HBM专家交流纪要

换为国产HBM，产能缺口大。 3. 深算 3 号性能对标 A100，且已经在生产过程中，进度有望超预期。 Q：长鑫 HBM 的进展和后续节奏？ A：国内目前仅有长鑫有实际产品。2020 年 10 月开始规划，找了通富和长电，和长电的合 作项目在 23 年 1 月取消，只有通富继续合作。23 年 5 月中下旬成功在通富微电生产出国内首批基于3D 封装 的HBM 颗粒，规格是8 层堆叠HBM2，容量 8GB。24Q1有一批产品在生产，预计 3 月中旬完成晶圆 到封测，出货量 1k颗 8Hi 8GB HBM2，作为最终产品由长鑫销售或送样。长鑫下一步规划在 23H1 已经在通富同步开展，HBM2E 还是 8 层方案，项目周期持续 至 26H2。根 据现有项目安排，HBM2 的终端需求逐渐缩小，预计 24Q4会有 10w颗出货，之后不再做 HBM2，25Q1 开始小批量 HBM2E。Q：长鑫 HBM 和海外大厂在层数和容量的差异？ A：现在 HBM2E 主流是 8Hi 16GB，4Hi 8GB，HBM3 是 8/12Hi 。这与单 die 容易有关，HBM2 制 程为 16-19nm，HBM2E 14-16nm，后续单 die 容量更高需要到 1α、1β制程能力。Q：产品良率情况？ A：HBM2 以 DRAM 裸晶圆模式发给通富微电，裸晶圆现有良率 83%左右；封装良率 72%左右；最 终产品良率 50%-60%。后续还有提升空间，晶圆良率需要长鑫提升；国际大厂封装良率在 85%左 右，还有 10pct 以上的提升空间。提升良率的方法：第一，通富现在是一条中试线，设备都是其他事业部凑的，后续做成量产线良率会 提升很多。第二，封装过程中最大良率损失在于堆叠， 4Hi/8Hi 目前都是 C2W 的方式，逻辑晶圆放 最下面，每个逻辑晶圆的芯片上堆4/8 次形成重组晶圆，最后进行切割，堆叠过程 可能歪了，层数越 高失败概率越大，解决方式之一是晶圆厂在两片晶圆做 Hybrid Bonding 形成一片晶圆，这样封装厂 堆叠的次数可以减半，有效提升封装良率。Hybrid Bonding 对晶圆的良率损失非常大，目前仅用两片 做，SK Hynix 和三星都有相关技术，长鑫的工艺已经在通富研发导入，HBM2E 可能会用到。Q：HBM2E 会比 HBM2 封装难度更高吗？ A：如果只是晶圆从 HBM2 升级到 HBM2E，封装环节没有良率变化。但长鑫 HBM2E 还在研发状 态，真正量产时通富将有量产线，且长鑫可能会用到 Hybrid Bonding减少堆叠次数，所以良率会有 提升，预计到 80%以上。跟国际头部 85%的良率可能会有knowhow 部分的差异在。Q：长鑫是否会导入沛顿？ A：目前长鑫 DRAM 封测合作方：沛顿 50%、通富 30%、长电 20%，长电越来越少 ，流向通富和沛 顿。HBM 封测技术和传统 DRAM 有很大差异，传统 DRAM主要用 FCBGA，HBM 需要类似 TSV 的 技术和设备，目前只有通富、长电、盛合晶微有这方面工艺。沛顿可能之后会有项目开展。Q：长鑫 HBM 封装端价值量？价格是否有性价比？ A：目前封装 8Hi HBM 200 元/颗，毛利率 30%左右，净利暂时没有算（至少 2 0%左右）。目前长鑫的产品性能对标 SK Hynix，几个指标几乎相当：（1）带宽 300Gb/s 以 上（SK Hynix 310Gb/s 左右）；（2）长鑫可以堆更多层数，容量没有差异；（3） I/O 速率与 SK Hynix 相当，2.4Gbps，可以做平行替代。价格：SK 海力士 HBM2 8GB 120 美金，长鑫还没有定价，内部希望 60-70 元/GB，8GB 500 元左 右。 Q：国内其他 DRAM 厂商有做 HBM 的计划吗？A：国内仅有长鑫+通富一条产线正在生产，长鑫做设计和晶圆制造，通富做封测。还有一条生产链是 由 H 牵头，23 年 10 月份立项，现在形成一个小团队，设计端是 H，流片是福建晋华和北京昇维旭，封测端是盛合晶微和长电微电子。计划 24H1 晶圆流片，H2 封测端封装导入，25 年不断调试，26Q3 推出最终产品，项目定义基于 12Hi HBM3，可能先做 4 /8Hi。 Q：盛合晶微产能有限，是否有产能去做 HBM？A：盛合现有能较紧，但其实 CoWoS 产线 99%的设备和流程可以和 HBM 共用，需要 增购和开发的 只有 1%，技术上不是难点。从产能看，盛合晶微正在扩产， 26 年应该能满足需求。但扩产过程也给 了其他家机会，最终不一定在盛合晶微做，也可能在长电微电子。盛合晶微长期做 CoW，oS 和测试 是长电做，目前长电微电子是帮盛合晶微做 HBM3 的测试，但长电也在布局 2.5D/3D 封装，24 年长 电微电子会形成一条小规模 2.5D/3D 封装线，包括 CoW 和 oS。Q：长鑫和 H 的 HBM 封装用什么工艺？涉及设备和材料？ A：长鑫 HBM2 目前使用 TCB 热压键合，HBM2E 还是 TCB。H 的 HBM3 现在技术还是 TCB，但盛 合晶微和长电微电子在做 Hybrid Bonding 前期调研，可能面向 HBM3E。TCB 热压键合现有设备都是进口，通富的 TCB 主要以 BESI Datacon 为主， 也有个位数的 ASMPT 设 备。盛合晶微 TCB 目前全部是 BESI。长点微电子 23年开始买设备，目前也是 BESI。Q：海外厂商是用 TCB 还是 Hybrid Bonding？ A：HBM3E 之前的次代都可以用 TCB 覆盖，HBM4 不能用 TCB，因为 HBM4 的 I/O 更密集，而 TCB 需要做 Bumping。HBM3E 上三星也有开始用 Hybrid Bonding，主要因为三星的封测端技术由于 SK 海力士，希望在这上面有营销噱头提升市占率。Q：长鑫和 H 在没有 EUV 的情况下能做到第几代？后续是否有补救办法？ A：HBM3 要求在 14nm 以下，有项目开展必定有解决方法，不清楚是否有 EUV，但可 以通过类似重 复曝光的方式进行补救。长鑫的产品还不涉及太精细的光刻技术，HBM2E 在 14-19nm 之间。Q：国内 HBM 需求空间如何测算？A：国内最大的出货量是昇腾，昇腾只在盛合晶微制造，盛合晶微今年预计出货 50w 颗昇腾产品 ，单 个对应 6 颗 HBM 需求，每颗 HBM 1500 元左右。第二大是寒武纪，一年约20-30w 颗，对应 6 颗 HBM。其他家加起来约 10w 颗，平均对应 5 颗HBM。国内 AI 芯片预计出货量 90w 颗，对应约 530w 颗 HBM 需求。Q：HBM提升速率主要靠晶圆还是封装环节？ A：90%靠晶圆制程，10%靠封装技术提升。一是用 Hybrid Bonding 取代 T CB，减少寄生电容，二 是用好的材料进行散热。Q：国内产能的规划？ A：（CoWoS 产能和 HBM 产能等比互换，产线互通，1 颗 CoWoS 芯片=4 颗 HBM 芯片）通富现 有 CoWoS 产能 5k 颗/月（折合 HBM 产能 2w 颗/月，目前实际运行 1k/月），今年年底完成量产线 建设后，产能至少 200w 颗/年，一共206w颗/年。盛合晶微现有产能 160w 颗/年，到今年底 280w 颗/年。长电微电子现有产能 0，到今年底 6w 颗/年。甬矽电子到 25H1 形成一条 6w 颗/年产线。Q：HBM不同次代目前价格？ A：HBM2 16GB（海光）：23 年底 120 美金，24Q1 150 美金。 HBM2E 16GB（寒武纪）：23 年底 160-170 美金，24Q1 180 美金Q：甬矽跟谁合作？已经在做 HBM 吗？ A：是一条中试线，没有固定客户。还没有开始做，但现在有所有技术能力和设备。Q：海光 HBM 的需求情况？ A：海光深算 3 有在通富做 HBM 研发，HBM2E 16GB，1+5，1 颗假 die。