国泰海通海外科技十八讲：美光科技AI存储深度分析

美光科技在AI存储领域覆盖了五层协同架构，包括L1 HBM、L2服务器DRAM、L3-L4企业级SSD。公司作为美国唯一具备大规模DRAM制造能力的存储原厂，业务涵盖HBM、服务器DRAM和企业级SSD，是全球第三大DRAM厂商和第四大NAND厂商。其数据中心相关收入占比超六成，26财年三季度单季营收达415亿美元，同比增长超3倍，核心数据中心业务同比增超6倍。美光通过自研CMOS工艺的base die路线，在HBM4领域成效显著，25年6月率先送样，26年Q1量产，产能爬坡速度为HBM3的2倍，25年HBM市占从7%升至20%，26年有望站稳20%以上。同时，美光是英伟达SO CAM首发量产厂商，绑定Blackwell/Ruby平台，在Agent时代CPU带宽需求升级背景下将打开更大空间。此外，美光26年2月量产全球首款第六代PCIe数据中心FSD（9650），获英伟达Bluefield-4 STX参考架构认证。

AI服务器存储行业正朝着五层协同架构发展，包括L1 HBM、L2服务器DRAM、L3-L4企业级SSD等层级。随着AI算力需求的持续增长，HBM作为高速缓存存储器的重要性日益凸显，其技术迭代速度加快，HBM4相较于HBM3在性能和容量上均有显著提升。SoCAM技术作为未来CPU与存储交互的新范式，将进一步提升AI服务器数据处理效率，目前英伟达已与美光合作推动该技术落地，AMD、高通等厂商也在积极探索相关标准。同时，PCIe SSD在AI数据中心中的应用不断深化，第六代PCIe SSD性能大幅增强，将满足AI训练和推理对存储带宽和延迟的严苛要求。美国本土存储产能扩张计划也在加速推进，预计未来美光将成为美国唯一能在本土完成DRAM制造+HBM先进封装全流程的厂商。

报告重点分析了美光科技在AI存储领域的五大投资线索。首先，美光在HBM4领域的领先地位，其自研CMOS工艺路线成效显著，产能爬坡速度为HBM3的2倍，25年HBM市占从7%升至20%，26年有望站稳20%以上。其次，美光是英伟达SO CAM的首发量产厂商，绑定Blackwell/Ruby平台，Agent时代CPU带宽需求升级将打开更大空间。第三，美光26年2月量产全球首款第六代PCIe数据中心FSD（9650），获英伟达Bluefield-4 STX参考架构认证。第四，美光获64亿美元美国芯片法案拨款，规划2000亿美元美国本土扩张计划，27年将成美国本土唯一完成DRAM制造+HBM先进封装全流程的厂商。第五，美光26年12月起将100%超额现金返还股东，潜在回报空间占当前市值约12%。

当前AI存储市场呈现高速增长态势，数据中心相关收入占比持续提升。美光作为全球领先的存储原厂，在HBM、服务器DRAM和企业级SSD领域均占据重要地位。26财年三季度单季营收达415亿美元，同比增长超3倍，数据中心相关收入占比超六成，核心数据中心业务同比增超6倍。AI服务器存储架构正从传统的三层向五层协同演进，美光凭借技术积累覆盖了L1 HBM、L2服务器DRAM、L3-L4企业级SSD全链路。HBM4技术迭代加速，产能爬坡速度显著优于HBM3，市占率持续提升。SoCAM技术作为未来趋势，美光作为首发量产厂商已获得英伟达认可。PCIe SSD技术不断升级，第六代产品性能大幅提升。美国本土存储产能扩张计划加速推进，全球AI存储市场竞争格局持续变化。

美光科技AI存储深度分析报告提示了三大风险。首先，美国芯片法案存在约束条款，美光股东回报释放需至26年12月9日，政策变动可能影响其股东回报计划。其次，市场对存储原厂高盈利可持续性存疑，传统周期股估值框架需重新调整，存储行业波动性可能影响美光盈利稳定性。第三，AI存储需求及美光相关产品商业化进度存在不确定性，AI算力需求变化或技术路线调整可能影响美光产品市场表现。此外，全球半导体行业竞争加剧，技术迭代加速也对美光构成挑战。报告强调需关注美光在技术领先性、产能扩张和市场需求变化中的应对策略。