开源电子恒铭达参股远山新材布局GaN产业链打开AI服务器领域1500亿

事件：26日晚，公司公告称基于公司战略规划，拟向投资4900万元，取得其8.93%股权。 远山具备#氮化镓（GaN）外延材料与芯片自主生产能力，主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，其核心技术源自日本，重点布局1200V-3000V高压氮化镓（GaN）极化超级结（P 【开源电子】恒铭达：参股远山新材，布局GaN产业链，打开AI服务器领域1500亿市场空间 事件：26日晚，公司公告称基于公司战略规划，拟向投资4900万元，取得其8.93%股权。 远山具备#氮化镓（GaN）外延材料与芯片自主生产能力，主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，其核心技术源自日本，重点布局1200V-3000V高压氮化镓（GaN）极化超级结（PSJ）功率器件，产品可以应用于#AI算力服务器电源、新能源车、光伏储能、机器人等工业级场景。 本次对外投资符合公司整体战略发展规划，#有助于进一步拓展产业布局、深化全面合作。 2030年全球AIDC催生超1500亿元GaN器件市场空间GPU机柜功率密度急剧攀升，27年Rubin Ultra机柜将突破1MW，未来800VDC将成为AIDC主要架构。 800VDC架构中，电压沿“800VDC→54VDC→12VDC→0.8VDC”三级阶梯剧烈下降，GaN、SiC功率器件用量将显著提升，一级降压环节GaN器件较Si器件导通电阻降低50%，较SiC关断损耗降低30%、驱动损耗降低90%、辅助电源面积降低50%，优势显著。 #以NVL576机柜为例，单板GaN器件用量1244颗、整柜约10万颗（18万美元价值量），1 GW（千台兆瓦级机柜集群，例如NLV576）AIDC中GaN器件采购额将高达1.8亿美元（超12亿元）。 目前全球在建AIDC约30-40GW，麦肯锡预测2030年全球AIDC的IT负载将超过150GW，其中新增125GW 照此估算，#至2030年全球AIDC中GaN器件新增市场空间约1500亿元。 恒铭达及其子公司华阳通深耕精密制造领域多年，已拓展消费电子（北美A客户）、通信及算力（国内H户）、新能源等多领域，提供消费电子模切件、算力服务器精密结构件、液冷散热零组件等产品。 我们认为，#此次公司参股GaN芯片标志着AI服务器电源业务拓展的开始，未来依托远山GaN芯片&器件能力、和华阳通优秀的精密加工制造能力，#恒铭达有望持续拓展下游AI服务器功率模组、电源模块等产品。 #公司在北美、国内头部客户均有积累，有望持续导入AI服务器电源新产品，打开超1500亿元新市场空间！ 公司现有业务稳健经营、高速增长，26Q1利润yoy+40%，#主业提供强支撑、安全边际充足！此外，公司账上约20亿现金储备，积极寻找更多优质外延标的，打造新增长曲线，此次参股远山新材只是开始！2026年，公司实施两笔大额股权激励（占公司总股本3.77%），彰显未来发展信心。 建议持续重点关注！