电子行业2023年中期策略报告：聚焦自主可控及创新

证券研究报告 聚焦自主可控及创新 ——电子行业2023年中期策略报告 行业评级 电子强于大市（维持） 2023年06月15日 证券分析师 徐勇投资咨询资格编号：S1060519090004 邮箱：xuyong318@pingan.com.cn 请务必阅读正文后免责条款 展望2023年下半年，一方面，半导体行业作为信息技术产业的基石，对于国家安全和经济发展具有举足轻重的意义，国产替代将成为我国半导体市场长期的主旋律；另一方面，智能手机进入存量博弈阶段，折叠屏产品及VR/AR/MR等产品正在兴起，有望给产业链带来新的发展机遇。因此，维持电子行业“强于大市”的评级。 制造强国&自主可控背景下，关注设备和材料替代机会：1）政策扶植力度加码：中美贸易摩擦后供应链安全逐步被重视，同时在国家政策和资金扶持引导下，国内企业自主创新能力会进一步提升。另外，制造强国也是国家建设需要，半导体制造值得期待；2）国产核心芯片自给率不足10%，制造环节是重要短板：国内半导体需求供给严重不平衡，高度依赖进口，国产核心芯片自给率不足10%。相比国内半导体销售28%的份额占比，生产制造环节（晶圆代工市场份额占比不到10%）是制约国内集成电路产业发展的最大短板。3）国产设备、材料等验证及导入全面提速：长期来看半导体等核心技术的国产化需求凸显，国内产业链企业有意提升国产化率，给国内半导体企业更多机会，建议 关注国产化设备及材料导入带来的机会。 新品频发，显示升级：1）新品频发：a）折叠屏手机频发：目前除苹果外其他品牌已完成折叠屏手机的布局，预计2025年全球折叠屏手机出货量达到5000万台，关注产业链机会；b）苹果MR有望带动虚拟显示产品迈入新高度：随着技术的不断发展，VR/AR/MR产品的用户体验将持续进阶，产品将逐步走向成熟，苹果MR有望带动产业链崛起。2）显示领域：a）MiniLED导入市场：相比传统LCD屏幕，MiniLED具备高对比度、高亮度以及超薄等诸多明显优势；b）苹果带动下有望逐步起量：iPadPro及Mac搭载MiniLED背光，MiniLED在电视/平板/笔电 /车载市场将成为塑造高阶产品的标竿，国内厂商有望快速跟进迎来布局良机。 风险提示：1）5G进度不及预期；2）宏观经济波动风险；3）产品技术更新风险；4）美国制裁升级风险。 芯片国产化 华为等高科技企业被美国制裁；国产设备、材料等验证及导入全面提速 销售占比28%，晶圆代工占比10% 税收、资金、人才全方位支持；国家大基金一、二期扶持 背景 政策 供需不平衡 安全 手机等 折叠屏手机 各大厂商纷纷入局，新品频发 铰链是折叠屏手机的核心零部件 创新 AR/VR/MR等 苹果MR产品发布，行业渗透率提升 IOT智能化 显示 区域控制，对比度/亮度提升 苹果、三星等积极导入MiniLED 资本开支 国内厂商积极扩产，设备及材料受益 应用场景逐步增加，硬件是重要载体 CONTENT 目录 一、市场回顾：电子行业年初至今跑赢沪深300指数10.99个百分点 二、芯片：产业链自主可控，关注设备和材料国产化 三、新品：折叠屏手机频发，虚拟显示产品逐步兴起 四、显示：MiniLED导入市场，背光和直显并进 五、投资建议：国产化及产品创新并举 资料来源：Wind，平安证券研究所（备注：更新至2023年6月14日） 5 2023年A股电子指数整体呈现震荡上行趋势，截至6月14日申万电子指数上涨10.79%，同期上证综指上涨4.52%，沪深300指数下跌 0.20%，申万电子跑赢沪深300指数10.99pct，在申万板块一级中排名第四。 电子行业跑赢沪深300指数10.99个百分点SW电子年初至今涨幅排名第四 截止到6月14日，申万电子板块PE（TTM）为45倍，处于过去5年中50%左右的分位（最高值为65，最低值为20），主要是人 工智能及自主可控背景之下，TMT板块等更受到市场关注。 子板块均呈现不同程度的上涨：年初至今消费电子、元件、电子化学品、光学光电子、其他电子、半导体涨幅分别为 16.34%、14.98%、13.43%、13.89%、5.01%、4.27%。 申万电子板块PE（TTM）为45倍SW电子各子板块涨跌幅 资料来源：Wind，平安证券研究所 6 备注：沪深300在右轴，其余在左轴 下游需求疲软，营收增速回落：随着手机、电视等下游终端需求疲软，电子行业营收增速回落。2023第一季度电子行业营收达到6803 亿元，同比下降7.28%。分子领域来看，消费电子、半导体、显示器件、被动元器件、PCB、安防和LED在2023第一季度营收分别为3073亿元、1193亿元、1224亿元、111亿元、358亿元、222亿元和479亿元，同比增速分别为-0.45%、-28.52%、-17.14%、-6.54%、- 11.54%、-0.68%和-11.55%。 申万电子季度营收及增速 申万电子各子领域营收占比 申万电子各子领域营收增速 利润端承压：2023第一季度电子行业利润达到202亿元，同比下降55.01%。分子领域来看，消费电子、半导体、显示器件、被动元器 件、PCB、安防和LED在2023第一季度利润分别为84亿元、65亿元、-21亿元、21亿元、20亿元、23亿元和8亿元，总比增速分别为-26.59%、-58.92%、-147.13%、-23.22%、-56.04%、-12.62%和-82.67%。 展望2023年下半年，预计手机和电视弱复苏，半导体触底：手机渠道库存回落，手机需求弱复苏，VR/MR和折叠屏手机渗透率提升。半导体设备受益于国产晶圆厂扩产，厂商营收有望维持高增态势。 电子行业季度归母净利及增速电子行业季度毛利率和净利率申万电子各子领域归母净利占比 CONTENT 目录 一、市场回顾：电子行业年初至今跑赢沪深300指数10.99个百分点 二、芯片：产业链自主可控，关注设备和材料国产化 三、新品：折叠屏手机频发，虚拟显示产品逐步兴起 四、显示：MiniLED导入市场，背光和直显并进 五、投资建议：国产化及产品创新并举 23年行业周期低点，24年恢复正增长：一方面，半导体广泛渗透于信息、通信、计算机、消费电子、汽车等各个领域，半导体产品对人们的日 常生活和消费形态产生了显著的影响。长期来看，半导体行业的增速波动与全球GDP波动的相关性呈现高度一致；另外一方面，半导体产业链 分工的出现使得行业出现了以核心企业的产能波动为主导的供给周期。宏观经济表征的需求周期和主要半导体公司产能波动的供给周期两个因素共同叠加，构成半导体产业的需求、供给周期。2019-2021年受益于光伏及汽车电动化渗透率的提升，半导体景气度提升，2022-2023年手机等消费电子销售疲软拖累了半导体的表现，随着行业库存下降及行业需求恢复，预计23年是行业周期低点，24年半导体恢复正增长。 全球半导体销售额及增速全球半导体不同领域增速对比 中国是全球最大市场，占比1/3：2019Q1-2023Q1每个季度全球半导体销售额在1000-1500亿美元左右，而中国的半导体销售额在350-450亿美元 左右，全球占比在30%-35%之间。其中物联网、车联网等理念驱动下持续创新的电子产品销量的增长起到了重要的推动作用，如智能家居设备、便携式电子设备、基于车联网的车载电子设备等。另外，随着中国成为重要的智能终端销售市场，国内半导体销售额在全球的占比也在逐步提升，2014年第一季度时占比只有26%左右，到2023年Q1中国半导体销售额在全球范围内的占比达到28%。 全球半导体销售额及增速中国半导体销售额及增速 资料来源：日本产业经济省，半导体圈，平安证券研究所 12 日本加码，将23种半导体制造设备列入限制清单：5月23日日本经济产业省公布外汇法法令修正案，正式将先进芯片制造设备等23个品类纳入 出口管制，该管制将在7月23日生效。日本经济产业省发布的清单涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外（EUV） 相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。 日本6大类23种半导体限制设备清单 涉及工艺 细分种类 序号 光刻类（4类） 用于EUV曝光的护膜（Pellicle） 1 用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产设备 2 用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备（CoaterDeveloper） 3 用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下） 4 干法清洗设备、湿法清 洗设备（3类） 在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备 5 在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（DryEtch）的多反应腔(Multi-chamber)设备 6 单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥） 7 蚀刻（3类） 属于向性蚀刻(IsotropicEtching)设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的设备；属于异向性(AnisotropicEtching)刻蚀设备，且含高频脉冲输�电源，以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备 8 湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上 9 为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输�电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备 10 成膜设备（11类） 利用电镀形成钴（Co）膜的设备：利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备 11 在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备 12 在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备 13 空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）：1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体（PlasmaShield）”或相关技术手法 14 可在400度一一650度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基(Radical)产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制�口范围：（1）相对介电常数（RelativePermittivity）低于5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下 15 利用离子束（IonBeam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备 16 用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在685度以下的设备 17 可利用等离子技术，形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜（CarbonHardMask）的设备 18 可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个）的设备 19 为了不在金属线路之间（仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米）产生间隙，利用等离子形成相对介电常数（Rel