东芯股份：2025年年度报告

公司代码：688110 东芯半导体股份有限公司2025年年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人孙馨及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2025年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-194,793,661.23元，母公司报表2025年度实现净利润-180,275,591.87元。截止2025年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为-136,170,406.50元。鉴于公司2025年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2025年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。 以上利润分配预案已经公司第三届董事会第九次会议审议通过，尚需经公司2025年年度股东会审议通过。 母公司存在未弥补亏损 √适用□不适用 根据立信会计师事务所（特殊普通合伙）出具的审计报告，截至2025年12月31日，母公司财 务 报 表 累 计 未 分 配 利 润 为-136,170,406.50元 ， 盈 余 公 积43,374,950.95元 ， 资 本 公积3,587,337,765.29元。根据《公司法》、财政部《关于公司法、外商投资法施行后有关财务处理问题的通知》等相关规定，公司拟使用母公司盈余公积43,374,950.95元和资本公积92,795,455.55元，两项合计136,170,406.50元用于弥补母公司截至2025年12月31日的累计亏损。公司母公司未分配利润为负的原因主要为以前年度累计的亏损。本次拟用于弥补亏损的资本公积全部来源于股东以货币方式出资形成的资本（股本）溢价，不属于特定股东专享或限定用途的资本公积金。 以上公积金弥补亏损方案已经公司第三届董事会第九次会议审议通过，尚需经公司2025年年度股东会审议通过。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成本公司对投资者的承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、其他□适用√不适用 目录 第一节释义......................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标..................................................................................................7第三节管理层讨论与分析............................................................................................................14第四节公司治理、环境和社会..................................................................................................42第五节重要事项............................................................................................................................68第六节股份变动及股东情况........................................................................................................99第七节债券相关情况..................................................................................................................105第八节财务报告..........................................................................................................................106 第一节释义 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他相关资料 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 (二)主要财务指标 2025年度，公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期，供需结构持续优化，产品销售价格稳步回升。在此背景下，随着5G基站建设的持续推进、智慧城市建设带动的安防设备升级、智能穿戴设备的功能创新、以及汽车电动化与智能化的产业浪潮，公司产品所面对的网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子等下游应用领域需求整 体呈现复苏与结构性增长。面对上述持续向好的市场机遇，公司积极把握行业发展态势，坚定深耕存储芯片主业，通过有效的市场策略与客户拓展，带动了公司营业收入与盈利能力的同步提升。 受益于市场供需关系的持续好转，公司产品销量及价格持续回升。本期公司实现营业收入92,142.53万元，同比增加43.76%；报告期毛利率与上年同期相比大幅提升，且各季度毛利率均实现环比增长；报告期存储板块业务已实现盈利。 鉴于芯片行业需持续投入大额研发开支，且公司近年来围绕“存、算、联”一体化战略的前瞻性技术布局尚处于投入期，较高水平的研发投入及对外投资使得公司短期利润承压，本报告期公司仍面临一定的盈利压力，公司归属于上市公司股东的净利润-19,479.37万元，同比亏损增加2,765.18万元，亏损增加16.54%，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-22,200.17万元，同比亏损增加2,131.21万元，亏损增加10.62%；主要系：（1）2025年度公司聚焦存储主业，加大“存、算、联”领域研发投入，推进存储产品迭代量产并拓展车规市场，Wi-Fi7芯片已完成样片测试，持续的高研发投入导致本期研发费用规模保持较高水平；（2）公司对联营企业上海砺算投资收益影响，本期确认联营企业投资亏损较上年同期增加15,078.99万元。 经营活动产生的现金流量净额本期-15,817.85万元，较上年同期增加11,946.14万元，主要系销售收入增加使得收到的货款较上年同期增加。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十一、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十二、非企业会计准则财务指标情况 □适用√不适用 十三、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 十四、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用□不适用 根据《上市公司信息披露管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上市公司信息披露暂缓与豁免管理规定》等法律法规、规范性文件及公司《信息披露暂缓与豁免业务管理制度》，因涉及商业秘密，对部分客户、供应商的具体名称，以及未担任公司董事、高级管理人员的核心技术人员从公司获得的报酬信息，已按规定履行了豁免披露相关内部程序。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 2、主要产品及服务 存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM及衍生产品MCP。（1）NANDFlash NANDFlash即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量NANDFlash，包括MLC、 TLC及3DNANDFlash等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量NANDFlash，以SLCNANDFlash为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司NANDFlash产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G模块、光猫）、企业级网关、智能监控、数字录像机、录音笔、词典笔、智能穿戴（手表、手环、AI眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。 公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至32Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司SPINANDFlash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与DTR访问模式，具备高数据吞吐率，深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数