拓荆科技：拓荆科技2022年半年度报告

公司代码：688072公司简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司2022年半年度报告 一、本公司董事会及除杨征帆外的董事、监事、高级管理人员保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。杨征帆董事无法保证本报告内容的真实性、准确性和完整性，理由是：无法取得联系。请投资者特别关注。 二、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。 三、未出席董事情况 未出席董事职务 未出席董事姓名 未出席董事的原因说明 被委托人姓名 董事 杨征帆 无法取得联系 无 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人吕光泉、主管会计工作负责人刘静及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声 明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标7 第三节管理层讨论与分析10 第四节公司治理37 第五节环境与社会责任39 第六节重要事项41 第七节股份变动及股东情况62 第八节优先股相关情况70 第九节债券相关情况70 第十节财务报告71 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 报告期、报告期内 指 2022年1月1日至2022年6月30日 本报告期末、报告期 末 指 2022年6月30日 公司、本公司、拓荆 科技 指 拓荆科技股份有限公司 股东大会 指 拓荆科技股份有限公司股东大会 董事会 指 拓荆科技股份有限公司董事会 监事会 指 拓荆科技股份有限公司监事会 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 公司法 指 《中华人民共和国公司法》 证券法 指 《中华人民共和国证券法》 拓荆北京 指 拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司 拓荆上海 指 拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司 拓荆键科 指 拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司 拓荆美国 指 拓荆科技（美国）有限公司，系公司全资子公司 国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司，系公司股东 国投上海 指 国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙），系公司股东 中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司，系公司股东 嘉兴君励 指 嘉兴君励投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 润扬嘉禾 指 青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 中科仪 指 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司，系公司股东 沈阳创投 指 沈阳信息产业创业投资有限公司，系公司股东 苏州聚源 指 苏州聚源东方投资基金中心（有限合伙），系公司股东 中车国华 指 中车国华（青岛）股权投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 宿迁浑璞 指 宿迁浑璞浑金二号投资中心（有限合伙），系公司股东 盐城燕舞 指 盐城经济技术开发区燕舞半导体产业基金（有限合伙），系公司股东 沈阳风投 指 沈阳科技风险投资有限公司，系公司股东 共青城盛夏 指 共青城盛夏股权投资管理合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫和 指 共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫全 指 共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫龙 指 共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫成 指 共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫旺 指 共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫盛 指 共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 芯鑫阳 指 共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙），系公司股东 沈阳盛腾 指 沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙），系公司股东 沈阳盛旺 指 沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙），系公司股东 沈阳盛全 指 沈阳盛全投资管理中心（有限合伙），系公司股东 沈阳盛龙 指 沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙），系公司股东 姜谦及其一致行动人 指 姜谦、吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智、张孝勇等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫全、芯鑫 龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙等11个公司员工持股平台，系公司股东 恒运昌 指 深圳市恒运昌真空技术有限公司 富创精密 指 沈阳富创精密设备股份有限公司 SEMI 指 SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半导体产业协会 北京欧立信 指 北京欧立信经济信息咨询中心 薄膜沉积 指 半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的前段工序FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL（将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应用 晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片 晶圆制造、芯片制造 指 将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过程，分为前道晶圆制造和后道封装测试 晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的生产厂商 工艺节点、制程、关键尺寸 指 泛指在集成电路生产工艺可达到的最小栅极宽度，尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间，主要节点如90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、7nm、5nm、3nm等 先进制程、先进工艺 指 当下时点芯片制造最小技术节点，目前国内通常指28nm/14nm以下工艺制程 机台 指 半导体行业对生产设备的统称 Demo机台 指 验证机台。公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台，待工艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、新机型的首台设备 Demo订单 指 针对Demo机台签订的验证订单 CMOS 指 ComplementaryMetalOxideSemiconductor（互补金属氧化物半导体），由N-MOS和P-MOS器件构成的一类芯片，其多晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构 FinFET、FinFET工艺 指 FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长 封装 指 在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工艺 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔技术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴 CVD 指 ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料 PECVD 指 PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积 ALD 指 AtomicLayerDeposition，原子层沉积 PE-ALD 指 PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，等离子体增强原 子层沉积 Thermal-ALD 指 ThermalAtomicLayerDeposition，热处理原子层沉积 SACVD 指 Sub-atmosphericPressureChemicalVaporDeposition，次常压化学气相沉积 HDPCVD 指 HighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition，高密度等离子体增强化学气相沉积 UVCure 指 紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种,是利用紫外线UV产生辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性能和化学性能 PVD 指 PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积 EFEM 指 EquipmentFront-EndModule，一种晶圆传输系统，可用于制造设备与晶圆产线的晶圆传输模块 介质 指 电介质，亦称绝缘体，是一种不导电的物质 通用介质薄膜 指 在集成电路制造过程中使用的SiO2、SiN、SiON等介质薄膜 SiO2 指 硅与氧的化合物二氧化硅，可以作为一种电介质 TEOS 指 TetraethylOrthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO2薄膜的反应源 SAF 指 极高深宽比氧化硅薄膜工艺 BPSG 指 Boro-phospho-silicateGlass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅 SiN 指 氮化硅，可以用作芯片制造中的阻挡层、钝化层 SiON、DARC 指 SiliconOxynitride，即氮氧化硅，主要用于光刻过程中的消光作用，提高曝光效果 PSG 指 Phospho-silicateGlass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金属布线层间的绝缘层、回流介质层和表面钝化保护层 Al2O3 指 氧化铝，主要用于芯片制造过程中的表面钝化层、阻挡层和硬掩膜 AlN 指 氮化铝，主要用于芯片制造过程中的刻蚀阻挡层和扩散阻挡层 先进介质薄膜、先进 材料工艺 指 在集成电路制造过程中使用的LokⅠ、LokⅡ、ADCⅠ、ADCⅡ、ACHM、α-Si等介质薄膜 ACHM 指 非晶碳硬掩膜，该薄膜能够提供良好的刻蚀选择性 LokⅠ 指 掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，主要应用于集成电路芯片后段互连层间介导层，通过超低介电常数，降低电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能 LokⅡ 指 超低介电常数薄膜，为LokⅠ的下一代新型介质薄膜，通过相对于LokⅠ更低的超低介电常数，降低电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能 ADCⅠ 指 NitrogenDopedCarbide，先进掺氮碳化硅薄膜，主要应用于扩散阻挡层以及刻蚀阻挡层，由于较低的介电常数，可以降低了导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能 HTN 指 HighTensileNitride，即高应力氮化硅，主要用于先进制程中的前道应力记忆层，通过应力记忆减小短沟道效应，增强载流子迁移率，提高器件速度 α-Si 指 AmorphousSilicon，非晶硅，主要应用在硬掩膜以实现小尺寸高深宽比的图形传递 ThickTEOS 指 微米级TEOS薄膜 ONON 指 氧化物-氮化物-氧化物-氮化物交替的薄膜堆叠，沉积SiO2、SiN制作的方法中的一个步骤，主要用于3DNAND闪存芯片制造 SADP 指 Self-AlignedDoublePatterning，自对准双重成像技术，可用于FinFET工艺中Fin的制造 STI 指 Shal