HBM专家交流纪要

超预期点：1.专家认为H2024年910产量约50w，HWJ2024年产量约20-30w颗。 2.H+长鑫两家公司同时推进HBM产线，近两年国内需求约530w，大头是华为，会切换为国产 HBM，产能缺口大。 3.深算3号性能对标A100，且已经在生产过程中，进度有望超预期。Q：长鑫HBM的进展和后续节奏？ A：国内目前仅有长鑫有实际产品。2020年10月开始规划，找了通富和长电，和长电的合作项目在23年1月取消，只有通富继续合作。23年5月中下旬成功在通富微电生产 出国内首批基于3D封装的HBM颗粒，规格是8层堆叠HBM2，容量8GB。24Q1有一批产品在生产，预计3月中旬完成晶圆到封测，出货量1k颗8Hi8GBHBM2，作为最终产品由长鑫销售或送样。 长鑫下一步规划在23H1已经在通富同步开展，HBM2E还是8层方案，项目周期持续至26H2。根据现有项目安排，HBM2的终端需求逐渐缩小，预计24Q4会有10w 颗出货，之后不再做HBM2，25Q1开始小批量HBM2E。Q：长鑫HBM和海外大厂在层数和容量的差异？ A：现在HBM2E主流是8Hi16GB，4Hi8GB，HBM3是8/12Hi 。这与单die容易有关，HBM2制程为16-19nm，HBM2E14-16nm ，后续单die容量更高需要到1α、1β制程能力。Q：产品良率情况？ A：HBM2以DRAM裸晶圆模式发给通富微电，裸晶圆现有良率83%左右；封装良率72%左右；最终产品良率50%-60%。后续还有提升空间，晶圆良率需要长鑫提升；国际大厂封装良率在85%左右，还有10pct以上的提升空间。 提升良率的方法：第一，通富现在是一条中试线，设备都是其他事业部凑的，后续做成量产线良率会提升很多。第二，封装过程中最大良率损失在于堆叠，4Hi/8Hi目前都是C2W的方式 ，逻辑晶圆放最下面，每个逻辑晶圆的芯片上堆4/8次形成重组晶圆，最后进行切割，堆叠过程可能歪了，层数越高失败概率越大，解决方式之一是晶圆厂在两片晶圆做HybridBond ing形成一片晶圆，这样封装厂堆叠的次数可以减半，有效提升封装良率。HybridBonding对晶圆的良率损失非常大，目前仅用两片做，SKHynix和三星都有相关技术 ，长鑫的工艺已经在通富研发导入，HBM2E可能会用到。Q：HBM2E会比HBM2封装难度更高吗？ A：如果只是晶圆从HBM2升级到HBM2E，封装环节没有良率变化。但长鑫HBM2E还在研发状态，真正量产时通富将有量产线，且长鑫可能会用到HybridBonding 减少堆叠次数，所以良率会有提升，预计到80%以上。跟国际头部85%的良率可能会有knowhow部分的差异在。 Q：长鑫是否会导入沛顿？ A：目前长鑫DRAM封测合作方：沛顿50%、通富30%、长电20%，长电越来越少 ，流向通富和沛顿。HBM封测技术和传统DRAM有很大差异，传统DRAM主要用FCBGA，HBM需要类似TSV的技术和设备，目前只有通富、长电、盛合晶微有这方面工艺。沛顿可能之后会有项目开展。 Q：长鑫HBM封装端价值量？价格是否有性价比？ A：目前封装8HiHBM200元/颗，毛利率30%左右，净利暂时没有算（至少20%左右）。 目前长鑫的产品性能对标SKHynix，几个指标几乎相当：（1）带宽300Gb/s以上（SKHynix310Gb/s左右）；（2）长鑫可以堆更多层数，容量没有差异；（3 ）I/O速率与SKHynix相当，2.4Gbps，可以做平行替代。 价格：SK海力士HBM28GB120美金，长鑫还没有定价，内部希望60-70元/GB，8GB500元左右。 Q：国内其他DRAM厂商有做HBM的计划吗？A：国内仅有长鑫+通富一条产线正在生产，长鑫做设计和晶圆制造，通富做封测。还有一条生产链是由H牵头，23年10月份立项，现在形成一个小团队，设计端是H，流片是福建晋华 和北京维旭，封测端是盛合晶微和长电微电子。计划24H1晶圆流片，H2封测端封装导入 ，25年不断调试，26Q3推出最终产品，项目定义基于12HiHBM3，可能先做4 /8Hi。 Q：盛合晶微产能有限，是否有产能去做HBM？ A：盛合现有能较紧，但其实CoWoS产线99%的设备和流程可以和HBM共用，需要 增购和开发的只有1%，技术上不是难点。从产能看，盛合晶微正在扩产，26年应该能满足 需求。但扩产过程也给了其他家机会，最终不一定在盛合晶微做，也可能在长电微电子。盛合晶微长期做CoW，oS和测试是长电做，目前长电微电子是帮盛合晶微做HBM3的测试，但长 电也在布局2.5D/3D封装，24年长电微电子会形成一条小规模2.5D/3D封装线，包括CoW和oS。 Q：长鑫和H的HBM封装用什么工艺？涉及设备和材料？ A：长鑫HBM2目前使用TCB热压键合，HBM2E还是TCB。H的HBM3现在技术还是TCB，但盛合晶微和长电微电子在做HybridBonding前期调研，可能面向HBM3E。 TCB热压键合现有设备都是进口，通富的TCB主要以BESIDatacon为主，也有个位数的ASMPT设备。盛合晶微TCB目前全部是BESI。长点微电子23年开始买设备，目前也是BESI。 Q：海外厂商是用TCB还是HybridBonding？ A：HBM3E之前的次代都可以用TCB覆盖，HBM4不能用TCB，因为HBM4的I/O更密集，而TCB需要做Bumping。HBM3E上三星也有开始用Hy bridBonding，主要因为三星的封测端技术由于SK海力士，希望在这上面有营销噱头提升市占率。 Q：长鑫和H在没有EUV的情况下能做到第几代？后续是否有补救办法？ A：HBM3要求在14nm以下，有项目开展必定有解决方法，不清楚是否有EUV，但可 以通过类似重复曝光的方式进行补救。长鑫的产品还不涉及太精细的光刻技术，HBM2E在14-19nm之间。Q：国内HBM需求空间如何测算？ A：国内最大的出货量是腾，腾只在盛合晶微制造，盛合晶微今年预计出货50w颗腾产品 ，单个对应6颗HBM需求，每颗HBM1500元左右。第二大是寒武纪，一年约20-30w颗，对应6颗HBM。其他家加起来约10w颗，平均对应5颗HBM。国内AI芯片预计出货量90w颗，对应约530w颗HBM需求。Q：HBM提升速率主要靠晶圆还是封装环节？A：90%靠晶圆制程，10%靠封装技术提升。一是用HybridBonding取代TCB，减少寄生电容，二是用好的材料进行散热。 Q：国内产能的规划？ A：（CoWoS产能和HBM产能等比互换，产线互通，1颗CoWoS芯片=4颗HBM芯片）通富现有CoWoS产能5k颗/月（折合HBM产能2w颗/ 月，目前实际运行1k/月），今年年底完成量产线建设后，产能至少200w颗/年，一共206w颗/年。盛合晶微现有产能160w颗/年，到今年底280w颗/年。长电微电 子现有产能0，到今年底6w颗/年。甬矽电子到25H1形成一条6w颗/年产线。Q：HBM不同次代目前价格？ A：HBM216GB（海光）：23年底120美金，24Q1150美金。HBM2E16GB（寒武纪）：23年底160-170美金，24Q1180美金Q：甬矽跟谁合作？已经在做HBM吗？ A：是一条中试线，没有固定客户。还没有开始做，但现在有所有技术能力和设备。Q：海光HBM的需求情况？ A：海光深算3有在通富做HBM研发，HBM2E16GB，1+5，1颗假die 。