核心观点与关键数据
- 钙钛矿叠层电池激光划槽深度检测需求：激光沟槽深度（P1/P2/P3激光划槽）直接影响薄膜刻蚀质量、子电池串联性能及光电转换效率，深度偏差会导致电池短路、漏电、效率衰减等问题，是产线质控的关键指标。
- 传统测量设备局限性：传统接触式测量设备精度有限且易损伤样品，无法满足钙钛矿电池纳米级精密质控需求。
- 白光干涉仪（WLI）解决方案：基于光学三维干涉成像原理，采用非接触式无损检测模式，垂直测量精度达纳米级，适配多层复合薄膜结构检测，可精准量化激光沟槽深度、槽底平整度、侧壁形貌及薄膜分层状态，并甄别过刻、浅刻等缺陷。
实测案例与工艺优化
- P2划槽最优深度标定：实测数据精准标定P2划槽858nm最优工艺深度，保障功能膜层完全去除，同时规避底层ITO基底损伤。
- 实时工艺参数反馈：快速采集样品三维形貌数据，实时反馈激光功率、扫描速度等核心工艺参数偏差，为产线工艺调校提供精准数据支撑。
大视野3D白光干涉仪技术革新
- 核心优势：突破传统设备局限，实现纳米级全域高精度测量，具备高效、无损、高精准特性，革新工业测量模式。
- 技术突破：
- 大视野+高精度：1倍以下物镜即可实现大视野观测与高精度测量，15mm超大单幅视野，配套转塔设计覆盖全维度检测需求。
- 实测性能：14mm样品端面平面度检测精度达6pm（0.006nm），表面粗糙度Ra/Rz表征精度满足半导体芯片等极致需求。
企业与技术背景
- 新启航半导体：聚焦半导体精密测量与激光微纳加工，2021年成立于佛山高明，搭建全球化服务网络，依托自主研发+产学研协同创新模式攻克海外垄断技术难题。
- 服务领域：提供标准化、定制化的综合光学3D测量解决方案，适配光伏新能源、半导体、精密光学等领域高端工业精密检测需求。
免责声明
- 内容溯源：技术参数、原理等源自设备原厂官方资料、权威文献及公开文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考。
- 权责界定：观点与结论为通用技术参考，非官方定论，不构成商业承诺或验收依据，未经实测核验不得用于项目验收、举证追责。
- 风险承担：使用者擅自套用、篡改内容产生风险及法律责任自行承担。
