本报告关注国生电子和聚辰股份在2026年9月21日的市场表现,重点分析其SBD产品线的持续增长和VPD新品的推出。SBD SoC M.2芯片针对英伟达Vera Rubin平台设计,预期出货量将随平台销售增长。AIPC等高端应用及alc M.2内存模组可能替代LPDR5X,推动DDR5 SPD芯片需求增长。VPD芯片作为PCIe SSD产品的关键识别与配置元件,已通过新一代S模组和CXL内存模组的测试认证,将搭载于模组样品分发给终端客户测试验证。公司新一代SBD和VPD芯片已通过测试认证,预计将在新型内存模组及CXL内存模组上广泛应用,带来持续增长机遇。
SBD和VPD芯片所在的赛道主要受益于服务器、数据中心及高端应用市场的增长。SBD芯片受益于服务器SoC M.2产品放量,以及AIPC高端应用加速渗透,市场需求持续增长。VPD芯片作为PCIe SSD产品的关键识别与配置元件,广泛适配多部件架构,满足云计算厂商AI服务器集群和企业级存储系统扩产需求,出货量有望高速扩张。随着英伟达Vera Rubin平台的应用、AIPC高端应用需求增加、alc M.2内存模组替代LPDR5X等因素,DDR5 SPD芯片需求增长,推动SBD芯片市场扩张。同时,新一代SBD和VPD芯片已通过测试认证,预计将在新型内存模组及CXL内存模组上广泛应用,带来持续增长机遇。
报告重点分析了国生电子和聚辰股份的关键产品与技术,包括SBD芯片和VPD芯片的市场表现和增长驱动因素。SBD芯片受益于服务器SoC M.2产品放量,以及AIPC高端应用加速渗透,市场需求持续增长。VPD芯片作为PCIe SSD产品的关键识别与配置元件,已通过新一代S模组和CXL内存模组的测试认证,将搭载于模组样品分发给终端客户测试验证。报告还分析了SBD产品增长因素,包括英伟达Vera Rubin平台应用、AIPC高端应用需求增加、alc M.2内存模组替代LPDR5X。VPD芯片增长因素包括满足云计算和企业级存储系统需求,促进VPD芯片需求扩张,通过测试认证推动新型内存模组应用。公司新一代SBD和VPD芯片已通过测试认证,预计将在新型内存模组及CXL内存模组上广泛应用,带来持续增长机遇。
当前市场对SBD和VPD芯片的判断是积极乐观的。SBD芯片受益于服务器SoC M.2产品放量,以及AIPC高端应用加速渗透,市场需求持续增长。VPD芯片作为PCIe SSD产品的关键识别与配置元件,已通过新一代S模组和CXL内存模组的测试认证,将搭载于模组样品分发给终端客户测试验证。随着英伟达Vera Rubin平台的应用、AIPC高端应用需求增加、alc M.2内存模组替代LPDR5X等因素,DDR5 SPD芯片需求增长,推动SBD芯片市场扩张。VPD芯片在AI服务器集群和企业级存储系统中的高负载环境下提供电源稳定性和数据安全。公司新一代SBD和VPD芯片已通过测试认证,预计将在新型内存模组及CXL内存模组上广泛应用,带来持续增长机遇。
研报提示了市场增长及研发进展存在不确定性,需关注需求不及预期和研发进度未达预期的风险。SBD和VPD芯片的市场表现依赖于服务器、数据中心及高端应用市场的增长,若市场需求不及预期,可能影响公司业绩。此外,公司新一代SBD和VPD芯片的研发进度也可能存在不确定性,若研发进度未达预期,可能影响产品市场竞争力。因此,投资者需关注公司市场拓展和研发进展情况,以评估潜在风险。