拓荆科技：2024年半年度报告

公司代码：688072公司简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义3 第二节公司简介和主要财务指标6 第三节管理层讨论与分析10 第四节公司治理48 第五节环境与社会责任51 第六节重要事项53 第七节股份变动及股东情况84 第八节优先股相关情况95 第九节债券相关情况95 第十节财务报告96 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义报告期、报告期内 指 2024年1月1日至2024年6月30日 本报告期末、报告期末 指 2024年6月30日 公司、本公司、拓荆科技 指 拓荆科技股份有限公司（含合并报表范围内的子公司） 股东大会 指 拓荆科技股份有限公司股东大会 董事会 指 拓荆科技股份有限公司董事会 监事会 指 拓荆科技股份有限公司监事会 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《上市规则》 指 《上海证券交易所科创板股票上市规则》 《公司章程》 指 《拓荆科技股份有限公司章程》 拓荆创益 指 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司 拓荆上海 指 拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司 拓荆北京 指 拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司 岩泉科技 指 上海岩泉科技有限公司，系公司全资子公司 拓荆键科 指 拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司 拓荆美国 指 Piotech(USA)Inc.，系公司全资子公司 拓荆日本 指 PiotechTokyo株式会社，系公司全资子公司 国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司 国投上海 指 国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙） 中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 润扬嘉禾 指 青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫和 指 共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫全 指 共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫龙 指 共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫成 指 共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫旺 指 共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫盛 指 共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙） 芯鑫阳 指 共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙） 沈阳盛腾 指 沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛旺 指 沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛全 指 沈阳盛全投资管理中心（有限合伙） 沈阳盛龙 指 沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙） 姜谦及其一致行动人 指 姜谦、吕光泉、张孝勇、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙11个公司员工持股平台 富创精密 指 沈阳富创精密设备股份有限公司 新松半导体 指 沈阳新松半导体设备有限公司 SEMI 指 SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半导体产业协会 薄膜沉积 指 半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的 前段工序FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL（将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应用 晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片 晶圆制造、芯片制造 指 通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试 晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的生产厂商 机台 指 半导体行业对生产设备的统称 Demo机台 指 公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台，待工艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、新机型的首台设备 Demo订单 指 针对Demo机台签订的验证订单 封装 指 在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工艺 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔技术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴 CVD 指 ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料 PECVD 指 PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积 UVCure 指 紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种,是利用紫外线UV产生辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性能和化学性能 ALD 指 AtomicLayerDeposition，原子层沉积 PE-ALD 指 PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，等离子体增强原子层沉积 Thermal-ALD 指 ThermalAtomicLayerDeposition，热处理原子层沉积 SACVD 指 Sub-atmosphericPressureChemicalVaporDeposition，次常压化学气相沉积 HDPCVD 指 HighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition，高密度等离子体化学气相沉积 Bonding 指 键合，主要指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使两片半导体材料成为一体的技术 FusionBonding 指 熔融键合，是两个平衬底自然连接的键合技术。其特点是抛光片在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，等离子体预处理使得衬底能够在室温下接合 HybridBonding 指 混合键合，指金属键合（业界主流为铜-铜键合）与熔融键合混合进行的键合方法。混合键合是一种扩展的熔融键合,主要应用领域是先进逻辑芯片、先进存储芯片和图像处理器芯片的三维堆叠 EFEM 指 EquipmentFront-EndModule，一种晶圆传输系统，可用于 制造设备与晶圆产线的晶圆传输模块 介质 指 电介质，亦称绝缘体，是一种不导电的物质 通用介质薄膜 指 在集成电路制造过程中使用的SiO2、SiN、SiON等介质薄膜 SiO2 指 硅与氧的化合物二氧化硅，可以作为一种电介质 SiN 指 氮化硅，可以用作芯片制造中的阻挡层、钝化层 TEOS 指 TetraethylOrthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO2薄膜的反应源 SiON 指 SiliconOxynitride，即氮氧化硅，主要用于光刻过程中的消光作用，提高曝光效果 SiOC 指 N-FREEDARC（Nitrogen-freeDielectricAnti-reflectiveCoating），主要用于光刻过程中的消光作用，提高曝光效果，避免光刻胶中毒 FSG 指 FluorinatedSilicateGlass，即掺杂氟的氧化硅，做为层间介质层，可以降低介质层的介电常数，减少寄生电容 STI 指 ShallowTrenchIsolation，通常用于0.25微米以下工艺，通过图形化工艺在晶体管结构之间形成槽填充绝缘层，以达到晶圆表面器件之间隔离 PSG 指 Phospho-silicateGlass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金属布线层间的绝缘层、回流介质层和表面钝化保护层 BPSG 指 Boro-phospho-silicateGlass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅 SATEOS 指 采用SACVD沉积的TEOS薄膜材料 SAF 指 极高深宽比氧化硅薄膜工艺 Al2O3 指 氧化铝，主要用于芯片制造过程中的表面钝化层、阻挡层和硬掩膜 先进介质薄膜 指 在集成电路制造过程中沉积的LokⅠ、LokⅡ、ADCⅠ、ACHM、α-Si等介质薄膜材料 LokⅠ 指 掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，主要应用于集成电路芯片后段互连层间介导层，通过低介电常数，降低电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能 LokⅡ 指 超低介电常数薄膜，为LokⅠ的下一代新型介质薄膜，通过相对于LokⅠ更低的超低介电常数，降低电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能 ACHM 指 AmorphousCabonHardMask，非晶碳硬掩膜，该薄膜能够提供良好的刻蚀选择性 ADCⅠ 指 NitrogenDopedCarbide，先进掺氮碳化硅薄膜，主要应用于扩散阻挡层以及刻蚀阻挡层，由于较低的介电常数，可以降低导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能 ADCII 指 OxideDopedCarbide，先进掺氧碳化硅薄膜，主要应用于扩散阻挡层以及刻蚀阻挡层，相较ADCⅠ可以实现更低的介电常数，降低导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能 HTN 指 HighTensileNitride，即高应力氮化硅，主要用于先进制程中的前道应力记忆层，通过应力记忆减小短沟道效应，增强载流子迁移率，提高器件速度 α-Si 指 AmorphousSilicon，非晶硅，主要应用在硬掩膜以实现小尺寸高深宽比的图形传递 ThickTEOS 指 微米级TEOS薄膜 PF-300T、PF-300TPlus 指 四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内最多有2个沉积站，每次可以同时最多处理6片晶圆 PF-300M 指 由2个四边形传片平台相连接，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内最多有2个沉积站，每次可以同时最多处理10片 晶圆 NF-300H 指 四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内有6个沉积站，每次可以同时最多处理18片晶圆 TS-300 指 六边形传片平台，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内有2个沉积站，每次可以同时最多处理10片晶圆 TS-300S 指 六边形传片平台，即TS-300型号平台的缩小版，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内有1个沉积站，每次可以同时最多处理5片晶圆 PC