【颗粒硅+CCZ：颠覆性西门子法+RCZ的下一轮技术】主流RCZ

【颗粒硅+CCZ：颠覆性西门子法+RCZ的下一轮技术】 主流RCZ拉晶技术继续降本空间有限 RCZ技术自2013年隆基掌握推广以来，降本潜力被不断挖掘开发，完成了对传统CZ拉晶技术的替代，目前技术趋于成熟，但仍有两大根本缺陷无法解决：1）坩埚内的硅熔体在拉晶过程中减少，液面下降导致热场环境不稳定，使元素分布不均，造成硅棒体电阻率差异；2）硅棒拉制完成 后，需要等待新料熔化完毕才能进行下次拉制，即熔料-拉棒-冷却是串行进行，生产效率较低，一般在坩埚寿命内仅能拉制4-5根硅棒。 CCZ兼具性能-成本优势，更加适配生产N型硅片 CCZ通过特殊炉体设计，实现了进料-熔料-拉棒同步进行，节省了加料时间和熔料时间，两根硅棒生产之间无需等待，极大提升生产效率。在坩埚寿命内可以拉制8-10根硅棒，同时节省能源和物料耗材，具备明显成本优势。 另一方面，连续加料解决了坩埚内液面下降问题，CCZ拉制的硅棒，氧含量更低且均匀，金属杂质累积速度更慢，轴向电阻率分布均匀（波动可控制在10%以内）。 N型硅单晶在制备过程中需要掺入V族元素（磷、砷等），传统RCZ拉晶过程中磷的均匀性较差，CCZ可以较好解决这一问题，因此更加适配N型单晶的生产。 颗粒硅是CCZ技术大规模应用的必要条件 CCZ需要连续添加细碎硅料。 靠破碎技术制造细碎硅料成本很高，且容易引入杂质。颗粒硅是CCZ技术大规模应用的必要条件。 这一难题已经在过去两年由协鑫解决，也打通了CCZ技术落地的最后一环。 新技术路线未来替代可期 P型电池经过数年的开发，转化效率和降本空间已经逐步减小，近年来N型电池渗透率已经呈现逐步抬升迹象。颗粒硅+CCZ拉晶+HJT电池+低温无主栅组件，可能是未来一段时间的最佳技术组合。 综合考虑产业发展阶段、市场预期、公司估值等因素，推荐重点关注CCZ环节和唯一标的天通股份。