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光刻机专家交流纪要–20230315

2023-03-19未知机构后***
光刻机专家交流纪要–20230315

Q1.ASML发布公告之前20系列和1980都是可以出售给大陆的。但是长存等实体清单上企业可以出售吗?ASML毕竟不是美国公司,还是可以卖给实体清单企业的。 出货机器也不会做阉割,ASML都会满足每个企业的options,例如在软件和算法上面进行优化,对于工艺节点没有影响。 Q2.国内的28nm,在存储上单位产能的台数 单位产能所需要的台数会根据每家的工艺路线、稼动率有所不同。如: 无锡海力士:主要做DRAM。目前有超过100台的光刻机,12寸晶圆月产能30万片。华虹Fab7:约25台光刻机。12寸晶圆月产能1万片。 存储会比逻辑多一些,因为工艺路线更加复杂。 逻辑芯片搭配的光刻机种类各方面较多,只有局部工序需要用到新进的光刻机,其他叠层可以用到比较成熟的光刻机例如KrF、ArF干式光刻机;存储芯片基本上用浸没式光刻机较多。 浸没式光刻机越先进,单位小时的产能就会比正常成熟的设备稍微低一些。 Q3.ASML发布公告后,预计什么时候落实?后续如果还有政策变化的话,哪些是比较关键的观察节点? 落实时点要看欧美政府的态度。目前ASML的NXT和2000以上的型号系列被定义为比较先进的设备,但目前没有说全部被禁止销售,未来2-3个月可能会有具体方案落实。 美国的逻辑芯片已经开发到14nm,存储到16nm,3DNAND是128层以上,所以可能会要求日本荷兰与其一致标准,那么1980后面就有可能受到影响。 1980Di每小时能产出260片,EI可以提升到300片。套刻精度从10nm优化到5-7nm。改善了对位精度。整体的硬件部分没有变化,只是在镜头控制和算法的优化。 套刻精度主要和对位系统相关性较大,但是制成晶体管的线宽/工艺节点和投影的物定和光源关系更加大一些。 Q4.针对国内产线,今年资源厂的扩产对于光刻厂的需求是比去年增大了还是减少?如何判断未来的趋势? 近2-3年ASML的营收保持20-30%的增长。国内每年光刻机的销售台数也是稳定在90-100台,没有增大或减少。客户集中在中芯、长存、长鑫、华虹等头部的半导体Fab厂。 明年装机的出货情况稳定。长存长鑫正在受到美国的制裁,无法得到美国的刻蚀和镀膜设备(LAM和AMAT等),所以相应的扩产计划有所推迟,但是光刻机部分基本没有影响。 Q5.国产光刻机–上海微电子目前的产品进度如何?哪些地方可以提升其产品质量? 1.上海微电子主要量产的机型还是后道封测的光刻机,但是前道光刻机只有90nm的样机,连28nm的样机还没有做出来。目前只是在客户那里做实验和demo,但没有被完全验收,基本上达不到量产水平。还有国内供应链的经验相对欠缺,都是国家02专项成立时,17-18年才成立。Q6.目前国内2000i只有5-6台,没有2050/2100,主要集中在那些客户? 1.中芯、长存、长鑫各1-2台,主要用于前期的工艺验证。 DUV光刻机的交期大概2-2.5年,整个公司目前积压了400+台的订单。Q7.1980系列通过多重曝光可以做到多少nm? 1.1980系列通过四重曝光可以做到10nm。 目前国内客户对于多重曝光的掌握度较差,曝光技术差,就是表示要多曝2-4次,导致涂胶、显影、刻蚀PVD或CVD等工艺路线变长,不稳定因素增多,导致良率下降。 标准的1980对应14nm以上,最好的中芯国际的良率只掌握到90%左右。台积电起码能掌握到98%以上。国内公司的1980存量有70-80台,大概30台对应10万片的产能,做 28nm。但是工艺路线相对国际水平比较低,只能用来做工艺优化,没有办法满载,基本上稼动率各方面也不高。ASML的光刻机供应商都是来自美国,虽然美国不能直接让ASML不出口中国实体清单,但是可以通过限制供应商威胁。 长存主要做3DNAND,对叠层数大约在190+层,多重曝光主要针对逻辑芯片,所以对长存的存储芯片还是比较有难度的。Q8.光刻机外的瓶颈 1.光刻胶:国内的北京科华和苏州瑞红目前来停留在ArF干式的阶段,国内的高端光刻胶目前还没有导入到量产。刻蚀:中微半导体只有一两款设备可以做先进工艺,但是关键设备还是只有LAM可以生产。 Q9.1980系列做DRAM和NAND可以做到哪个支撑?1. 1980系列: NAND是做3D,可以做到100-192层,256层的套刻精度的要求高,有些困难。DRAM-EZ可以做到16nm; 2000系列: DRAM-EA可以做到12nm;NAND可以做到250层。 Q10.长存目前通过封装键合的方式做到200-300层,多少年可以超越三星海力士? 1.未来存储容量需求会越来越高,而键合会导致体积大,降低性能和市场竞争力。 虽然长存长鑫的产品更新换代的速度较慢,但是背后有政府大力支持,努力摆脱美国产线,提升国产率,还是有机会的。 Q11.目前中国只有90nm的样机,那么能做到28nm的量产需要多久? 1.8-10年。因为核心零部件,例如镜头表面的粗糙度已经达到皮米级别。国内的经验和水平较差,补齐短板建立供应链时间特别长。个人观点: 中国在光刻机和光刻胶的技术上完全被卡脖子。 对于ASML禁止出口光刻机2000系列,ASML作为欧洲国家的盈利机构也不是心甘情愿,后面具体政策出来以后中国荷兰都可能尝试钻空子。之后研究设备,还是要进一步的研究一下fab扩产步伐和内部零部件的投资情况。