电子行业周报：海力士、三星披露财报，存储市场柳暗花明

根据研报正文，以下是该周报的总结：

• 本周，存储行业龙头SK海力士和三星分别披露了23年Q2财报。其中，SK海力士Q2营收环比增长43.59%，超预期，毛利率为-16.12%，环比提升16.21pct；三星Q2存储业务营收8.97兆韩元，环比增长1%。展望Q3，随着减产力度加大，行业库存调整，需求逐步复苏，存储出货量有望上升。
• 需求方面，PC、手机市场需求渐进回暖，AI服务器带动HBM旺盛需求。服务器方面，SK海力士预计，2023年128GB及以上大容量DDR5服务器模组及HBM产品销售额预计同比增长两倍以上，并于2024年持续增长；三星预计，受益于服务器存储库存不断消耗，DDR4和DDR5的订单有望在下半年有所改善。PC和智能手机方面，虽然智能手机复苏依旧乏力，但环比来看，下半年新机发售，旗舰产品对LPDDR5需求增加，有望推动下半年产品售价有所改善。
• 供给方面，海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。资本开支方面，SK海力士资本开支于FY22Q3开始持续下降，23年资本开支同比将下降50%以上，三星也表示将在23年下半年继续削减产能。由于NAND价格反弹将晚于DRAM，两家厂商对NAND减产力度更大。库存方面，SK海力士23Q2库存环比减少4.44%；三星表示DRAM和NAND的库存已于5月份达到峰值，目前处于迅速下降状态。
• 新品方面，海外大厂加速高端产品研发，HBM、DDR5群雄逐鹿。HBM方面，SK海力士24GB HBM3E产品已经送样，且预计2026年HBM4将应用于市场，三星的8层16Gb和12层24Gb HBM3产品已经开始向主要的AI SoC等公司出货，并计划于23年下半年推出HBM3E。美光也于7月26日发布了业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，该产品采用S1b DRAM工艺节点，性能提高50

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