存储行业报告AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期

AI需求爆发带动存储市场跨越式增长：自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级与结构性缺口。海外存储原厂自2023年起减产，2025年下半年全球存储行业进入供不应求的加速爆发期。
存储市场规模预测：预计2026年DRAM市场容量将增至5607亿美元以上，同比增长272%；NAND市场容量将增至2890亿美元，同比增长331%。
存储价格持续上涨：存储价格自2025年3季度以来加速拉升，预计2季度后环比增速放缓，但整体价格水平有望维持高位。
存储厂商业绩持续走强：海外头部原厂营业利润率逐步加速回升，台湾存储产业链亦迎来增长。

服务器成为存储需求最主要市场：2026年服务器NAND Bit需求预计增长超60%，占比达37%；服务器DRAM需求增约45%，服务器DRAM占比超50%。
NAND存储供给侧结构性优化：全球NAND位元出货量稳步增长，闪存堆叠层数持续提升，单片晶圆的存储密度增长，原厂通过技术升级换取成倍的位元产出。
DRAM供给扩张与结构升级同步进行：全球DRAM等效12英寸晶圆月产出量稳步增长，以HBM为代表的内存需求加速提升，HBM出货量预计增至4季度约1400MU。
存储原厂资本开支分化：DRAM因AI高附加值HBM、DDR5需求成为扩产主力方向，NAND则转向以新材料、新架构等提升单位晶圆Bit产出效率。

产业链价值分布重构，国产存储厂商迎增量机遇：海外原厂将产能重心向高附加值的AI应用倾斜，退出部分存量移动端市场，国内模组厂商封测、主控等能力逐步提升，下游终端用户打开国产化窗口。
国内原厂全球市占率提升，周期上行利润加速释放：长江存储全球市占率从4季度5.1%增加至1季度6.8%；长鑫存储全球市占率从4季度6.4%提升至1季度7.5%。
国内模组厂商规模跃升，客户与产品结构持续升级：2023-2025年国内存储模组厂商营收规模实现了跨越式的增长，模组厂与上游原厂合作的持续加深，逐步进入企业级、中高端手机以及端侧定制化应用市场。
主控芯片随国产下游起量同步扩张：独立SSD主控厂商出货量占全球SSD主控市场的50%，其中国产龙头联芸科技占独立第三方主控厂市场的25%。
0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%202520262027202820292030DDR3DDR4DDR5DDR602004006008001000120014001600180020252026E2027E2028E2029E2030E海外原厂陆续推出，2D NAND与利基DRAM迎国产机遇期**：海外存储原厂逐步退出2D NAND与DDR4，国产存储厂商有望填补2D NAND工控、车载及网通等长周期刚性需求市场以及国内信创、存量服务器及消费级DDR4的需求红利。