半导体深度报告：存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来

半导体 行业研究/深度报告 存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来 行业指数与沪深300走势比较 24% - - 半导体沪深300 分析师：陈耀波 执业证书号：S0010523060001电话：13560087214 邮箱：chenyaobo@hazq.com 主要观点： 报告日期：2023-09-16 行业评级：增持 存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置 13% 3% -8%9/22 19% 12/22 3/236/23 29% 由于库存水位升高，许多厂商通过产品降价刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，CY23Q1毛利率为-32.66%，近年来首次为负值，CY23Q2毛利率为-17.8%，环比上升14.86pct。根据三星披露的二季度财报，其DS部门第二季度营业亏损4.36万亿韩元，一季度亏损 4.58万亿韩元，多家机构预计三星DS部门全年营业亏损将超过10万亿韩元。 龙头厂商减产与削减投资，供给端实现边际改善，有望夯实周期底部 由于2022年下游市场需求疲软，美光与SK海力士计划削减2023年资本支出40%~50%不等，并对存储芯片进行减产。2023年6月，美光宣布将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%；SK海力士于2023年7月宣布扩大减产NANDFlash；三星已在2023年4月 宣布对存储芯片减产，并在7月宣布决定延长减产计划。 手机市场逐步复苏，AI服务器带来全新价值增量 2023年，随着手机库存去化逐渐成效，并受益于下一代iPhone容量规格提高，TrendForce预测2023年手机DRAM平均用量同比增长6.7%，优于2022年的3.9%，同时2023年智能手机NAND搭载容量年成长仍能维持22.1%的高水位。据TrendForce数据，AI服务器平均容量可达1.2~1.7TB，预估2023年AI服务器出货量近120万台，年增率近38%。AI服务器除原有DRAM外还会用到HBM，因此带来全新价值增量。 DRAM价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3涨价 受益于DRAM厂商的减产以及季节性需求支撑，存储厂商库存压力得到减轻，TrendForce预估第三季度DRAM均价跌幅将收敛至0~5%。从价格走势来看，DRAM现货价格走势与存储厂商股价呈现一定关联性，两者走势相似。当现货价格跌幅开始收窄时，股价便开始筑底反弹。此外，DRAM/NAND厂商的价格走势与NOR厂商方向一致，但幅度会有所差异。根据TrendForce数据，7月DRAM平均固定交易价格环比下跌1.47%，降幅较6月份的下跌2.86%进一步收窄，并且在现货市场，有部分DRAM产品已经止跌，连续两个月持平。因此，随着DRAM现货价格跌幅收窄，预计存储板块也将逐步复苏，迎来投资机会。 建议关注 兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份等。 风险提示 下游复苏不及预期风险、存储价格反弹不及预期风险、龙头减产不及预期风险。 正文目录 1.存储芯片市场空间广阔，发展前景良好4 2存储已处于周期底部，有望迎来拐点5 2.1供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善5 2.2需求端：手机单机容量提升，AI服务器带来全新增量6 2.3价格端：DRAM价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3实现涨价9 3国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔10 3.1存储行业国产替代空间广阔10 3.2国内部分领先存储厂商介绍12 风险提示：20 图表目录 图表1全球半导体细分行业市场规模占比4 图表2全球半导体与存储芯片市场增速变化4 图表3DRAM/NAND/NOR市场规模与发展趋势5 图表4三星/SK海力士/美光占据存储主要市场6 图表5存储厂商毛利率走势与存储周期同步6 图表6龙头厂商减产与削减投资计划6 图表7DRAM下游应用领域占比7 图表8NAND下游应用领域占比7 图表9全球智能手机单季度出货量7 图表10全球智能手机DRAM平均单机容量7 图表11全球半导体与存储芯片市场增速变化8 图表12HBM是AI服务器所带来的全新增量8 图表13HBM通过中介层（INTERPOSER）与GPU连接8 图表14全球HBM市场规模9 图表15TRENDFORCE预计部分存储产品将于2023Q3涨价9 图表16DRAM现货价格与厂商股价走势相似10 图表17三类存储芯片全球主要厂商11 图表18主要存储厂商产品布局情况11 图表19兆易创新产品营收结构12 图表20兆易创新营业收入及增速12 图表21兆易创新归母净利润及增速14 图表22兆易创新产品进展14 图表23北京君正产品营收结构16 图表24北京君正营业收入及增速16 图表25北京君正归母净利润及增速17 图表26北京君正产品进展17 图表27东芯股份产品营收结构19 图表28东芯股份营业收入及增速19 图表29东芯股份归母净利润及增速12 图表30东芯股份产品进展12 图表31普冉股份2022年产品营收结构14 图表32普冉股份营业收入及增速14 图表33普冉股份归母净利润及增速16 图表34普冉股份产品进展16 图表35聚辰股份产品营收结构17 图表36聚辰股份营业收入及增速17 图表37聚辰股份归母净利润及增速19 图表38聚辰股份产品进展20 1.存储芯片市场空间广阔，发展前景良好 存储行业市场空间巨大，是最大的细分半导体市场。存储芯片又叫做半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态，从而实现数据存储功能。存储器市场空间巨大，据WSTS预测，2023年全球存储芯片市场规模将达到1675亿美元，其中中国存储芯片市场规模将达6492亿元（约942亿美元）。同时，存储器也是半导体各类细分行业中最大的部分，其市场规模约占整个半导体行业的26%。 图表1全球半导体细分行业市场规模占比 资料来源：WSTS，华安证券研究所 存储芯片是半导体产业的风向标。存储芯片由于具有以下特征，常被视作半导体行业发展状况的风向标。首先，存储芯片市场规模巨大，是半导体业内最大的细分市场，占据近30%的份额。同时，存储芯片应用领域广阔，覆盖消费电子、工业、医疗、汽车、航空航天等各个领域，并且新兴应用领域的涌现也在不断刺激存储芯片的市场需求。此外，存储芯片标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性。存储芯片产品已经基本商品化，其价格受下游需求影响较为敏感，行业景气度受供需关系影响较大，呈现出较强的周期性。从市场增速来看，存储芯片与半导体走势基本一致，且周期性波动高于半导体行业整体波动。 图表2全球半导体与存储芯片市场增速变化 80%半导体市场增速存储芯片市场增速 20152016201720182019202020212022 60% 40% 20% 0% -20% -40% 资料来源：WSTS，华安证券研究所 DRAM、NAND、NOR是三大主流存储。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储器断电后会丢失数据，主要包括DRAM，非易失性存储器断电后能保留数据，主要包括NAND、NORFLASH。根据Digitimes统计，在2022年全球存储芯片市场中，DRAM、NAND、NOR分别占据了57%、40%、2%的份额。目前在DRAM产品中，DDR4仍然是市场主流，其具有良好的性价比和广泛的适配性，但在容量、功耗等方面存在劣势，未来在服务器等需求带动下，DDR5和HBM渗透率将会不断提升。在NAND产品中，TLC占据了主要市场，是使用最广泛的闪存。3D堆叠是NAND的主流工艺，堆叠的层数将会持续增加，向高密度、大容量方向不断发展。相比于DRAM和NAND，NORFlash的制程演进较为缓慢，目前主流制程在5xnm和4xnm。随着物联网、消费类电子、汽车电子的快速发展，NOR产品需求将不断增加，旺宏、华邦电子等头部厂商已投入3DNOR的研发，未来NORFlash产品将不断向中大容量迈进。 图表3DRAM/NAND/NOR市场规模与发展趋势 产品种类 2022年市场规模 发展趋势 DRAM 791亿美元 当前DDR4是市面上主流内存，而DDR5与HBM渗透率将会持续提升。同时DRAM工艺制程将不断向10nm逼近 NANDFlash 601亿美元 目前TLCNAND占据主要市场，3DNAND堆叠技术是主流工艺，未来堆叠层数将会不断提升 NORFlash 37亿美元 主流工艺制程在5xnm和4xnm，制程演进缓慢。SPI接口技术优化NORFlash效率，NOR产品将向中大容量发展 资料来源：CFM闪存市场，CINNOResearch，华安证券研究所 2存储已处于周期底部，有望迎来拐点 2.1供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善 存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置。在全球存储芯片市场中，三星电子、SK海力士、美光科技占据了主要份额。根据TrendForce数据，2022年第四季度，三者在全球DRAM市场合计占据95.8%的份额，在全球NAND市场合计占有62.2%的份额。通过对比存储芯片厂商的毛利率变化与全球存储芯片市场增速变化，可以发现主要存储厂商的毛利率与全球存储芯片周期波动基本一致，因此存储厂商的盈利能力在一定程度上可以揭示存储行业周期位置。2022年，存储芯片厂商的库存水位由于下游需求疲软而逐渐升高，许多厂商通过将存储产品降价来刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，其CY23Q1毛利率为-32.66%，是近年来首次为负值，达到历史低位，CY23Q2毛利率为-17.8%，环比上升14.86pct，同时美光表示其CY23Q1的库存达到峰值。根据三星披露的第二季度财报，其DS部门第二季度营业亏损4.36万亿韩元，而其一季度亏损4.58万亿韩元，多家机构预计三星DS部门全年营业亏损将超过10万亿韩元。主要存储厂商的盈利状况揭示，当前存储行业处于周期相对底部位置。 图表4三星/SK海力士/美光占据存储主要市场图表5存储厂商毛利率走势与存储周期同步 100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% DRAM竞争格局NAND竞争格局 其他 美光科技SK海力士三星电子 资料来源：TrendForce，华安证券研究所资料来源：Wind，WSTS，华安证券研究所 龙头厂商扩大减产与削减投资，供给端实现边际改善。2022年，由于下游市场需求疲软，美光与SK海力士纷纷计划削减2023年资本支出40%~50%不等，并对存储芯片产品进行减产。据最新消息，SK海力士于2023年7月宣布扩大减产NANDFlash，美光于6月宣布将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%。三星方面虽未宣布削减2023年资本支出，但已在2023年4月宣布对存储芯片减产，并 在7月决定延长减产计划。龙头存储厂商的削减投资与减产计划，将在供给端实现边际改善，有望为夯实存储周期底部、减缓存储价格降低提供必要条件。 图表6龙头厂商减产与削减投资计划 厂商 减少产出 降低投资 三星 2023年4月宣布对存储芯片减产，7月宣布决定延长减产计划，调整包括NANDFlash在内的特定产品产出 降低生产设备投资，调整产能利用率，二季度资本支出中90%以上用于芯片，将专注高附加值/高密度产品 SK海力士 为加速NANDFlash库存去化，于7月宣布扩大减产NANDFlash，此前已对部分收益性较低的产品进行减产 2023年全公司投资规模同比减少50%以上，对高容量DDR5、HBM3DRAM持续投资 美光 2023年6月宣布近期将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%，预计减产将持续到2024年 2023年资本支出进一步削减，预期投资约70亿美元，较去年缩减超40%，晶圆厂设备资本支出削减超50%，2024年预估将进一步缩减 资料来源：各公司公告，华安证券研究所 2.2需求端：手机单机容量提