2025国产化化合物半导体产业简报

功率半导体应用场景简介

功率半导体主要应用于新能源车、光伏/储能、智能电网、轨道交通等场景，市场份额以硅基器件为主，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）正在逐步替代硅基器件。

国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估

采用深芯盟半导体产业研究部开发的量化模型，评估国内以SiC/GaN化合物半导体为主要业务的上市公司，指标包括技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能潜力。由于各板块公司数量不同，数据标准化基数不同，三级行业数据不具有跨板块可比性。

SiC产业链简介

SiC产业链包括衬底、外延片、器件制造（含设计）、封测，其中衬底占比最高（45~50%）。SiC主攻高压应用场景，如新能源车、光伏/储能、智能电网、轨道交通等，主流模式为IDM。2024年全球碳化硅衬底和外延片市占分布情况需参考深企投报告。

SiC功率器件市场预测

预计SiC功率器件市场将持续增长，但当前产能增长快于需求，供过于求导致价格战激烈。电动车市场增速放缓，光伏/储能、工业电源、电网等应用领域需求稳步增长。

SiC产业潜力及风险的简要分析

现状：

1. 产能与需求同步增长，但产能增长更快，供过于求，价格战激烈。
2. 电动车市场增速放缓，车企战略摇摆，SiC需求增速放缓。
3. 光伏/储能、工业电源、电网等应用领域需求仍然稳步增长。

应对策略：

1. 材料：开发大尺寸晶圆（8英寸及12英寸）降低成本。
2. 器件：向IDM模式转型，缩短交付周期，加快技术迭代，构筑壁垒。
3. 寻求对材料缺陷容忍度稍高的应用市场。

风险分析：

1. 产业野蛮生长导致格局洗牌，低端产能出清。
2. 地缘政治摩擦，国际贸易壁垒。
3. 国内对新能源车企的扶持性政策变动。
4. 初期投资规模巨大，沉没成本高，价格战期间易陷入“亏损生产”等周期套牢状况。

其他的SiC业务相关公司简介：

• 第一类：硅基功率器件业务拓展，如扬杰科技、芯联集成等。
• 第二类：上下游或跨界业务拓展，如晶盛机电（晶体生长设备->SiC衬底）、东尼电子（超微细线材->SiC衬底）。
• 非上市公司（部分）：衬底厂商如天科合达、重投天科、山西烁科晶体；外延片厂商如天域半导体（港股IPO审核中）、瀚天天成（港股IPO审核中）、普兴电子。

GaN产业链简介

以硅基GaNHEMT为例，成本占比为硅衬底7%，外延50%，设计制造封测约23%，良率损失约20%。GaN主攻高频低损耗应用场景，如消费电子、数据中心、通信基站、汽车电子等。国际格局方面，功率领域中美欧日竞争，射频领域美主导高端，光电领域中日竞争。

GaN功率器件市场预测

GaN功率器件市场需求刚性，核心驱动力为能源效率提升。应用多元化，新兴领域如工业电驱、数据中心、新能源汽车等发展势头迅猛。

功率GaN产业的潜力及风险的简要分析

现状：

1. 能源效率提升是核心驱动力，市场需求刚性。
2. 应用多元化，新兴应用领域潜力巨大，发展势头迅猛。

风险分析：

1. 技术研发挑战：
   • 成本敏感限制GaNon Si技术路线，GaN外延层缺陷密度偏高，导致器件动态电学性能退化；界面热失配度约57%，缓冲层技术复杂，器件热管理是巨大挑战；P型掺杂困难。
2. 国际巨头垄断主导，行业壁垒极高，国内产业面临巨大压力。

国内GaN/功率半导体部分公司简介（上市公司）：需参考原文具体公司列表。

GaN射频器件市场预测

需参考原文具体数据。

国内GaN射频/光电部分公司简介（上市公司）

需参考原文具体公司列表。

化合物半导体产业投资逻辑简介

产业特点：

1. 技术门槛高，资金开支巨大，盈利等待期长。
2. 企业终点是IDM模式，成型后盈利稳定。
3. 部分关键设备国产化比例不高，禁运/断供风险导致生产停摆。

投资策略：

1. 大资本：IDM模式或全产业链IDM模式。
2. 中小资本：Fabless设计→Fab-lite（设计+封测）→IDM。

总结

1. 短期来看，电动车应用市场仍是化合物半导体的最大增长驱动力，但增速放缓。
2. 长期来看，算力基础设施是刚需，应用市场多元化。