一季度收入同比增76%，部分新产品规模出货

2023年收入逐季上升，1Q24收入同比增长76%。由于全球服务器及计算机需求下滑，相关芯片去库存，公司2023年实现收入22.86亿元(YoY-37.76%)，归母净利润4.51亿元(YoY-65.30%)，扣非归母净利润3.70亿元(YoY-58.11%)；由于DDR5相关产品占比提高，公司毛利率提高12.5pct至58.91%。 其中4Q23营收7.61亿元(YoY-4%,QoQ+27%)，归母净利润2.17亿元(YoY-28%,QoQ+43%)，毛利率为57.44%（YoY+1.0pct，QoQ-7.4pct）。根据业绩预告，1Q24公司营收7.37亿元，同比增长76%；归母净利润2.10-2.4亿元，同比增长9.65-11.17倍。 DDR5渗透率提升，公司率先开启子代迭代。分业务看，2023年公司互联类芯片收入21.85亿元(YoY-20.11%)，占比96%，毛利率提高2.6pct至61.36%；津逮 ® 服务器平台收入0.94亿元(YoY-90%)，占比4%，毛利率下降6.5pct至4.01%。随着支持DDR5的主流服务器CPU平台陆续上市，DDR5下游渗透率明显提升，推动公司DDR5相关产品出货量自2Q23稳步增长，预计2024年DDR5渗透率将超过50%。为了保持领先地位，公司率先开启DDR5子代迭代，2023年10月率先试产DDR5第三子代RCD芯片，2024年1月推出支持7200MT/s数据速率的DDR5第四子代RCD芯片。 推出多款高性能“运力”芯片以把握AI机遇，部分产品已开始规模出货。 公司聚焦“运力”需求布局了一系列高速互连芯片解决方案，包括PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD、MXC等多款芯片，部分新产品已经开始规模出货。 其中PCIe5.0Retimer芯片已经成功导入部分境内外主流云计算/互联网厂商的AI服务器采购项目，并已开始规模出货，1Q24出货量约15万颗，超过该产品2023年出货量的1.5倍；搭配公司MRCD/MDB芯片的服务器高带宽内存模组已在境内外主流云计算/互联网厂商开始规模试用，1Q24公司MRCD/MDB芯片收入首次超过2000万元。 投资建议：下游需求恢复叠加新产品规模出货，维持“买入”评级 公司1Q24公司营收7.37亿元（YoY+75.74%），考虑到服务器和计算机行业去库存结束后重新备货，以及公司部分新产品开始规模出货，我们预计公司2024-2026年归母净利润11.83/17.89/24.54亿元，对应2024年4月19日股价的PE分别为44/29/21x。公司下游需求逐步恢复叠加新产品放量，维持“买入”评级。 风险提示：新产品研发不及预期；客户验证不及预期；需求不及预期。 盈利预测和财务指标 内存模组由DDR4向DDR5迭代升级，公司DDR5内存接口芯片开启子代迭代内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件。作为服务器CPU存取内存数据的必由通路，内存接口芯片的主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过服务器CPU、内存和OEM厂商针对其功能和性能的全方位严格认证，才能进入大规模商用阶段。 DDR4和DDR5的内存接口芯片按功能分为RCD和DB两大类。其中寄存缓冲器（RCD）缓冲来自内存控制器的地址、命令、时钟、控制信号，数据缓冲器（DB）缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。仅采用RCD芯片对地址、命令、时钟、控制信号进行缓冲的内存模组通常称为RDIMM（寄存双列直插内存模组），采用RCD和DB套片对地址、命令、时钟、控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组称为LRDIMM（减载双列直插内存模组）。 公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架，突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计，创新性采用1颗RCD为核心、9颗BD的分布结构布局，大幅减少了CPU与DRAM颗粒间的负载效应，降低了信号传输损耗，解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾，最终被JEDEC国际标准采纳为DDR4世代框架，并已在DDR5世代演化为1+10框架，继续作为LRDIMM的国际标准。 图1：公司内存接口芯片 内存模组由JEDEC组织定义，公司是其董事会成员之一。内存模组的发展有着清晰的技术升级路径，全球微电子行业标准制定机构JEDEC固态技术协会组织定义内存模组的组成构件、性能指标、具体参数等，目前已完成DDR5第二子代、第三子代产品标准制定，第四子代产品标准制定也初步完成。公司是JEDEC的董事会成员之一，在JEDEC下属的四个委员会及分会中安排员工担任主席或副主席职位，深度参与JEDEC相关产品的标准制定。比如公司牵头制定多款DDR5内存接口芯片标准，包括DDR5RCD芯片及MDB芯片，并积极参与DDR5CKD芯片和DDR5内存模组配套芯片标准制定。 公司DDR4及DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域。 公司先后推出DDR2到DDR5系列内存接口芯片，是全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，可应用于各种缓冲式内存模组，包括RDIMM及LRDIMM等，满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。目前公司DDR4及DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。 DDR4世代内存接口芯片产品目前仍是市场主流，经历了四个子代。从2016年开始，DDR4随着技术发展成熟成为内存市场的主流技术。为了实现更高的传输速率和支持更大的内存容量，JEDEC组织进一步更新和完善DDR4内存接口芯片的技术规格，增加了多种功能。在DDR4世代，从Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0到Gen2plus，每一子代内存接口芯片所支持的最高传输速率在持续上升，DDR4最后一个子代产品Gen2plus支持的最高传输已达3200MT/s。2023年公司DDR4产品以DDR4Gen2 Plus子代为主。 图2：公司DDR4内存接口芯片产品 DDR5采用更低的工作电压，支持速率更高。随着DDR5内存技术规格和产品的成熟商用，DDR5内存技术正在实现对DDR4内存技术的更新和替代。DDR5内存接口芯片相比于DDR4最后一个子代的内存接口芯片，采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步。从JEDEC已经公布的相关信息来看，DDR5内存接口芯片已经规划了五个子代，支持速率分别是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s、7200MT/s、8000MT/s，预计后续可能还会有1-2个子代，实现更高的传输速率和支持更大的内存容量是内存接口芯片行业发展的趋势和动力。 预计2024年DDR5内存模组渗透率将超过50%，公司已率先开启DDR5子代迭代。 支持更高速率DDR5的CPU持续迭代将推动DDR5内存模组的规模使用及更新换代，其中支持DDR5的主流桌面级CPU于2021年正式发布，普通台式机/笔记本电脑DDR5内存模组需求逐步提升；支持DDR5的主流服务器CPU于2022年底至2023年初正式上市，并将持续更新迭代，DDR5内存模组渗透率将持续提升。公司预计DDR5内存模组的渗透率将在2024年超过50%，并在2025年继续提升。 公司2021年10月量产DDR5第一子代产品，2022年5月在业内率先试产DDR5第二子代RCD芯片，2023年10月率先试产DDR5第三子代RCD芯片，2024年1月推出支持7200MT/s数据速率的DDR5第四子代RCD芯片。从内存接口芯片行业的规律来看，子代迭代越快，将更有助于维持产品的平均销售价格和毛利率。 图3：公司DDR5内存接口芯片产品 预计2029年全球内存接口芯片市场规模达59亿美元，公司是三大主流厂商之一。 根据QYResearch的数据，预计2029年全球内存接口芯片市场规模将达到59.2亿美元，2022-2029年的CAGR为34.4%，高于2018-2022年9.2%的CAGR。从竞争格局来看，内存接口芯片从DDR2世代发展到DDR5世代，参与厂商越来越集中。 与DDR4世代类似，DDR5内存接口芯片主要由公司、瑞萨电子和Rambus三家主流供应商提供。 图4：内存接口芯片的发展历程 公司是DDR5内存模组配套芯片的主要供应商之一 根据JEDEC标准，DDR5内存模组上除内存颗粒及内存接口芯片外，还需要串行检测集线器（SPD）、温度传感器（TS）以及电源管理芯片（PMIC)三种配套芯片。 在DDR5世代，服务器内存模组需要配置一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗TS芯片，普通台式机、笔记本电脑的内存模组UDIMM（无缓冲双列直插内存模组）、SODIMM（小型双列直插内存模组）需要配置一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。 图5：公司DDR5内存模组配套芯片 SPD：公司与合作伙伴共同研发了DDR5SPD，芯片内部集成8Kbit EEPROM、I2C/I3C总线集线器（Hub）和温度传感器（TS），适用于DDR5系列内存模组（如LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等），应用范围包括服务器、台式机及笔记本内存模组。目前主要供应商是澜起科技和瑞萨电子。 TS：公司与合作伙伴共同研发了DDR5高精度TS芯片，支持 I2C 和I3C串行总线，适用于DDR5服务器RDIMM和LRDIMM内存模组。TS作为SPD芯片的从设备，可以工作在时钟频率分别高达1MHz I2C 和12.5MHzI3C总线上；CPU可经由SPD芯片与之进行通讯，从而实现对内存模组的温度管理。TS是DDR5服务器内存模组上重要组件，目前主流的DDR5服务器内存模组配置2颗TS。 目前主要供应商是澜起科技和瑞萨电子。 PMIC：公司与合作伙伴共同研发了DDR5低/高电流PMIC，芯片包含4个直流-直流降压转换器，两个线性稳压器（LDO，分别为1.8V和1.0V），并能支持 I2C 和I3C串行总线。PMIC的作用主要是为内存模组上的其他芯片（如DRAM、RCD、DB、SPD和TS等）提供电源支持；CPU可经由SPD芯片与之进行通讯，从而实现电源管理。低电流电源管理芯片应用于DDR5服务器较小电流的RDIMM内存模组，高电流电源管理芯片则应用于DDR5服务器较大电流的RDIMM和LRDIMM内存模组。 图6：公司DDR5内存模组配套芯片 推出多款高性能“运力”芯片以把握AI机遇 “运力”是提升AI系统整体性能的关键。AI相关应用推动算力、存力需求快速增长，与此同时对运力提出了更大需求，未来“运力”是提升AI系统整体性能的关键。“运力”是指在计算和存储之间搬运数据的能力，人工智能时代需要更高的带宽、更快的传输。公司聚焦“运力”需求布局了一系列高速互连芯片解决方案，包括PCIeRetimer、MRCD/MDB、CKD、MXC等多款芯片。 图7：公司“运力”相关芯片 PCIeRetimer芯片：PCIe5.0Retimer芯片可为AI服务器等典型应用场景提供稳定可靠的高带宽低延时互连解决方案，以解决信号完整性问题。一台典型的配置8块GPU的主流AI服务器需要8颗或16颗PCIe 5.0 Retimer芯片，AI服务器出货量增加将直接带动PCIe Retimer芯片需求的增长。公司2023年已成功量产PCIe5.0/CXL 2.0Retimer芯片，并积极开展客户导入、验证测试及相关市场拓展工作。目前，PCIe5.0Retimer芯片已经成功导入部分境内外主流云计算/互联网厂商的AI服务器采购项目，并已开始规模出货，1Q24出货量约15万颗，超过该产品2023年出货量的1.5倍。 图8：公司PCIeRetimer芯片 MRCD/MDB：为了满足AI对更高带宽、更高容量内存模组的需求，JEDEC组织制定了服务器MRDIMM（Multi