拓荆科技：2023年年度报告

公司代码：688072公司简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司2023年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声 明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 （一）公司2023年半年度资本公积转增股本方案实施结果 公司于2023年8月28日召开第一届董事会第二十七次会议及第一届监事会第十六次会议，并于2023年9月13日召开2023年第三次临时股东大会，审议通过了《关于公司2023年半年度资本公积转增股本方案的议案》，公司以实施权益分派股权登记日（2023年9月27日）的总股本126,478,797股为基数，以资本公积向全体股东每10股转增4.8股，合计转增60,709,823股，转增后公司总股本增加至187,188,620股。 （二）公司2023年年度利润分配及资本公积转增股本方案 公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利3.5元（含税）。截至2024年3月31日，公司总股本为188,188,255股，扣除公司回购专用证券账户中的191,540股后公司股本为187,996,715股，以此计算合计拟派发现金红利65,798,850.25元（含税），不送红股 。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为9.93%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.24%。 同时公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，以资本公积向全体股东每10股转增4.8股。截至2024年3月31日，公司总股本为188,188,255股，扣除公司回购专用证券账户中的 191,540股后公司股本为187,996,715股，以此为基数测算，合计转增90,238,423股，转增后公司总股本将增加至278,426,678股（转增后公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准）。 如在实施权益分派的股权登记日前，公司总股本发生变动，公司拟维持每股分配及转增比例不变，相应调整分配总额及转增股本总额，并将另行公告具体调整情况。 公司第二届董事会第四次会议和第二届监事会第四次会议审议通过了《关于公司2023年度利润分配及资本公积转增股本方案的议案》，并同意将上述议案提交至公司2023年年度股东大会审议，经批准后实施。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义5 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析16 第四节公司治理69 第五节环境、社会责任和其他公司治理94 第六节重要事项101 第七节股份变动及股东情况136 第八节优先股相关情况148 第九节债券相关情况148 第十节财务报告149 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 报告期、报告期内 指 2023年1月1日至2023年12月31日 本报告期末、报告期末 指 2023年12月31日 公司、本公司、拓荆科技 指 拓荆科技股份有限公司 股东大会 指 拓荆科技股份有限公司股东大会 董事会 指 拓荆科技股份有限公司董事会 监事会 指 拓荆科技股份有限公司监事会 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《上市规则》 指 《上海证券交易所科创板股票上市规则》 《公司章程》 指 《拓荆科技股份有限公司章程》 拓荆有限 指 沈阳拓荆科技有限公司，公司前身 拓荆创益 指 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司 拓荆上海 指 拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司 拓荆北京 指 拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司 岩泉科技 指 上海岩泉科技有限公司，系公司全资子公司 拓荆键科 指 拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司 拓荆美国 指 Piotech(USA)Inc.，系公司全资子公司 国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司 国投上海 指 国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙） 中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 嘉兴君励 指 嘉兴君励投资合伙企业（有限合伙） 润扬嘉禾 指 青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙） 中科仪 指 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 沈阳创投 指 沈阳信息产业创业投资有限公司 苏州聚源 指 苏州聚源东方投资基金中心（有限合伙） 华舆国华 指 华舆国华（青岛）股权投资合伙企业（有限合伙） 宿迁浑璞 指 宁波浑璞浑金创业投资合伙企业（有限合伙） 盐城燕舞 指 盐城经济技术开发区燕舞半导体产业基金（有限合伙） 沈阳风投 指 沈阳科技风险投资有限公司 共青城盛夏 指 共青城盛夏股权投资管理合伙企业（有限合伙） 芯鑫和 指 共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫全 指 共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫龙 指 共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫成 指 共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫旺 指 共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫盛 指 共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫阳 指 共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙） 沈阳盛腾 指 沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛旺 指 沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛全 指 沈阳盛全投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛龙 指 沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙） 姜谦及其一致行动人 指 姜谦、吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智、张孝勇等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙11个公司员工持股平台 招商投资 指 招商证券投资有限公司 恒运昌 指 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司 芯密科技 指 上海芯密科技有限公司 无锡金源 指 无锡金源半导体科技有限公司 神州半导体 指 江苏神州半导体科技有限公司 中科共芯 指 广州中科共芯半导体技术合伙企业（有限合伙） 稷以科技 指 上海稷以科技有限公司 富创精密 指 沈阳富创精密设备股份有限公司 SEMI 指 SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半导体产业协会 薄膜沉积 指 半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的前段工序FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL（将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应用 晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片 晶圆制造、芯片制造 指 通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试 晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的生产厂商 工艺制程、关键尺寸 指 泛指在集成电路生产工艺可达到的最小栅极宽度，尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间 机台 指 半导体行业对生产设备的统称 Demo机台 指 公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台，待工艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、新机型的首台设备 Demo订单 指 针对Demo机台签订的验证订单 CMOS 指 ComplementaryMetalOxideSemiconductor（互补金属氧化物半导体），由N-MOS和P-MOS器件构成的一类芯片，其多晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构 FinFET 指 FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长 封装 指 在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工艺 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔技术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范 畴 CVD 指 ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料 PECVD 指 PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积 UVCure 指 紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种,是利用紫外线UV产生辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性能和化学性能 ALD 指 AtomicLayerDeposition，原子层沉积 PE-ALD 指 PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，等离子体增强原子层沉积 Thermal-ALD 指 ThermalAtomicLayerDeposition，热处理原子层沉积 SACVD 指 Sub-atmosphericPressureChemicalVaporDeposition，次常压化学气相沉积 HDPCVD 指 HighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition，高密度等离子体化学气相沉积 Bonding 指 键合，主要指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使两片半导体材料成为一体的技术 FusionBonding 指 熔融键合，是两个平衬底自然连接的键合技术。其特点是抛光片在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，等离子体预处理使得衬底能够在室温下接合 HybridBonding 指 混合键合，指金属键合（业界主流为铜-铜键合）与熔融键合混合进行的键合方法。混合键合是一种扩展的熔融键合,主要应用领域是先进逻辑芯片、先进存储芯片和图像处理器芯片的三维堆叠 PVD 指 PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积 EF