电子行业深度报告：存储行业拐点已至，国产化主线确立

存储行业周期拐点确立，国产化进程加速：伴随需求回暖、单设备存储容量提升以及备货潮，存储市场规模逐步恢复增长。存储颗粒2023Q3价格环比跌幅收敛，部分产品已出现涨价现象。DRAM目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价，且合约价后续跌幅有限，DDR4部分产品的现货价格分别于8月底及9月触底后出现反弹迹象，环比8月涨幅0%~10%，市场逐步回暖。此外，NAND Wafer相继强势拉涨，并且上游的涨价有望持续发酵。龙头大厂三星等酝酿涨价背景之下，国内存储厂商也陆续跟进。国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近，份额占比逐步提升，存储国产化主线确立。 存储厂商减产计划持续，库存拐点开始显现：海外大厂稼动率持续下降助力加速库存去化，根据TrendForce数据显示，2023年Q2三星/美光/海力士的稼动率分别下降至77%/74%/82%，海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降62%/40%，并加速布局HBM新产品。此外，2023年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比增长，绝大多数模组厂库存周转天数环比有所下降，模组厂开始备货，预期未来量价齐升；部分IC厂商库存商品环比减少，存货周转天数环比有所下降，库存去化效果良好，效益有望下半年显现。另外DRAM和NAND的全球市场规模从2023 Q2开始环比提升，DRAM 2023Q2全球市场规模环比提升20.4%，NAND 2023Q2全球市场规模环比提升7.4%。伴随下游需求逐步回暖，存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转，各厂家库存水位有望逐步正常化，行业业绩有望恢复增长态势。 消费电子、AI服务器、车载等多领域助力存储行业回暖：消费电子行业需求回暖、AI浪潮袭来与汽车市场景气度上升将推动存储行业回暖。 2023Q2笔电市场需求连续六个季度以来首次恢复成长，智能手机出货量同比降幅收窄，TWS耳机Q2实现环比增长，可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升。2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元，预计2026年能达到492亿美元，23-26年CAGR为86.4%；根据Yole数据，2027年车载存储市场规模达到125亿美元，2021-2027年CAGR为20%。消费电子、AR/VR新品、AI服务器和车载等领域的增量拉动了NAND和DRAM存储器的需求回暖。 投资建议：存储行业拐点确立，国产化势在必行。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等观测，我们认为当前存储行业拐点已至，并且在部分DRAM价格上涨、NAND Flash wafer合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下，我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动，基于产业配套及国产化替代等逻辑，我们认为存储产业投资重点看三条主线：1）龙头厂商：兆易创新、北京君正、江波龙等。2）国产化主线：万润科技、东芯股份、德明利、恒烁股份、普冉股份、佰维存储、聚辰股份、澜起科技等。3）建议关注国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商。 风险提示：下游复苏不及预期风险；存储价格反弹不及预期风险；宏观经济形势变化风险；龙头厂商减产不及预期风险 1.周期判断：存储国产化进程加速，行业周期拐点已至 新兴产业飞速发展，存储芯片需求广阔。在5G、云计算以及AI等新兴产业快速发展背景下，存储芯片具备广阔的市场空间。根据WSTS数据，2022年全球集成电路市场总规模约为4799.9亿美元，其中存储芯片市场规模约为1344.1亿美元，占比近28%，仅次于逻辑芯片。存储芯片可分为非易失性和易失性两类，其中非易失性包括NAND FLASH和NOR FLASH，易失性主要包括DRAM，根据CINNO数据，2022年存储市场规模细分结构中DRAM/NAND/NOR的市场规模分别为743.3/565.9/35.0亿美元，占比分别为55.3%/42.1%/2.6%，据Yole测算，2027年，DRAM/NAND/NOR的市场规模将达到1580/960/49亿美元。 图1：2022年全球集成电路市场规模细分结构占比 图2：2022年全球存储市场规模细分结构占比 海外厂商高度垄断，国产厂商份额逐步提升。全球存储芯片市场被海外企业垄断，DRAM领域，三星、美光、SK海力士垄断了近95%的市场份额，行业集中度高，寡头明显；NAND领域，竞争格局相对DRAM较为分散，2023年上半年NAND领域CR5为96%，头部企业为三星、凯侠、SK海力士、西部数据、美光；NOR领域，中国台湾企业旺宏电子、华邦及大陆企业兆易创新，近五年来市占率位于全球前三，2022年三家公司合计市占率达到90.7%，NOR领域海外企业垄断程度最低。国内存储厂商为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展迅速，逐步向海外主流水平靠近。据IDC数据，长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从2020年的0.3%与1.0%上升至2022年的1.8%与3.5%。 图3：三大细分市场市占率情况 全球存储行业市场规模出现环比提升，存储市场回暖拐点确立。DRAM和NAND的市场规模从2023 Q2开始环比提升，一改连续四季度持续减少的趋势，其中DRAM 2023Q2全球市场规模环比提升20.4%，NAND 2023Q2全球市场规模环比提升7.4%，存储市场回暖拐点确立。 图4：全球DRAM季度市场规模（百万美元） 图5：全球NAND季度市场规模（百万美元） 存储行业现处于周期底部，有望恢复增长态势。以DRAM:DDR3/4GB/256Mx16价格周期为例，存储周期大致4年，本轮周期起始于20Q1，21Q3存储器价格见顶，至今降价7个季度。过去一次存储价格的周期底部位于2019年中旬，下行周期内跌幅超66%，随后产品价格触底反弹。目前产品的价格维度已经到达拐点，今年Q4至24年上半年，价格有望止跌上行。 图6：DRAM:DDR3/4GB/256Mx16价格周期 供应商削价抢占出货，存储市场或迎谷底有望复苏。2023Q2，受惠于AI服务器需求攀升，带动HBM出货成长，加上客户端DDR5的备货潮，使得三大原厂出货量均有成长。2023Q2 DRAM产业营收增至114.3亿美元，环比增幅20.4%，终结连续三个季度的跌势。全球智能手机、PC及平板市场的国内品牌占比逐年提升，以及新电子产品发布和订单量高峰期常为下半年，对DRAM（主要是DDR、LPDDR）的出货有拉动作用。 此外，根据TrendForce数据，预估2024年存储颗粒需求同比增长13%及16%，伴随单一设备存储容量提升，存储市场规模有望逐步恢复增长。 2.市场追踪：23Q3环比跌幅有望缩小，部分现货价格触底反弹 2.1.当前时点：部分现货价格已触底反弹 DRAM价格触底，环比跌幅缓慢收敛，跌价过多的低价颗粒涨势明显。DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps/ DDR4 16Gb(2Gx8)eTT Mbps/ DDR4 8Gb(1Gx8)2666 Mbps/ DDR4 8Gb(1Gx8)eTT/DDR4 8Gb(512Mx16)2666 Mbps现货价格分别于9月8日、9月7日、8月25日、8月31日、8月24日触底，达到2.72/2.20/1.45/1.02/1.46美元，此后出现反弹迹象，截止9月22日上述产品现货价格达到2.79/2.24/1.50/1.14/1.55美元，环比8月22日分别为-2.1%/0.0%/2.74%/10.7%/5.4%，部分环比已出现上涨。截止7月31日，主流产品DDR4 16Gb (2Gx8)/DDR4 8Gb (1Gx8)持续跌价，DDR4 4GB 256Mx16/DDR3 4GB 256Mx16合约价格创历史新低1.02/1.02美元，但是环比6月31日跌幅收敛至3%/3%。 图7：典型DRAM产品现货价格（美元） 图8：典型DRAM产品合约价格（美元） NAND合约价格、部分现货价格趋于平稳。自5月31日，256Gb TLC价格涨至2.10美元，截止9月1日价格稳定在此不变，9月22日，32Gb 4GBx8 MLC现货价格2.06美元，环比8月22日与之持平，价格在此期间稳定保持，64Gb 8GBx8 MLC现货价格自5月18日起价格稳定在3.85美元，8月4日起小幅上升，于9月8日升至3.87美元并保持，2Gb 256MBx8 SLC价格波动在0.80美元左右，截止9月22日现货价格为0.77美元，1Gb 128MBx8 SLC价格持续下降，到9月18日达到0.76美元，此后开始小幅波动回升，截止9月22日现货价格为0.80美元，环比8月22日跌幅为-2.4%。截至7月31日128Gb 16Gx8 MLC/32Gb 4Gx8 MLC/64Gb 8Gx8 MLC合约价格为3.82/2.43/2.76美元，已连续四个月保持不变。 图9：典型NAND产品现货价格（美元） 图10：典型NAND产品合约价格（美元） Wafer涨势明确，上游涨价意愿明确。此外，Flash Wafer 1Tb TLC/Flash Wafer 512Gb TLC自7月21日开始上涨，截止9月22日价格达到3.45/1.72美元，环比增幅15.8%/16.2%，Flash Wafer 256Gb TLC/Flash Wafer 128Gb TLC价格自3月27日分别维持在1.00/1.12美元。 图11：典型FlashWafer产品现货价（美元） 2.2.未来趋势：底部已现，涨价趋势确立 2023Q4价格环比跌幅有望收敛，涨价趋势确立，迎来周期底部。 1）DRAM：美光与海力士等DRAM供应商陆续启动减产，整体DRAM供给位元逐季减少，加上季节性需求支撑，减轻供应商库存压力，根据TrendForce数据，预计DRAM均价跌幅由2023Q210-15%收敛至2023Q3 0-5%。目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价，但由于全年库存仍处高位，2023H2需求复苏情况仍不明确，全面性上涨尚未到来。基于原厂减产，让价意愿减低，合约价后续跌幅有限。此外，根据TrendForce表示，预计第四季度DDR5会上涨，涨幅最高可达10%。 2）NAND：自2023年8月下旬起，部分NAND Flash价格出现两位数上涨。在NAND Flash市场逐步回暖，龙头大厂三星酝酿涨价背景之下，国内存储厂商也陆续跟进，但NAND Flash市场持续处于供给过剩状态。即便下半年有季节性旺季需求支撑，但目前买方仍持保守的备货态度。此外，重亏之下原厂趋于保利润，坚定通过减产调节库存和控制供应，NANDWafer相继强势拉涨，并且上游的涨价有望持续发酵。根据Trendforce数据，第二季度NAND Flash市场需求仍低迷，ASP续跌10~15%；随着三星加大减产幅度，预估第三季NAND Flash全产品均价跌幅收敛至5~10%，位元出货则随旺季备货动能上升。 表1：NAND和DRAM的市场需求情况 3.产业玩家：海外大厂持续减产，库存优化环比逐季改善 3.1.海外大厂积极减产，加速布局HBM新产品 稼动率持续下降，底部筑底信号显著，23H2有望逐步回暖。供给端的存储原厂稼动率与资本开支缩减明显，资本开支的缩减将主要于23年下半年开始见效，供给端的收缩有望带来行业回温。根据TrendForce数据显示，2023年Q2三星/美光/海力士的稼动率分别降至77%/74%/82%，海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降62%/40%，美光于23Q2业绩会上表示，其减产将延续至2024年。在以往的每个周期中，三星都会进行逆周期生产的行动以占据更多市场份额，但今年Q2三星大幅减产，三星半导体工厂开工率只有40%，利润也降至6000亿韩元，同比下降近96%，创14年来新低，行业触底和失去中国市场是三星被迫减产的重要原因。与此同时，中国在加快自产自研