电子行业周报：海力士、三星披露财报，存储市场柳暗花明

Q2业绩优于预期，预计23Q3情况向好。存储龙头SK海力士和三星均分别于7月26日和7月27日披露了23年Q2财报。其中SK海力士Q2营收环比增长43.59%，超预期，毛利率为-16.12%，环比提升16.21pct；三星Q2存储业务营收8.97兆韩元，环比增长1%。环比好转，得益于AI服务器上量，HBM等为代表的高密度/高性能产品需求强劲。 展望Q3，随着减产力度加大，行业库存调整，需求逐步复苏，存储出货量有望上升。SK海力士预计DRAM产品出货量环比增长约10-15%，NAND产品出货量持平Q2。三星同样预计DRAM出货量环比增长10%以上，但NAND出货量环比增长中高个位数，超出市场水平。 需求：PC、手机市场需求渐进回暖，AI服务器带动HBM旺盛需求。服务器方面，SK海力士预计，2023年128GB及以上大容量DDR5服务器模组及HBM产品销售额预计同比增长两倍以上，并于2024年持续增长；三星预计，受益于服务器存储库存不断消耗，DDR4和DDR5的订单有望在下半年有所改善。PC和智能手机方面，虽然智能手机复苏依旧乏力，但环比来看，下半年新机发售，旗舰产品对LPDDR5需求增加，有望推动下半年产品售价有所改善。 供给：海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。资本开支方面，SK海力士资本开支于FY22Q3开始持续下降，23年资本开支同比将下降50%以上，三星也表示将在23年下半年继续削减产能。由于NAND价格反弹将晚于DRAM，两家厂商对NAND减产力度更大。库存方面，SK海力士23Q2库存环比减少4.44%；三星表示DRAM和NAND的库存已于5月份达到峰值，目前处于迅速下降状态。 新品：海外大厂加速高端产品研发，HBM、DDR5群雄逐鹿。HBM方面，SK海力士24GB HBM3E产品已经送样，且预计2026年HBM4将应用于市场，三星的8层16Gb和12层24Gb HBM3产品已经开始向主要的AI SoC等公司出货，并计划于23年下半年推出HBM3E。美光也于7月26日发布了业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，该产品采用S1b DRAM工艺节点，性能提高50%。DDR5方面，SK海力士基于1b nm制程的服务器DDR5产品正在验证中，相比上一代产品功耗降低20%以上；三星计划今年内推出32Gb DDR5产品，美光也计划于2024年量产采用1b工艺的32Gb DDR5产品。 投资建议：存储周期拐点共识已逐渐形成，且AI带动HBM、DDR5需求，将加速板块上行。模组厂方面，建议关注德明利、江波龙、朗科科技等。设备材料+封测方面，建议关注雅克科技、深科技、精智达等。芯片方面，建议关注兆易创新、东芯股份、北京君正、普冉股份、恒烁股份等。 风险提示：下游市场复苏不及预期；存储原厂减产不及预期 重点公司盈利预测、估值与评级 1海力士、三星披露Q2财报，存储市场柳暗花明 1.1Q2业绩优于预期，预计23Q3情况继续向好 存储龙头SK海力士和三星均分别于7月26日和7月27日披露了23年Q2财报。 其中SK海力士于23Q2实现营收7.31兆韩元，同比下降47.10%，但得益于AI服务器强劲需求叠加手机及PC客户库存消化后备货意愿上升，公司营收环比明显改善，环比增长43.59%，超预期；毛利率为-16.12%，环比提升16.21pct，也是得益于AI强劲需求下HBM产品供应紧张，且公司推行减产有效减缓其他产品价格下滑速度。 图1：SK海力士营收和净利润（兆韩元） 图2：SK海力士毛利率变化（%） 按产品结构来看，SK海力士DRAM营收4.53兆韩元（占总营收62%），同比下降48.42%,环比增长55.20%，受益于AI服务器对内存的强劲需求以及手机及PC客户上调库存需求，DRAM产品bit出货量环比增长35%左右，平均销售价格上涨约5-9%；NAND营收2.19兆韩元（占总营收30%），同比下降51.49%，环比增长29.84%，由于所有应用领域销售均扩大，且一季度出货量低基数效应，NAND产品bit出货量环比上升50%左右，但平均销售价格下降约10%。 图3：SK海力士各业务营收（兆韩元） 三星方面，其存储业务部门实现营收8.97兆韩元，同比下降57%，但环比增长1%。三星表示，由于库存调整，普通服务器市场需求依旧疲软，但受益于几大巨头加大对AI服务器投资，以HBM等为代表的高密度/高性能产品需求强劲。 DRAM方面，得益于HBM及大容量DDR5需求，出货量环比增长10%左右，超过前期指引，但ASP下降中高个位数；NAND方面，通过加大对先进工艺节点投入，成本竞争力不断增强，价格下降趋势显著缓解，公司出货量环比增长中个位数百分比水平，ASP下降中高个位数。其中为针对旗舰级公司推出的UFS 4.0具有明显竞争力。 图4：三星存储业务营收（兆韩元） 展望Q3，随着减产力度加大，行业库存调整，需求逐步复苏，存储出货量有望上升。SK海力士预计DRAM产品出货量环比增长约10-15%，NAND产品出货量持平Q2，AI服务器对HBM及大容量DDR模组需求仍将持续上升，手机客户对大容量存储芯片需求将逐渐好转。三星同样预计DRAM出货量环比增长10%以上，但NAND出货量环比增长中高个位数，超出市场水平，且公司将优化产品结构，增加高附加值产品（如DDR5、LPDDR5X和HBM）的比例以增强竞争力。 1.2需求：PC、手机市场需求渐进回暖，AI服务器带动HBM旺盛需求 AI服务器拉动HBM需求，下半年服务器用存储需求有望回升。SK海力士预计，2023年128GB及以上大容量DDR5服务器模组及HBM产品销售额预计同比增长两倍以上，并于2024年持续增长。中长期看，AI服务器市场需求年复合增长率将在30%左右，而整体服务器市场需求年复合增长率将为高个位数百分比。 三星也认为，受益于AI应用迅速扩展，三星的DRAM出货量超预期，HBM和DDR5需求量增长成为三星存储业务的重要增长点。且三星预计受益于服务器市场中存储的库存不断消耗，DDR4和DDR5的订单有望在下半年有所改善，市场有望回暖。 PC端和智能手机端需求仍疲软，但旗舰机市场板块有望拉动LPDDR5需求。 SK海力士认为，商用和游戏PC市场将推动下半年存储产品需求，渠道库存量下降，产品出货量将环比增长。智能手机复苏依旧乏力，但环比来看，下半年新机发售，旗舰产品对LPDDR5需求增加，有望推动下半年产品售价有所改善。三星也认为下半年将推出的新智能手机和PC促销活动有望助力手机和PC市场景气度恢复，智能手机（尤其高端旗舰级市场）在下半年会恢复同比增长。平板电脑端三星预计市场将持平，但细分来看，高端市场和大屏幕产品市场需求量有望增加。 总结来看，通用服务器整体表现平淡，但AI服务器成为服务器板块核心支撑，促进HBM和DDR5出货量强劲增长。而PC和手机端，新机型和旗舰级发布以及促销活动，将有望带动下半年出货量增长。 1.3供给：海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现 SK海力士于23Q2业绩说明会表示将继续推进减产计划，在有效保证HBM和高性能DDR5产能的前提下，调整产能结构。具体来说， 从资本开支来看，SK海力士资本开支于FY22Q3开始持续下降，公司于Q2业绩说明会表示，目前需求依旧较弱，无法使库存回归正常水平，因此23年资本开支同比将下降50%以上，其中由于NAND行业库存较高且利润率低于DRAM，NAND将进行更大幅度减产。同时公司表示将利用有限的资本开支预算，优先满足目前需求强劲的大容量DDR5和HBM产品。 从库存来看，SK海力士23Q2仍有库存16.42兆韩元，同比增长38.23%，环比减少4.44%，库存水平达历史高点后小幅下降，但仍处于历史高位。 23Q2公司计提约5000亿韩元库存减值损失，小于23Q1计提的近10000亿韩元库存减值损失，表明一方面存储市场价格下跌减缓，另一方面海力士可能通过对落后产能更大力度减产等方式积极调整库存结构。 三星也于Q2业绩说明会表示，公司将在23年下半年继续削减产能。此外，为了加速存储产品的库存正常化，公司正选择性的对某些DRAM和NAND产品进行额外的生产调整，同时，由于公司预计NAND市场价格的反弹时间将晚于DRAM市场，公司将对NAND产品减产幅度更大。库存方面，虽然由于下游需求疲软，但DRAM和NAND的库存已于5月份达到峰值，目前处于迅速下降的状态，下半年预计在市场需求逐步回暖下，存储行业即将迎来拐点。 海外存储龙头行动一致，存储市场曙光将现。此前美光也发布FY23Q3财报显示，美光FY23Q3资本开支15.61亿美元，从FY22Q4开始持续下降，为五年来新低，与SK海力士连续四个季度下调资本开支举措一致。库存方面，SK海力士与美光均已达拐点，在强有力的一致减产行动影响下，叠加海力士此次业绩说明会表示移动设备和PC客户重提库存增加需求，存储产品价格有望快速企稳回升，存储市场曙光将现。 图5：SK海力士库存及资本开支情况（兆韩元） 图6：美光库存及资本开支情况（亿美元，按美光财年计） 1.4新品：海外大厂加速高端产品研发，HBM、DDR5群雄逐鹿 海外龙头加速推进HBM及DDR5研发进程。海力士于7月26日业绩说明会更新其HBM及DDR5产品研发推进情况， HBM产品方面，SK海力士24GB HBM3E产品已经送样，新一代HBM产品使用TSV技术堆叠12层芯片，且预计2026年HBM4将应用于市场，公司亦提前布局研发，巩固在HBM产品上的壁垒。 DDR5产品方面，SK海力士基于1b nm制程的服务器DDR5产品正在验证中。该制程基于HKMG技术，与1a nm制程相比，1b nm制程功耗降低20%以上。2024上半年，SK海力士将把1b nm制程技术扩大应用至LPDDR5T和HBM3E。 图7：SK海力士HBM3产品 三星亦于业绩说明会中公布相关技术开发进展： 三星于近期开发新型NCF工艺材料（NCF技术是芯片间使用薄膜来堆叠芯片的方法），其可在12堆栈的HBM3产品中有效减少芯片空隙和改善热特性，提高HBM在高速运行时的散热性能，使产品更具竞争力。 在HBM3产品方面，三星的8层16Gb和12层24Gb HBM3产品已经开始向主要的AI SoC等公司出货。此外，公司计划于23年下半年推出HBM3的下一代产品——HBM3E，以满足不断增长的人工智能市场存储需求。 在DDR5产品方面，三星计划在今年内推出32GbDDR5产品，满足数据中心人工智能所需的单通道内高密度大模块的需求。 在GDDR产品方面，三星近期开发了GDDR7（最高速度32Gbps）产品，其与上一代GDDR6相比，带宽提高为1.4倍，电源性能提高20%。 公司的GDDR7产品不仅可以用于PC和游戏领域，还能在高性能计算和AI中有广泛应用。 图8：三星部分DRAM新品 图9：三星DRAM产品路线图 此外，美光也于7月26日发布了业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片（HBM3的下一代产品），该产品采用1bDRAM工艺节点，其带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解决方案性能提高50%。目前该款美光内存芯片正在向客户提供样品。 同时，美光计划于2024年量产采用1b工艺的32Gb DDR5颗粒，单条内存容量将可达到128GB。美光预计后续也将陆续推出192GB和256GB DDR5内存。 图10：美光存储产品路线图 2投资建议 我们认为存储作为半导体中具大宗商品属性的强周期品种，目前周期拐点共识已逐渐形成。且AI带动HBM、DDR5需求，将加速板块上行。具体到投资逻辑来看， 模组：底部各家厂商均在屯低价芯片颗粒，后续价格上行后业绩弹性大。建议关注德明利、江波龙、朗科科技等。 设备材料+封测：业绩主要跟随量增，更为稳健，且其中不乏HBM产业链受益环节。建议关注雅克科技、深科技、精智达等。 芯片：国内