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根据提供的研报内容,总结如下:
存储板块追踪十四
DRAM板块概览
- DRAM细分市场:DRAM经历了多次迭代,目前DDR4是最主流的产品。按照与CPU的时钟频率不同,DRAM可分为同步DRAM(SDRAM)和异步DRAM。SDRAM已迭代至第六代。
- 中国大陆聚焦:大陆在利基DRAM领域发力,重点关注。兆易创新在2021年量产19nm 4Gb DDR4,并推出17nm 2Gb/4Gb DDR3。北京君正(ISSI)在大陆利基DRAM领域具有最全面的料号和最大的营收。
- 9月市场表现:主流DRAM合约价在9月全线止跌,DDR2合约价连续三个月止跌,DDR4和DDR5环比止跌,DDR3 2Gb首次上涨2%。利基DRAM方面,9月DDR3 2Gb芯片首次上涨2%,止跌。
NAND价格追踪
- 市场格局:NAND市场正由2D向3D转移,3DNAND渗透率大幅增长,预计2025年将达到97.5%。TLC和QLC成为市场主流。
- 中国大陆参与:长江存储等大陆企业专注于主流NAND产品的开发。
- 9月合约价:主流NAND合约价连续四个月稳定,利基NAND方面,SLC 1Gb合约价首次上涨,其他产品持续止跌。
- Wafer现货价:NAND Wafer现货价在9月上涨15%。
要闻与公告
- 三星与SK海力士:三星和SK海力士在中国的晶圆厂获得了无限期豁免。
投资建议与风险提示
- 存储市场:存储行业具有强周期性,价格变动反映市场景气度变化。投资者应关注价格波动、供需关系以及技术进步等因素。
跟踪逻辑
- 存储大市场:存储市场庞大,包含DRAM和NAND等各类存储器,其中DRAM和NAND的价格波动对整个行业影响显著。
- 周期性与景气度:存储价格的波动反映了行业供需状况和市场情绪,是判断市场景气度的重要指标。
- 技术创新:随着技术进步,尤其是3DNAND的发展,将对存储行业的结构产生重大影响。
- 地区动态:中国的存储产业正在崛起,特别是在利基DRAM和SLC NAND等领域,这将改变全球存储市场的竞争格局。
以上是对研报内容的总结和归纳,涵盖了DRAM和NAND市场的关键动态、主要参与者、市场表现以及未来趋势分析。