美光的HBM先进封装技术在良率和产能方面遇到了哪些具体问题20240806

美光的HBM先进封装技术在良率和产能方面遇到了哪些具体问题？ 美光的先进封装技术目前主要面临两个部分的问题：一是WaferLevelPackaging(WLP)的bonding(键合)，二是ThermoCompressionBo nding(TCB)。在WLP方面，良率大约只有60%左右，而TCBondin g的良率则在70%左右。导致这些问题的原因主要包括材料选择和工艺流程的不匹配。例如，美光为了应对战略需求更换了材料，但新材料与现有设备不匹配， 特别是在TCB工艺中，这导致了生产过程中出现了较大的损失。此外，美光还因为没有按照原计划交付设备而导致产能瓶颈。 这些问题对美光的财务表现有何影响？ 由于上述良率和产能问题，美光在过去一个季度内遭受了大约6亿美元的损失。这些损失主要来自于客户投诉和罚款，因为美光未能按时交付预定数量的产品。在四五月份，为了 弥补既有订单，美光急于更换生产线，但新的生产线未经验证就投入使用，结果产生大量废品并引发客户投诉。 美光采取了哪些措施来解决这些问题？ 为了解决这些问题，美光正在重新评估其材料选择和工艺流程。例如，对于WLPbonding ，他们正在测试不同类型的胶水以及加热加压的方法，以提高良率。同时，在TCB工艺中，他们也在尝试优化生产设备，以适应新的材料。此外美光还计划增加更多符合要 求的新设备，以缓解当前的产能瓶颈。 未来美光是否会继续使用现有供应商提供的设备？ 美光目前使用的是两种不同类型的设备：一种是由日本公司提供，用于TCbonding；另一种是用于WLPbonding。然而，由于现有设备与新材料不匹配的问题，美光可能会考虑采购更多适合新材料特性的设备， 在解决方案实施后，预计美光何时能够恢复正常生产水平？ 尽管美光已经采取了一系列措施来解决当前的问题，但恢复正常生产水平仍需时间。根据目前的信息，如果所有调整顺利进行，包括新设备采购、工艺流程优化以及材料测试等，预计需要数月时间才能完全恢复正常。因此，在短期内，公司可能仍然面临一定程度上的产能限制和财务压力。 公司对未来的产能预期如何调整？ 原本预计今年年底每月可生产34，000片，但现已下调至18，000片。明年年底的目 标为40，000片，尽管较之前预测有所减少，但仍比今年有所增长。然而，由于良率问题和产能限制，这一目标也存在不确定性。 关于供应商选择，公司是否有新的决定？ 目前尚未确定是否更换供应商。从3月宣布量产以来，一直在评估新的配方材料，但尚未找到合 适的替代品。由于采购新机台需要较长交期，目前只能继续使用现有供应商提供的设备。 Recipe材料的问题具体表现在哪些方面？ 该材料主要用于绑定过程中的胶层涂覆。目前的问题集中在胶层厚度过大影响了涂覆效 果，导致背面支撑不稳定。原本使用的是日本研发的POR材料，现在改用新材料后仍存在问题 ，包括去除不干净等情况。HBM研发团队主要位于台湾，他们认为当前的问题可能与胶层材料有关，因此尝试更换了新的供应商。然而，新供应商提供的初期测试结果虽无明 显问题但量产后依然出现了产品损坏问题。对于未来HBM机型，公司有哪些具体规划？ 下一代机型将继续使用数字化技术，并且会改用日本的新材料，以解决当前存在的问题。同时，TCB将会换成韩国Hanmi公司的产品，以提高整体性能和质量稳定性。 当前公司在新产品开发和市场推广方面面临哪些主要挑战？ 目前公司在新产品开发和市场推广方面面临的主要挑战包括技术难度高、资源紧张以及市场竞争激烈。具体而言，Shinkawa发生的问题较多，导致公司需要提前pull-inHanmi。公司CEO曾表示明年要实现几十亿美元价值的HBM的生产规模，但目前产量远未达标，这将如何影响公司的财务表现？ 以目前每月仅6万颗的产量显然无法达到预期目标，并且会直接影响员工奖金，因为奖金中包含了出货量、良率和品质等考核指标。今年5月至6月公司已经因出货问题损失了约6亿美 元。 这对整体利润率有何影响？ 事件影响会体现在财报中的整体利润率水平，因为低良率导致成本增加，从而压缩整体利润率。目前HBM占据了DRAM产能的大约20%，而且由于美光采用的是1β技术节 点的Wafer，本来在广岛生产，但现在TSV技术已转移到了台中生产。这种调整虽然有助于提升产能，但短期内仍需克服技术难题。 未来公司在HBM领域的发展策略是什么？是否有新的技术路线或合作计划？ 公司正在尝试多条技术路线，包括TC-NCF和MR-MUF。然而，由于材料供应链的问题 ，例如长濑与海力士签订了独家合约，使得找到合适材料变得困难。目前两条路线都在试验阶 段，但进展并不理想。未来公司将继续优化现有技术，并寻求更多合作机会，以提升HBM产品的竞争力。 关于材料供应的问题，目前是否继续keepNCF？长濑是否是独家供应商，且无法向其他客户供货？ 目前有可能会继续keepNCF。长濑作为独家供应商，存在绑定关系，无法向其他客户供货 ，该信息需要向供应商确认是否确实属实。这种绑定关系对机台的选择有一定影响。如 果最终更换材料，机台也需要相应调整，主要影响的是underfill的机台。关于HybridBonding和三星的设备采购情况，目前市场上有哪些趋势？ 在HybridBonding技术上相对落后，但他们也在尝试新的解决方案，例如WafertoWafer技术。HBM4有三种堆叠方式：8层、12层和16层，根据 规范，总厚度为775微米。在8层和12层堆善中，可以使用传统的TCBonding，但16层必须采用HybridBonding。三星已经在其年会上发表文章指出16层必须采用HybridBonding技术。 为什么HBM4需要采用不同的bonding方式？具体有哪些技术挑战？ 主要是因为厚度和对准精度的问题。在16层堆叠中如果继续使用传统的TCBonding ，会导致总厚度过大，不符合规范，因此必须采用HybridBonding。此外，在微米级别进行对准也是一大挑战，因为要确保每一层都能准确无误地堆叠。 在实际操作中，你们如何处理TSVDramwafer的堆叠问题？是否需要额外的载体？在实际操作中，直接把Dramwafer放置在BaseWafer上，而不再使用额 外的载体。例如，对于HBM4中的8层堆叠，会将基板算作一层，因此总共是9层。同理，对于12层堆叠，总共是13层。这种方法可以确保每一层都能稳定地进行连接。关于BaseWafer它们通常由哪些厂商生产？各大厂商之间有什么差异？ BaseWafer通常由DRAM厂自行生产。HBM4情况不同。例如，美光公司的 HBM4仍然是自产，在日本做1γ。海力士则与台湾创意电子合作，由创意电子负责第三方设计和代工。因此，各大厂商之间存在一定差异。 在整个TB和DB生产过程中，不同机台之间如何协调工作？ 整个生产线会根据产出最少的站来确定整体产能。例如，DB两台机器在不同站点进行生产，从一个站点到另一个站点可能需要三到四天。这样可以确保各个环节之间互相配合， 不出现瓶颈。