电力电子碳化硅：800V平台加速落地，高opex属性+低渗透率驱动行业领跑

本报告主要探讨了电力电子碳化硅在800V平台加速落地的背景下，如何驱动行业领跑。报告指出，800V高压平台是解决里程焦虑的破局者，具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的SiC有望成为首选。同时，随着原料降价和优异性能的显现，SiC有望突破成本藩篱，SiC MOSFET或将于2023H2达到价格甜蜜点，带动更多车端逆变器应用。报告预测，国内SiC功率器件市场规模将在23/24/25/26年分别达到5.30/9.23/15.71/25.59亿美元，CAGR高达69.02%。此外，报告还分析了碳化硅衬底价值量较硅基晶圆呈现显著提升，其中MOSFET产品更重器件设计。最后，报告指出，国内厂商抓住扩产机会布局碳化硅产业链，填补市场窗口。