中小盘IPO专题：次新股说，本批中芯集成等值得重点跟踪（2023批次14、15、16）

本批主板注册新股3家，科创板和创业板注册20家 本批证监会注册新股3家，科创板和创业板注册20家。主板：翔腾新材、三联锻造、万丰股份。科创板：航天软件、慧智微、航天南湖、新相微、安杰思、美芯晟、中芯集成。创业板：南王科技、恒勃股份、飞沃科技、威士顿、天玛智控、航天环宇、同星科技、普莱得、经纬股份、新莱福、世纪恒通、鑫宏业、英特科技。其中中芯集成值得重点跟踪。 公司主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及封装测试业务，凭借技术水平的先进性、产品矩阵丰富以及优质客户资源，已成为国内领先的特色工艺晶圆代工企业。技术层面，MEMS领域，公司率先在4G、5G多个频段的高频滤波器芯片制造工艺和集成系统模组取得突破；IGBT领域，公司用于智能电网的超高压3300V和4500VIGBT实现国产替代，同时是目前国内少数提供车规级IGBT的晶圆代工厂之一；MOSFET领域 ，公司用于锂电保护的低压MOSFET实现国产替代；封测领域，公司车载主驱逆变器核心部件塑封功率模组产线实现新能源车相关部件的国产替代。产品层面，公司产品涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组，以及车载、工业、消费类传感器，并提供先进封测服务。客户层面，公司积极开拓国内外一流半导体领域客户，客群遍布中国、日本、美国以及欧洲。随着汽车电子、物联网等领域快速发展推升芯片需求以及行业技术升级，MEMS、功率芯片行业有望迎来更大的发展空间。同时，随着国内在轨道交通领域IGBT以及中高端MOSFET等方面已有部分替代产品，叠加我国物联网、AI、新能源车等行业对高性能、高性价比MEMS、功率器件等领域产品需求强烈，我国有望在更多细分市场实现国产替代。公司作为国内晶圆代工龙头，有望充分受益行业快速发展和国产替代。 本期科创板和创业板上会36家，主板上会21家 本期科创板和创业板上会36家，过会率为91.67%。主板上会21家，过会率100%。本期科创板与创业板平均募资约16.08亿元，主板平均募资额约6.36亿元。新股涨幅方面，主板开板新股1只，平均开板涨幅180.72%，高于上期的110.14%；科创板4家新股上市，上市首日平均涨幅72.98%，低于上期的175.39%；创业板5家新股上市，上市首日平均涨幅2.29%，低于上期的9.02%。 开源中小盘次新股重点跟踪组合 裕太微（国内以太网物理层芯片龙头，受益于车载以太网芯片的快速放量）、茂莱光学（工业级精密光学“小巨人”，受益于半导体国产替代和AR/VR、激光雷达的放量）、源杰科技（本土高速激光芯片空头，新产品逐步放量打开成长空间）、伟测科技（国内独立第三方芯片测试龙头，实施高端化战略引领国产替代）、富创精密（国内半导体设备零部件龙头，充分受益于行业国产替代）。 风险提示：宏观经济风险、新股发行制度变化。 1、深次新股指数本期上涨1.67%，表现不及大盘 本期（2023年3月27日至2023年4月14日，下同）深证次新股指数上涨1.67%，表现不及上证指数 （+2.22%）、创业板指数 （+2.43%）， 优于沪深300指数（+1.61%）。新股涨幅方面，主板开板新股1只，平均开板涨幅180.72%，高于上期的110.14%；科创板4家新股上市，上市首日平均涨幅72.98%，低于上期的175.39%；创业板5家新股上市，上市首日平均涨幅2.29%，不及上期的9.02%。 图1：深次新股指数本期上涨1.67%，表现不及大盘 表1：本期主板共开板新股1只，平均开板涨幅180.72% 表2：本期科创板共4家新股上市，上市首日平均涨幅72.98% 表3：本期创业板共5家新股上市，上市首日平均涨幅2.29% 表4：本批主板注册新股基本面一览 表5：本批科创板注册新股基本面一览 表6：本批创业板注册新股基本面一览 表7：开源中小盘次新股重点跟踪组合 2、中芯集成（A22434.SH） 2.1、国内领先的特色工艺晶圆代工企业，营收规模高速增长 公司是国内领先的特色工艺晶圆代工企业，主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及封装测试业务，产品广泛应用于智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G通信、物联网、家用电器等行业。公司目前在晶圆代工尤其是MEMS芯片代工行业已经取得领先的市场份额。根据Chip Insights发布的《2021年全球专属晶圆代工排行榜》，公司营收排名全球第十五，中国大陆第五。 而根据赛迪顾问发布的《2020年中国MEMS制造白皮书》，公司在营收能力、品牌知名度、制造能力、产品能力四个维度的综合能力方面均排名中国大陆MEMS代工厂第一。2022年公司功率器件、MEMS、模组系列、研发服务、其他业务收入分别为32.32、3.25、2.93、1.08、6.48亿元，占总收入的比重分别为70.16%、7.06%、6.36%、2.35%、14.07%。 公司2020、2021、2022年营业收入分别为7.4、20.2、46.1亿元，CAGR为149.6%，对应归母净利分别为-13.7、-12.4、-10.9亿元。受益MEMS和功率器件市场规模不断增长、自身产能逐渐释放、高质量的晶圆代工业务产品和一站式服务深受客户认可，公司近年来营收呈现快速增长态势。毛利率方面，由于从生产线投产到产能充分释放需要一定的周期，公司目前仍处于产能爬坡阶段，固定成本相对较高，因此晶圆代工及封装测试业务的毛利率仍然为负。随着公司业务规模的扩大，2021年以来，公司规模效应逐渐显现，晶圆代工业务成本整体呈现下降趋势，因此公司亏损幅度逐渐缩小。2020-2022年，公司毛利率分别为-94.0%、-16.4%、-0.2%，净利率分别为-184.8%、-69.5%、-34.6%，ROE分别为-46.2%、-25.6%、-27.5%。 图2：中芯集成营收规模高速增长 图3：中芯集成亏损幅度逐渐缩小 表8：中芯集成募集资金的主要用途 2.2、公司亮点：打造多样化、高性能的MEMS和功率器件工艺平台，为目前国内少数能够提供车规级芯片的晶圆代工企业之一 公司成功打造多样化、高性能的MEMS和功率器件工艺平台，且为目前国内少数能够提供车规级芯片的晶圆代工企业之一。为使生产工艺更好地满足客户对MEMS和功率器件产品性能的需求，公司积极打造多样化、定制化的工艺平台，涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组，以及车载、工业、消费类传感器。公司MEMS和功率器件工艺平台技术先进。具体而言，MEMS领域，公司硅基麦克风传感器技术水平进入国际第一梯队；率先在4G、5G多个频段的高频滤波器芯片制造工艺方面和集成系统模组取得突破。IGBT领域，公司建立国内领先的IGBT工艺平台，其中用于工业控制的600V到1700V高密度先进IGBT已大规模量产；用于智能电网的超高压3300V和4500VIGBT实现国产替代。MOSFET领域，公司能够生产从低压到高压的全系列MOSFET产品，建立国内领先的MOSFET工艺平台，制造的MOSFET产品具有导通电阻小、开关速度快、开关损耗低等特点。 同时，公司重点布局车载电子领域，是目前国内少数能够提供车规级芯片的晶圆代工企业之一。具体而言，MEMS领域，公司多项先进车载传感器已进入新能源汽车供应链。IGBT领域，公司是目前国内少数提供车规级IGBT芯片的晶圆代工企业之一，其中用于新能源汽车电控电动系统的750V到1200V高密度先进IGBT及先进主驱逆变器模组形成大规模量产。MOSFET领域，公司12V到200V中低压高密度MOSFET、500V到700V高压超结MOSFET已进入大功率车载应用，用于锂电保护的低压MOSFET实现国产替代。为保证车规级芯片的质量，公司成功攻克各种可靠性以及安全性的技术难题，建立从研发到大规模量产的全流程车规级质量管理体系，并通过ISO9001、ISO26262、IATF16949等一系列国际质量管理体系认证。 凭借先进的技术水平及过硬的产品质量，公司生产的车规级芯片产品成功进入新能源汽车的主驱逆变器、车载充电器、DC/DC系统、辅助系统等核心应用领域，深受下游客户认可，销售表现亮眼，其中2022Q4公司汽车领域晶圆代工业务营收占比已接近40%。 公司凭借先进封测技术实现从晶圆代工到封装测试的一站式代工服务，积极开拓国内外半导体MEMS和功率器件市场。公司封测产线按照车规级质量管理体系标准搭建，技术水平先进，其中公司车载主驱逆变器核心部件塑封功率模组产线已成功量产，由该产线制造的车载主驱逆变器产品性能卓越，已通过终端苛刻的车载品高质量考核，实现新能源汽车主驱关键部件的国产替代。凭借封测技术的先进性，公司能够提供从晶圆代工到封装测试的一站式代工服务，通过制造端与封测端生产资源的高效整合，提高运营管理效率，降低供应链成本，同时对客户端的责任划分也更为清晰。公司的一站式服务能够解决当前芯片代工制造过程中的多方面痛点，有效提升产品安全性和可靠性，大幅缩短产品从制造到封装测试所需时间，保证对客户产品的交付的准时性，显著降低客户的显性和隐性成本。同时，公司积极开发国内外一流的半导体领域客户资源，客户群体遍布中国、日本、美国以及欧洲。凭借卓越的技术研发实力、强大的生产制造能力、完善的配套服务体系以及深耕市场的实践经验，公司与全球客户共同开发技术领先的MEMS和功率器件产品，在MEMS代工领域已逐步达到国际先进水平，推动MEMS和功率器件国产替代进程。 2.3、行业大观：MEMS、功率芯片技术呈集成化、微型化、应用场景多元化等重要趋势，需求受汽车电子、物联网等领域快速发展推动 行业趋势：MEMS、功率芯片技术呈集成化、微型化、应用场景多元化等重要趋势，需求受汽车电子、物联网等领域快速发展推动。MEMS、功率芯片市场规模受技术进步及下游应用领域持续拓展推动。MEMS领域，一方面，MEMS技术水平持续进步：（1）MEMS传感器生产厂商利用系统封装等技术将IC芯片和被动元器件进行整合，进一步缩小传感器芯片的尺寸，同时在单片晶圆上所能产出的芯片数量也随芯片尺寸的减小而增多，因此MEMS传感器芯片成本得到有效降低；（2）MEMS传感器集成化程度持续提高，如在惯性传感器领域出现了融合加速度计、陀螺仪、GPS等多功能的惯性导航系统。另一方面，MEMS应用场景多元化，需求受汽车电子、物联网等领域快速发展推动。MEMS传感器目前已经广泛应用于消费电子、汽车电子等领域，未来随着车用传感器数量快速增长、物联网感知层信息获取规模持续增长、人工智能在各领域快速普及，MEMS传感器行业将迎来更广阔的市场空间。功率器件领域，集成化、第三代半导体应用以及新能源车等行业快速发展推动功率器件规模持续增长。一方面，功率器件的组装模块化和集成化能有效满足下游产品对其电能转换效率、稳定性、高压大功率需求及复杂度的更高要求，同时碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新型半导体材料在功率器件领域具有极强的应用前瞻性。另一方面，新能源汽车及工业领域发展推动功率器件行业发展：（1）新能源汽车普遍采用高压电路，需要频繁进行电压变化，IGBT、MOSFET等功率器件需求相应增大，同时新能源汽车充电桩高速增长带动核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市场需求；（2）工业生产制造、仓储、物流等流程改造对电机需求不断扩大，工业功率器件需求增加，同时功率器件作为智能电网的核心部件，未来太阳能、风能等智能电网的建设将催生对功率器件需求的稳步增长。此外，虽然中国拥有全球最大且增速最快的半导体消费市场，但当前国产化率较低。IGBT领域，我国起步较晚，目前市场主要被国外产品垄断；MOSFET领域，在专利保护众多、市场竞争激烈、市场份额最大的低压沟槽栅MOSFET领域，国内虽有涉足，但多以消费品应用为主，缺乏具有自主知识产权和市场竞争力的高端产品。随着国内半导体产业链不断取得技术突破，尤其是在轨道交通领域IGBT以及中高端MOSFET等方面已经有部分国产产品，叠加我国在物联网、人工智能、新能源