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国泰海通海外科技十八讲核心内容是什么？
本期研报为国泰海通海外科技十八讲系列第四期，主题为海外存储原厂扩产计划、供需展望及观点更新，核心围绕存储行业供需关系展开，重点梳理扩产计划、供需测算及观点。研报分析了2028年海外存储新增产能集中释放窗口，2026-2027年新增供给有限，2027年DRAM仍供不应求且HBM对DRAM产能挤占加剧，供需缺口扩大，NAND转向紧平衡，2028年除HBM外通用DRAM、NAND供需或趋于满足需求，2027年DRAM与NAND供需呈现分化态势。
存储行业发展趋势如何？
存储行业正从消费电子周期转向AI核心投入环节，长期协议将减少周期波动。2026-2027年通用DRAM、LPDDR5供需缺口持续，2027年因HBM4挤占缺口加深，HBM缺货至2028年，2029年供需紧平衡；2026下半年至2027年存储价格涨幅收窄但方向不变，非崩盘式下跌。海外5家存储原厂资本开支数据：2023-2024年合计约600亿美元，2025年729亿美元，2026年超1100亿美元，2029年超2200亿美元；新建厂占比高，2026-2027年资本开支增量中新建厂占比高，产能释放周期拉长至2-3年，2028年起产能集中释放。
报告重点分析了哪些方向？
报告重点分析了海外存储原厂扩产计划、供需展望及观点更新。核心供需结论：2028年为海外存储新增产能集中释放窗口，2026-2027年新增供给有限；2027年DRAM仍供不应求且HBM对DRAM产能挤占加剧，供需缺口扩大，NAND转向紧平衡；2028年除HBM外通用DRAM、NAND供需或趋于满足需求，2027年DRAM与NAND供需呈现分化态势。海外存储产能测算：2027-2029年全球晶圆产能增速逐期提升，海外厂商扩产呈梯度推进，无大规模并行扩产情况。
当前存储市场现状如何？
当前存储市场呈现供需分化态势。2026-2027年通用DRAM、LPDDR5供需缺口持续，2027年因HBM4挤占缺口加深，HBM缺货至2028年，2029年供需紧平衡；2026下半年至2027年存储价格涨幅收窄但方向不变，非崩盘式下跌。海外5家存储原厂资本开支数据：2023-2024年合计约600亿美元，2025年729亿美元，2026年超1100亿美元，2029年超2200亿美元；新建厂占比高，2026-2027年资本开支增量中新建厂占比高，产能释放周期拉长至2-3年，2028年起产能集中释放。
研报提示哪些风险？
研报提示需关注以下风险：需求端超预期变化，可能导致供需关系突变；新建厂建设进度不及预期，影响产能释放周期；良率爬坡速度慢，可能降低实际产能产出；海外原厂产能投放节奏变化，可能影响市场供需平衡。需持续跟踪这些风险因素，以评估存储行业的未来发展趋势。