指什么。 发言人08：35 在先进封装中有个比较重要的环节是电荷。电荷的话既可以是芯片和基板之间电的连接，也可以是芯片与芯片之间的连接。这种帮顶的步骤就是纸片盒在目前的电荷在传统封装这种引线键合。引线键合其实对于芯片面积的有效利用，然后也包括说它的这个传输速度，其实都没办法满足高性能的这些处理器所需要的条件。所以我们也可以看到，以iphoneinfor这种做法为一个标志性的事件。基本上就开始往倒装芯片，然后往像包括TCB这种新的任何方式去做一个转型。从现在的在AI芯片方面的话，台积电的还是以messwithfor这种做法为主。 发言人09：36 然后在成熟板块HBN方面，主流是用TCB这种热压键合作法。像海力是因为它的材料足够好，所以他可以使用mathfor的这种方式去做。这个东西带给他就是成本上的优势和产量上的优势。但像美光和三星，因为没有相应的这个材料去做，所以他们是必须使用热压键合这种做法，通过对健合的环节进行加压，来保证这个HBN在堆叠到8层、16层的时候不会出现形变的问题。因为在整个先进封装中受热的均匀度如果不是均匀的话，那其实每一层叠上去它都有可能出现翘曲的问题。那这个在HBN里面发生的严重程度和概率，实际上是比口的来的更高。这个也是从cos角度来说，台积电和成熟的几家公司使用的的帮顶的做法不太一样的原因。 发言人10：43 无论是mxrefer还是TCB，它本质上都是在芯片上面放小的这些图块，我们称为bt这种东西。然后去做实现上下的RDL的之间的一个连通。在无论KCD和那就是说如何去发展，如何尽可能的去减少泵头的这个高度，芯片之间和芯片之间的这个间距会始终存在。Highbonding其实是从根本上去解决这个问题。在hyperbound中它是通过铜焊盘直接和上下两层去之间的铜焊盘直接去做连接的那它可以完全去减少棒存在。 发言人11：31 回到为什么要在HBN4和HB五逐步去转化为helperbounding？这个原因是实际上是由HBN的这个总层高所限制的那HBN在Q结构中放置，它的位置是放在GPU的旁边。无论是八层、16层，甚至未来十六和20层堆叠起来，这个总高度是不可以超过GPU本身的高度的。因为如果超过的话，那后续的这个封装就没办法在同一个高度上面进行。因此HBN的这个技术的发展一定程度上是需要考虑到它这个总高度。 发言人12：08 对于总高度的控制，一方面可以通过减少芯片与芯片的间距，就我们刚刚提到棒的这个间距。另一个层面的话就是可以把每一层的HB迭代去打的更薄。但无论你怎么做，这个东西是有底线。如果这个韧带打的过于薄，那这个是对于结构的刚性和它的良率都会有很大的影响。刚刚也提到在电锯的部分，只要放这个材料，一定要放在去和去之间。虽然可以通过武汉地的这种做法去减进一步减少帮助的尺寸，但始终还是两个芯片之间还是会有一个东西存在。这个对于芯片之间间距的压缩，以及在芯片表面做奥迪奥这个密TSD和RDO这个密度都会有一定的限制。所以从长期来看的话，海北方也是一个必须去发展的方向。 发言人13：07 Harrybounding在今年上半年经历比较坎坷的曲折。其中主要原因是在四月份的时候，刚刚所提到的这个总层高有略微放宽，比原本预先的750放宽到了770。那这个就一定程度上允许了在比如说12层的HB4还可以继续去使用最比较先进的这种热压电荷。刚才提到这种武汉机的热压电荷去做，这个一定程度上对Harrybonding是一个打击。 发言人13：40 当时市场可能更悲观的预估Henrybanding会推迟到20层以后，这就是HBN5以后，可能是很多年之后就实现了。但从本周三面看台湾，无论是三星和海逸市来看的话，其实两家厂商对于帮的导入还是虽然比原本的预期来得晚， 但也没有推迟到20岁以上。目前预估的话可能在16区跟四周能看到两条路线的同时推进了。发言人14：12 在20层的HB5的话，那就可能会更加明确一些。这个主要是过去highbounding主要面临的一些包括芯片平整度，然后包括良率，然后包括刚刚提到的铜焊盘本身。因为同样盘和同样盘之间的连接，对于表面是否有杂质残留这个东西要求是会比TCB来的更高。种种这些材料和设备上的问题是导致过去相关的这些厂商和客户不愿意那么积极去导入，还被绑定。然后在四月份通过放宽总层高的这个做法，去推迟happy帮顶的其中一个原因。但从semi看台湾，我们也看到了SKhines，还有三星电子在相关的这些工艺上面做了一些新的调整。我们也会乐观看到的时候还会光临，可能会比4月份当时市场比较悲观的情况来看的话，在导入的时间节点上面可能会稍微有些好转。 发言人15：19 从以上是在先进封装的部分，可能稍微提一下，就是在这个HBN最下面背带的部分，我们从前面看台湾也是看到一些新的变化。这个主要就是对于定制化HBN的需求，可能会从base带上面去做。左手那base带的话是在8层或16层底面，在这个堆点的H边下面放一块逻辑芯片，然后这个逻辑芯片是用于承载H上面8层12层的低温带，并与下面的这个interpose连接的一个芯片。这周的话，现在哈尼斯和三星电子也在贝斯塔上面有一些瞩目。那这方面未来有可能会交给房主去利用fn跟成熟的逻辑芯片的工艺来实现定制化的需求，然后提高先进封装整体的系统性的那以上是我们从现况cosHBN的一个我们的一个基本看法。 发言人16：27 相关的设备商有几个板块，刚刚提到的像是HD润带这种打包，这个一般来说是有一些简报，这个就是日本的disco。以及在打包的时候，因为这个芯片变变薄，它可能会有一些结构上面的压力，通常会通过这种临时间隔的方式去固定和支撑。这个临时件盒会用一个塑料载板放在这个机轮上面，然后去去承载这个金地润带，让它不容易那么坏，不那么容易坏。这种临时任何的工艺会用到像欧洲的素，然后还有巴阮他们都有一些相关的一些件和最好的设备。在刚才提到cars之间的这种measureform，然后瑞亚健和以及海水当地的话，这个是永久建和的领域，这个跟