北交所信息更新：2022年硅烷气量、价、利齐升，积极拓展硅碳负极、氢能源市场

硅烷气产品量、价、利齐升驱动2022年业绩高增长，达到1.85-1.95亿元 硅烷科技成立于2012年，主要产品为氢气（工业/高纯氢）与电子级硅烷气。工业氢下游客户集中于平煤神马集团的尼龙业务板块，硅烷气产品积累了TCL华星、隆基绿能、惠科电子、京东方、爱旭股份、东方日升等市场领先客户。2022年，公司进行工艺技术改进，进一步提升硅烷气产量，且规模效应持续体现，生产成本相对下降，此外硅烷气下游需求旺盛，同比价格有较大增长，导致公司2022年全年实现归母净利润18,500～19,500万元，同比增长144.06%～157.26%，由于公司发布2022年业绩预告，我们调整公司2022-2024年的归母净利润分别为1.94（原2.16）/2.71/3.84亿元，对应EPS分别为0.60/0.84/1.18元/股，对应当前股价的PE分别为26.9/19.2/13.6倍，我们看好公司募投项目投产带来的业绩增量，维持“买入”评级。 拟为天目先导或其项目公司提供长期硅烷供应，拓展硅碳负极下游行业需求 天目先导拟在河南省许昌市襄城县成立全资或控股子公司并打造新一代高端硅基负极材料生产基地，硅烷科技拟为天目先导或其项目公司长期稳定地提供硅烷供应，双方战略合作预期实现优势互补、产业链条协作和互利共赢。全球锂电池业受益汽车电动化发展，近几年硅碳负极材料行业高速增长，公司紧抓行业机遇，本协议的签署将有利于满足公司拓展硅碳负极下游行业的需求。 “500吨/年半导体硅材料项目”于2022年10月试生产，样品指标符合预期 根据公告，公司“500吨/年半导体硅材料项目”已完成250吨首期建设并于2022年10月份开始试生产，目前下线样品在第三方检测机构检测指标符合公司预期。在全球硅片产能向中国的转移及国内集成电路产业高速发展的背景下，预计到2025年国内对电子级多晶硅、区熔级多晶硅棒的需求量将分别达到10,000吨、400吨。整体来看，公司确定了硅、氢两条线的战略定位，逐步构建以工业气体为基础、以电子级硅烷气为龙头，向特种气体行业扩张，通过硅、氢延链补链，做大做强新材料、新能源业务。在现有光伏、液晶面板、半导体等业务领域稳步发展的基础上，将全面拓展硅碳负极、氢能源等方面的市场，推动业绩稳步增长。 风险提示：关联交易占比较高风险、市场竞争激烈风险、低价抢占市场风险 财务摘要和估值指标 1、看点一：硅基负极行业高增长，公司紧抓机遇前瞻布局 2022年11月26日，为抓住全球新能源、新材料产业链价值链重构的机遇，发挥各自优势，加强产业链供应链上下游协作，天目先导拟在河南省许昌市襄城县成立全资或控股子公司并打造新一代高端硅基负极材料生产基地，硅烷科技拟为天目先导或其项目公司长期稳定地提供硅烷供应，双方就此签订了《战略合作协议》。 1.1、概念解析：碳基负极为当前市场主流选择，硅基为未来发展方向 负极材料是锂离子电池四大主材之一。电池材料主要由正极材料、负极材料、电解液、隔膜组成，其中负极材料对于锂离子电池的能量密度、循环性能、充放电倍率及低温放电性能都具有较大影响。根据华经产业研究院统计数据，负极材料约占锂离子电池成本的15%。 图1：负极材料是锂离子电池的四大主材之一 图2：负极材料约占锂离子电池成本15% 负极材料主要分为碳基材料与非碳基材料两大类。碳基材料可以分为石墨类、石墨烯类与无序碳类，其中石墨类材料为当前主流的锂电池负极材料，可细分为人造石墨、天然石墨、复合石墨等。非碳基材料可以分为硅基负极与钛酸锂负极。 图3：负极材料主要分为碳基材料与非碳基材料两大类 硅基负极材料能量密度更高，是下一代负极材料的重要发展发向。现阶段改性天然石墨和人造石墨负极比容量达到360-363mAh/g，已接近石墨的理论容量上限372m Ah/g，亟需更高能量密度的新材料来满足技术进步的要求；而硅负极的理论容量密度高达 4200m Ah/g，是石墨的10倍以上。同时，硅是地球上储量排名第二大的元素，资源丰富。此外，硅还具有较低的电化学嵌锂位，在充电时可以避免表面的析锂现象，展现出其可快充的应用前景。硅基负极存在膨胀率较高的问题，在充放电过程中的膨胀会导致硅基负极材料的粉末化，从而影响电池的使用寿命，是影响硅基负极产业化的主要因素之一。 表1：硅基负极材料被认为是极具潜力的下一代负极材料 硅基材料需要与碳系或金属材料复合以改善性能。 150nm 是硅材料体积膨胀质变的“门槛”，当硅颗粒的粒径低于 150nm 时，硅在体积变化的过程中能够保持结构的稳定，不会发生破碎现象；而当粒径大于 150nm 时在体积变化的过程中颗粒表面会先发生破裂，之后随着循环增加，整个颗粒都会破碎。因此硅材料纳米化是早期硅基材料的应用技术路线。但当硅颗粒尺寸过小时，在充放电过程中大的比表面积会与电解液发生更多的接触，形成更多的SEI膜，且细小的纳米颗粒容易发生团聚，导致容量衰减加快。因此，需要引入其他材料和硅复合来协同改性，主要包括碳系材料和金属类材料。 硅基负极有硅氧负极、硅碳负极和硅基合金负极三种技术路径。硅碳负极采用纳米硅与石墨材料混合，硅氧负极则采用氧化亚硅与石墨材料复合。短期来看，硅氧负极凭借循环性能高、倍率性能高等优势占据主要市场，但从长期来看，硅碳负极具有理论容量高、首次充放效率高、工艺成熟成本低等优势。 表2：硅基负极分为硅碳负极、硅氧负极、硅基合金负极三种技术路径 1.2、市场空间：预计2025年全球硅基负极出货14.9万吨 我国负极材料市场稳步增长。近年来随着新能源汽车行业的兴起和锂电池产品的发展，我国负极材料市场规模由2017年的82.1亿元增长至2021年的159.1亿元，年均复合增长率为21%，根据中商产业研究院预测，2023年我国负极材料市场规模将增长至210亿元左右。从出货量看，2022年我国负极材料出货量达137万吨，同比增长90%。 图4：预计2023年我国锂电负极材料规模为210亿元 图5：2022年我国负极材料出货量为137万吨 我国硅基负极材料市场不断发展，处于快速增长期。根据GGII数据，2021年我国硅基负极材料出货量达1.1万吨，同比增长83%，占负极材料出货量的1.5%。 未来随着大圆柱电池的推广应用及特斯拉4680电池的量产，有望继续增长，预计2023年达2.47万吨。 图6：2021年我国硅基负极材料出货量达1.1万吨，预计2023年达2.47万吨 全球硅基负极市场将保持快速发展趋势。根据EVTank数据，2021年全球硅基负极材料出货量达1.6万吨，渗透率达1.6%，预计2025年全球出货量将达14.9万吨，渗透率达5.4%，2021-2025年CAGR达74.69%。从市场规模看，根据中商产业研究院统计数据，2021年全球硅基负极市场空间为16.6亿元，预计2025年达297.5亿元，期间CAGR达105.75%。 图7：预计2025年全球硅基负极市场空间达297.5亿元 图8：预计2025年全球硅基负极出货量达14.9万吨 1.3、竞争格局：国内主要企业当前产能2.38万吨/年，加速产能规划布局 硅基负极产业国内目前布局企业主要四类：一是现有石墨类负极企业，如贝特瑞、璞泰来等；二是科研院校创始团队，如天目先导、壹金新能源等；三是电池企业，如宁德时代、国轩高科等；四是化工企业跨界或硅材料企业切入，如石大胜华、硅宝科技等。 表3：布局硅基负极产业的国内公司主要分为四类 各企业产能规划处于加速布局阶段。目前具备硅基负极千吨以上规模产能的企业主要有天目先导、国轩高科、杉杉股份、贝特瑞、正拓能源及石大胜华，统计国内主要企业硅基负极材料产能约2.4万吨/年。2022年贝特瑞、天目先导、杰瑞股份等陆续宣布其在硅基负极领域布局计划，各企业处于加速布局阶段。 表4：当前主要企业硅基负极产能约23780吨/年，各企业加速产能布局 2、看点二：电子级多晶硅存产需缺口，区熔级替代空间大 2.1、项目进展：已于2022年10月试生产，样品指标符合预期 “500吨/年半导体硅材料项目”预计年产500吨高纯多晶硅，其中区熔级多晶硅300吨，电子级多晶硅200吨。由于客户认证、市场拓展及对应产能爬坡需要时间，本项目拟采用分期建设的模式，一期建设内容为满足250吨/年半导体硅材料的生产相关的必要设施（还原炉及配套设施）及不宜分期建设的内容（厂房的土建、消防、暖通设施，地下管网、整理车间公辅设施、废水处理站等）；二期建设内容为第二个250吨/年半导体硅材料的生产设施。根据公告，公司“500吨/年半导体硅材料项目”已完成250吨首期建设并于2022年10月份开始试生产，目前下线样品在第三方检测机构检测指标符合公司预期。 表5：公司“500吨/年半导体硅材料项目”已完成250吨首期建设并于2022年10月份开始试生产 2.2、市场空间：预计2025年国内对电子级多晶硅棒需求量达10,000吨 根据中国恩菲出具的可研报告，2019年，国内电子级多晶硅需求量为5,000吨，国外需求量为30,000吨，全球合计需求量35,000吨，随着全球硅片产能向中国的转移，预计到2025年国内对电子级多晶硅的需求量将达到10,000吨左右，中国国内硅片生产占有率提高，挤压了国外硅片生产的份额，全球对电子级多晶硅的总需求量仍将保持35,000吨。 图9：预计到2025年国内对电子级多晶硅的需求量将达10,000吨左右（单位：吨） 随着集成电路产业的发展，2019年，国内使用区熔级多晶硅的公司主要有天津环欧和北京有研国泰半导体，合计需求量约为240吨/年，全球区熔级多晶硅棒的年使用量为3,000吨左右。预计到2025年国内及全球区熔级多晶硅棒的年使用量将分别达到400吨和4,000吨，按照现有规模情况预计，到2025年全球存在1,000吨的缺口。 图10：预计到2025年全球存在1,000吨区熔级多晶硅棒的缺口（单位：吨） 2.3、竞争格局：公司区熔级多晶硅各项指标基本达到国外同类产品指标 电子级多晶硅是半导体产业的关键基础材料，多晶硅经过直拉或者区熔形成单晶硅，单晶硅经过加工形成硅片，硅片继续加工成为芯片。硅单晶的制备方法主要有直拉法（Czochralski，CZ）和悬浮区熔法（Float-Zone，FZ），获得的单晶硅分别称为直拉单晶硅和区熔单晶硅，对应的电子级多晶硅也可分为电子级直拉用多晶硅和电子级区熔用多晶硅。 图11：硅单晶的制备方法主要有直拉法和悬浮区熔法 85%电子级多晶硅、15%区熔级多晶硅，区熔级多晶硅是电子级多晶硅的高端产品。根据电子级多晶硅国家标准委员会编制组的统计数据，全球约85%的硅片是由直拉法制备（使用电子级多晶硅），其对电子级多晶硅硅纯度要求通常为9N-11N，约15%的硅片由区熔法制备（使用区熔级多晶硅），其对区熔用多晶硅硅纯度要求通常为11N-13N。电子级多晶硅广泛用于集成电路存储器、微处理器、手机芯片和低电压晶体管、电子器件等电子产品。而区熔级多晶硅是电子级多晶硅的高端产品，主要应用于制造IGBT、高压整流器、晶闸管、高压晶体管等高压大功率半导体器件，其自身包含有氧含量低，电阻率高、耐高压的特性。 公司区熔级多晶硅各项指标基本达到国外同类产品指标。当前国内外的电子级多晶硅生产技术主要有三氯氢硅法、硅烷法。公司采用的是硅烷法制备区熔级（电子级）多晶硅。由于区熔级多晶硅没有国际标准，各国外企业在COA中列示的检测指标并不完全相同，部分国外企业并未检测少子寿命和体金属杂质浓度。对比四家国外企业均检测的施主杂质含量、受主杂质含量和碳含量指标，公司各项指标水平与OTC公司相同，与其他三家国外公司相比略有差距，但杂质含量处在同一数量级范围。2022年公司各项指标进一步改善，主要原因一是公司持续试验改进，二是公司2021年施主杂质含量和受主杂质含量指标检测单位为ppba，其中B、Al、As等在仪器精度ppba下未检出，检测报告列示为<0.01ppba，换算为ppta单位后，需扩大