电子行业2022年7月第3周周报：碳化硅需求旺盛，国内厂商加速追赶

本周电子板块表现：跟随大盘反弹，目前估值仍处于低位 本周大盘指数中，上证指数上涨1.30%，深圳成指、创业板指分别下跌0.14%、0.84%；电子板块跟随大盘反弹，本周上涨1.92%，在各板块中位居中游，目前估值仍处于近5年低位。在电子行业细分板块中，大多数细分板块本周涨幅为正，其中光学元件、LED上涨较多，为8.57%、6.38%；本周下跌的主要是分立器件、半导体材料、半导体设备，分别下跌2.33%、0.58%、0.13%。 本周电子板块个股表现： 从个股表现来看，春兴精工、方邦股份、大港股份领涨，分别上涨53.67%、33.24%、32.43%，公司主要业务分别为精密铝合金结构件、电磁屏蔽膜、集成电路封装；天津普林、瑞可达、瑞德智能领跌，分别下跌12.39%、11.19%、10.85%，公司主要业务分别为印制电路板、连接器产品、智能控制器产品。 碳化硅需求旺盛，国内厂商加速追赶 SiC衬底可用于制作射频微波器件、功率器件，受益于5G基站建设、新能源汽车渗透率提升、光伏建设，SiC市场需求旺盛。根据Yole，预计全球GaN射频器件市场规模将从2019年的7.4亿美元增至2025年的20亿美元；预计SiC功率半导体市场产值将从2019年5.41亿美元增至2025年的25.62亿美元。从供给来看，目前国际龙头Wolfspeed等通过布局全产业链主导SiC市场；国内企业以布局产业链某一环节为主，正在逐渐缩小与国外的差距。 投资建议 本周我们发布了拓荆科技深度报告《PECVD设备龙头，国产替代迎来发展机遇》。新能源汽车/双碳/AIOT等行业景气度持续，我们认为相关公司业绩有望持续增长，重点标的国芯科技/新洁能/闻泰科技/华润微。此外，晶圆厂持续增加资本开支趋势不变，因此我们长期看好半导体设备及材料，重点标的盛美上海/拓荆科技/华海清科/神工股份。 风险提示 新冠疫情反复的风险；新能源汽车及光伏等新兴产业增速低于预期；晶圆厂扩产不及预期的风险；国内第三代半导体研发、扩产不及预期。 1.本周电子板块行情 1.1电子细分板块行情 本周大盘指数中，上证指数上涨1.30%，深圳成指、创业板指分别下跌0.14%、0.84%；电子板块反弹，本周上涨1.92%，跑赢上证指数0.62pct。 图表1：本周大盘指数行情 本周电子行业涨跌幅为1.92%，在31个申万一级行业中涨幅位居第15位，涨幅前三名的行业分别为环保、计算机、传媒，分别上涨5%、4.88%、4.77%；跌幅前三名的行业分别为农林牧渔、电力设备、建筑材料，分别下跌1.60%、1.59%、1.11%。 图表2：申万一级行业本周涨跌幅对比 在电子行业细分板块中，大多数细分板块本周涨幅为正，其中光学元件、LED上涨较多，为8.57%、6.38%；本周下跌的主要是分立器件、半导体材料、半导体设备、其他电子，分别下跌2.33%、0.58%、0.13%、0.07%。年初至今，电子行业各版块仍然跌幅较大，回调较深。 图表3：本周电子细分板块行情 1.2电子板块个股行情 本周电子板块春兴精工、方邦股份、大港股份领涨，分别上涨53.67%、33.24%、32.43%，公司主要业务分别为精密铝合金结构件、电磁屏蔽膜、集成电路封装。其中春兴精工是一家精密铝合金结构件生产企业，专业生产移动通信领域的射频器件及精密轻金属结构件，汽车零部件领域的精密铝合金结构件及钣金件，消费类电子领域的玻璃盖板。 图表4：本周电子板块涨幅前十标的 本周电子板块天津普林、瑞可达、瑞德智能领跌，分别下跌12.39%、11.19%、10.85%，公司主要业务分别为印制电路板、连接器产品、智能控制器产品。其中天津普林周涨跌幅（-12.39%）为负，月涨跌幅（13.25%）和年涨跌幅（17.08%）均为正，公司主要从事印制电路板（PCB）的研发、生产及销售的企业，产品类型覆盖单双面板、多层板、高多层板、HDI、高频高速板及厚铜板等。下跌主要受到大股东津融集团减持影响。 图表5：本周电子板块跌幅前十标的 1.3电子板块估值水平 本周电子板块（申万电子行业指数）市盈率为24.77倍，自2022年4月底部（22.22倍）反弹以来，电子板块估值依然处于近5年的低位。 图表6：电子板块市盈率（TTM,剔除负值） 2本周电子板块重点公司公告、行业新闻 2.1本周重点公司公告 本周多家上市公司披露了2022年上半年业绩预告，部分半导体企业发布了业绩预增公告，包括复旦微电、立昂微、晶晨股份、力合微、华海清科、芯原股份等；消费电子、光学光电子行业景气度下行，相关公司发布了业绩预减公告，包括瑞德智能、晨丰科技等。 图表7：重点公司公告 2.2本周行业新闻 1）7月22日 ，据研究机构Tech Insight最新拆解报告发现 ，MinerVa Semiconductor新品矿机的SoC，采用中芯 7nm 制程，新机并已全面上市。进一步分析指出，中芯采用的是应用N+2制程技术，等级如台积电 7nm 强化版。 2）7月21日，据路透社报道，美国参议院周二投票初步通过了简版“芯片法案”，以为半导体行业提供数百亿美元的补贴和税收抵免，从而缓解美国半导体短缺问题。 3）7月20日，由于市场环境恶化超出预期，NB厂再次下修2022年Chromebook的出货，预计全年出货跌幅将扩大至55%。整体而言，2021年Chromebook出货约达3,700-3,800万台，2022年预计大跌至1,700万台。 4）7月19日，TrendForce集邦咨询预估，由于供需失衡急速恶化，第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8%-13%，且跌势恐将延续至第四季。 5）7月17日，研究机构Gartner近日更新其对2022全年IT市场展望，预测今年全球IT支出总额将增长3%至4.5万亿美元，但由于个人电脑、平板电脑、打印机等支出萎缩，IT硬件支出将萎缩至7678亿美元，同比下滑5%；而在企业上云潮流下，预计今年服务器硬件支出将增长16.6%，数据中心系统的总体支出今年也有望实现11.1%增速，在几大细分业务中位居第一。 3本周专题：碳化硅需求旺盛，国内厂商加速追赶 3.1碳化硅材料性能优势突出，衬底价值量最大 衬底价值量在SiC产业链中最高，达到50%。碳化硅（SiC）产业链包含SiC粉末、SiC晶锭、SiC衬底、SiC外延、SiC晶圆、SiC芯片和SiC器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件是SiC价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到SiC器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。 图表8：SiC器件价值占比：衬底成本约占一半 SiC晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成SiC基功率器件和微波射频器件。高纯硅粉、高纯碳粉等原料合成的SiC微粉经过晶体生长、晶淀加工形成SiC晶体，然后SiC晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成SiC晶片。 图表9：碳化硅晶片工艺流程 图表10：SiC晶片可用于制造功率、微波射频等器件 3.2新能源汽车+光伏带动SiC市场需求快速上升 根据电阻率不同，在SiC晶片上可以外延生长SiC或者GaN材料，最终制成不同的器件应用于不同的下游市场。具体而言，在半绝缘型SiC晶片上外延GaN薄膜可制成微波射频器件应用于5G通讯市场；在导电型SiC晶片外延SiC薄膜可制成耐高温、耐高压的功率器件应用于新能源汽车、电力系统等。 图表11：SiC晶片根据电特性不同可制成不同SiC基器件 半绝缘型SiC衬底应用：5G引领增长，GaN器件份额逐步提升 根据工信部数据，2022年底5G基站总数将突破200万个，而5G建设也是GaN射频器件的主要下游应用领域。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。2025年功率在3W以上的射频器件市场中，在砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。根据Yole数据，预计全球GaN射频器件市场规模将持续增长，从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，年均复合增长率超过12%。 图表12：2019-2025GaN频射器件市场规模预测 图表13：2019-2022年中国5G基站统计（万站） 导电型SiC衬底应用：新能源汽车+光伏带动需求快速上升 碳化硅功率器件主要应用领域包含电动汽车、电力供应、光伏、UPS通信、轨交以及航天军工等，其中电动汽车市场有望在2023年迎来快速上量，并成为SiC器件市场增长的主要驱动力，光伏应用的发展也将进一步刺激市场增长。根据Yole的数据，碳化硅（SiC）功率半导体市场产值到2025年将达到25.62亿美元，该市场在2019年到2025年之间的年复合成长率达到29.59%。 图表14：2019-2025年SiC功率器件市场规模年复合增速接近30% 汽车电动化或将形成SiC的最大下游市场。根据TrendForce，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。 图表15：车用SiC功率器件市场规模快速增长 光伏产业政策利好，持续释放SiC需求，随着光伏投资成本的下降及发电效率的提升，全球已经进入光伏平价时代。根据中国光伏协会数据，2020年全球光伏新增装机容量130GW，预计2025年全球光伏新增装机容量可达到270-330GW，5年CAGR为16%-20%。此外，根据观研天下数据，2020年光伏逆变器中SiC功率器件占比为10%，预计2025年以后将维持在50%以上。 图表16：全球光伏新增装机容量及预测（GW） 图表17：光伏逆变器中碳化硅功率器件占比预测 3.3市场由海外龙头主导，国内碳化硅厂商加速追赶 衬底是碳化硅产业链的核心环节，价格受良率影响较大。目前市场4英寸碳化硅衬底比较成熟，良率较高，同时价格较低，而6英寸衬底价格由于供给少和成片良率低，价格远远高于4寸片。 图表18：6寸片价格远高于4寸片 行业技术壁垒高，海外龙头以IDM模式主导市场。碳化硅衬底产品的制造设计设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割等诸多环节，需要长期的工艺技术积累，存在较高的技术及人才壁垒。目前碳化硅衬底市场以海外厂商主导，国内企业市场份额较小。Wolfspeed、意法半导体、ROHM、英飞凌等头部厂商均采取了IDM模式，跨足上游材料长晶到加工、制程等产业链各环节。 国内企业布局产业链单一环节为主，正逐步缩小与海外差距。国内企业也逐渐开启了增量产能布局，国内衬底厂商主要为天岳先进（绝缘型衬底为主，逐步切入导电型衬底）、天科合达（导电型衬底为主）、露笑科技、东尼电子；外延片方面：瀚天天成、东莞天域、中电科等均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研发和生产；器件方面：斯达半导体、士兰微、华润微推出SiC MOSFET功率器件和模块；IDM方面：三安光电具备全产业整合生产能力（衬底/外延/器件/封测）。 图表19：国内外厂商SiC产能 4风险提示 新冠疫情反复的风险。新冠疫情在我国呈现多点散发、持续反复等特点，对消费和供给形成双重压制效果，供应链和物流流转不畅通，居民消费意愿持续下降，如果新冠疫情持续在各地出现反复，宏观经济承压下电子板块也将面临较大压力。 新能源汽车及光伏等新兴产业增速低于预期。当前电子板块尤其是半导体板块重要增量来自于新能源汽车及新能源发电等新兴产业，如果汽车产业链开工情况低于预期、产品量产商用速度低于预期、下游市场需求低于预期等情况出现，电子行业相关公司业绩或将不达预期。 晶圆厂扩产进度不及预期。半导体设备材料行业的高增长来自于国内晶圆厂的大幅扩产，如果晶圆厂扩产进度放缓，对设备材料订购的进度产生不利影响。 国内第三代半导体研发、扩产不及预期。SiC市场需求旺盛，但是若国内相关企业的研发