半导体行业点评报告：大厂业绩远超预期，HBM供不应求

半导体 半导体 2024年03月22日 行业走势图 罗通（分析师） 刘书珣（联系人） luotong@kysec.cn liushuxun@kysec.cn 半导体 沪深300 证书编号：S0790522070002 证书编号：S0790122030106 24%12%0%-12%-24%-36%-48% 大厂业绩：FY2024Q2美光业绩远超预期，HBM3E成功导入英伟达 美光科技发布最新财报，FY2024Q2实现营收58.24亿美元（此前指引51~55亿美元 ） ， 同比+58%， 环比+23%； 毛利率20%（Non-GAAP， 此前指引11.5%~14.5%），同比+51.4pcts，环比+19.2pcts；净利润（Non-GAAP）4.76亿美元，同比+20.57亿美元，环比+15.24亿美元，表现远超预期，实现强劲复苏。指引方面，FY2024Q3公司预计实现营收64~68亿美元，中值同比+73.68%，环比+13.32%；毛利率25%~28%，中值同比+42.5pcts，环比+6.5pcts，指引持续乐观。HBM方面，美光HBM3E将供应Nvidia H200GPU，目前已实现量产，后续有望拉动公司毛利率水平，于2024年贡献数亿美元营收。目前来看，美光2024年HBM已经售罄，2025年产能也已近乎分配完毕，产品供不应求。 2023-03 2023-07 2023-11 相关研究报告 DRAM：2024年订单量持续攀升，HBM供不应求 总产能方面，据集邦咨询，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为 250K/m ，占总DRAM产能（约 1,800K/m ）约14%，原厂持续加大投入，供给位元年增长率有望高达260%。占比方面，HBM需求持续旺盛，2024年订单已基本被买家锁定，占DRAM总产值比重有望从2023年的8.4%提升至2024年的20.1%，成长迅速。分厂商来看，三星、SK海力士至2024年年底的产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130 K/m （含TSV）；SK海力士约120 K/m 。以现阶段主流产品HBM3产品来看，目前SK海力士市占率超90%，而三星将随着AMD MI300逐季放量来实现追赶。 NAND：稼动率逐步提升，Q2有望涨价15-20% 稼动率方面，据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安NAND闪存厂稼动率正持续提升，目前已达70%；与此同时，铠侠计划在3月内将NAND稼动率提升至90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。价格方面，近期部分厂商透露涨价意愿，慧荣科技表示2024Q2 NAND价格预计上涨20%，三星电子计划在2024年3-4月与主要手机、PC和服务器客户重新谈价，预计将推动NAND闪存价格上涨15%-20%。随着板块持续复苏，以及HBM和DDR5等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的： （1）存储芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等； （2）存储模组：江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等； （3）存储接口：澜起科技、聚辰股份等； （4）存储封测及HBM产业链：长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等 风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。 附表1：存储板块本周热点新闻速递类型 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2/13 附图1：指数：2024年第12周NAND指数提升1.57% 附图2：指数：2024年第12周DRAM指数下降1.05% 附表2：价格复盘：2024年第12周Wafer价格平均上涨9.2% 附表3：价格复盘：2024年第12周DDR价格平均下降2.3% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 3/13 附表4：价格复盘：2024年第12周SSD（渠道市场）价格持平 附表5：价格复盘：2024年第12周SSD（行业市场）价格持平 附表6：价格复盘：2024年第12周内存条（渠道市场）价格持平 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4/13 附表7：价格复盘：2024年第12周内存条（行业市场）价格持平 附表8：价格复盘：2024年3月内存条（服务器）价格平均上涨5.1% 附表9：价格复盘：2024年第12周eMMC价格持平 附表10：价格复盘：2024年第12周eMCP价格持平 附表11：价格复盘：2024年第12周LPDDR价格持平 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5/13 附表12：价格复盘：2024年第12周UFS价格持平 附表13：价格复盘：2024年第12周uMCP价格持平 附表14：价格预测：预计2024Q1 DRAM产品合约价上涨13%-18% 附表15：价格预测：预计2024Q1NAND FLASH产品合约价上涨15%-20% 附表16：价格预测：2024年DRAM & NAND FLASH产品合约价格全年看涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6/13 附表17：需求预测：预计2024年三大终端DRAM/NAND单机平均搭载容量将同比增加 附表18：需求预测：2024年智能手机、服务器、PC出货量预计同比增长4%/2%/8% 附图3：供给侧：2023Q4DRAM市场CR3高达96.6% 附图4：供给侧：2023Q4 NAND市场CR5高达94.1% 附表19：供给侧：海外三大原厂集体调升2024Q1-Q2稼动率 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7/13 附图5：热点赛道：三大原厂HBM3e预计于2024H2逐季放量 附表20：热点赛道：2023-2024 HBM市场竞争格局预计将由三星和SK海力士主导 附图6：热点赛道：2024年HBM产值预计占DRAM产值20.1% 附表21：热点赛道：2024年三星海力士HBM产能规划积极，美光占比提升 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8/13 附图7：整体供需：2024年DRAM位元需求有望增长 附图8：整体供需：2024年NAND位元需求有望增长 附图9：大厂表现：2023Q4行业营收高速增长，三星表现亮眼 附图10：大厂表现：2023Q4多家中国大陆厂商营收同环比增长 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9/13 附图11：大厂表现：2023Q4多数全球存储大厂季度营收环比上升 附图12：大厂表现：2023Q4全球多数存储大厂毛利率环比上升 附图13：大厂表现：2023Q4全球多数存储大厂净利率环比修复 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10/13 附图14：大厂表现： 2023M12 以来，多数中国存储台厂营收同比持续上涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 11/13