东芯股份：2023年半年度报告

公司代码：688110公司简称：东芯股份 东芯半导体股份有限公司2023年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人朱奇伟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标6 第三节管理层讨论与分析10 第四节公司治理28 第五节环境与社会责任31 第六节重要事项33 第七节股份变动及股东情况66 第八节优先股相关情况72 第九节债券相关情况72 第十节财务报告73 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报告报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义公司、本公司、发行人、东芯股份 指 东芯半导体股份有限公司 东芯南京 指 东芯半导体（南京）有限公司，东芯股份全资子公司 东芯香港 指 东芯半导体（香港）有限公司，东芯股份全资子公司 Fidelix 指 FidelixCo.,Ltd.,东芯股份控股子公司 Nemostech 指 NemostechInc.,东芯股份全资子公司 东芯深圳分公司 指 东芯半导体股份有限公司深圳分公司，东芯股份分支机构 东方恒信 指 东方恒信集团有限公司，（曾用名为东方恒信资本控股集团有限公司），东芯股份控股股东 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），东芯股份股东 东芯科创、员工持股平台 指 苏州东芯科创股权投资合伙企业（有限合伙），东芯股份股东 中金锋泰 指 珠海横琴中金锋泰股权投资合伙企业（有限合伙）（曾用名为杭州中金锋泰股权投资合伙企业（有限合伙）），东芯股份股东 时代鼎丰 指 杭州时代鼎丰创业投资合伙企业（有限合伙）（曾用名为杭州中车时代创业投资合伙企业（有限合伙）），东芯股份股东 鹏晨源拓 指 深圳市前海鹏晨源拓投资企业（有限合伙），东芯股份股东 小橡创投 指 上海小橡创业投资合伙企业（有限合伙），东芯股份股东 哈勃科技 指 哈勃科技创业投资有限公司（曾用名为哈勃科技投资有限公司），东芯股份股东 中电基金 指 中电电子信息产业投资基金（天津）合伙企业（有限合伙），东芯股份股东 国开科创 指 国开科技创业投资有限责任公司，东芯股份股东 景宁芯创 指 景宁芯创企业管理咨询合伙企业（有限合伙），东芯股份股东 海通创投 指 海通创新证券投资有限公司，东芯股份股东 嘉兴海通 指 嘉兴海通创新卫华股权投资合伙企业（有限合伙）（曾用名为嘉兴海通创新卫华股权投资合伙企业（有限合伙）），东芯股份股东 上海瑞城 指 上海瑞城企业管理有限公司，东芯股份股东 青浦投资 指 上海青浦投资有限公司，东芯股份股东 三星 指 三星电子有限公司 SK海力士 指 SKHynixInc. 美光 指 MicronTechnology,Inc.，美光科技公司 博通 指 BroadcomInc.，博通公司 联发科 指 MediaTekInc.，台湾联发科技股份有限公司 国科微 指 湖南国科微电子股份有限公司 瑞芯微 指 瑞芯微电子股份有限公司 WSTS 指 WorldSemiconductorTradeStatistics，世界半导体贸易统计协会 稼动率 指 指设备在所能提供的时间内为了创造价值而占用的时间所占的比重 宏茂微 指 宏茂微电子（上海）有限公司 华润安盛 指 无锡华润安盛科技有限公司 南茂科技 指 ChipMOSTechnologiesInc.，南茂科技股份有限公司 ATSemicon 指 ATSemiconCo.,Ltd. A股 指 人民币普通股 证监会 指 中国证券监督管理委员会 招股说明书 指 《东芯半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 MCP 指 MultipleChipPackage，即多芯片封装存储器 DDR 指 DoubleDataRateSDRAM，即双倍速率同步动态随机存储器 LPDDR 指 LowPowerDoubleDataRateSDRAM，即低功耗双倍速率同步动态随机存储器 IC设计、集成电路设计、芯片设计 指 包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘制及验证，以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程 IDM 指 IntegratedDeviceManufacturer的简称，指垂直整合制造工厂，是集芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合元件制造商，属于半导体芯片行业的一种运作模式 Fabless 指 Fabrication和Less的组合，是指没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式。Fabless公司负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包。也指未拥有芯片制造工厂的IC设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”（晶圆是芯片/硅集成电路的基础，无晶圆即代表无芯片制造）；通常说的ICdesignhouse（IC设计公司）即为Fabless Memory、存储器、存储芯片、存储器芯片 指 具备存储功能的半导体元器件，用来实现运行程序或数据存储功能 闪存芯片、Flash 指 一种非易失性（即断电后存储信息不会丢失）半导体存储芯片，具备反复读取、擦除、写入的技术属性，属于存储器中的大类产品。相对于硬盘等机械磁盘，具备读取速度快、功耗低、抗震性强、体积小的应用优势；相对于随机存储器，具备断电存储的应用优势。目前闪存广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、通讯设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域 晶体管 指 是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能 NAND、NANDFlash 指 存储单元串联型数据闪存芯片，主要非易失闪存技术之一 NOR、NORFlash 指 存储单元并联型数据闪存芯片，主要非易失闪存技术之一 DRAM 指 动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM） PSRAM 指 PSRAM（Pseudostaticrandomaccessmemory）是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取；PSRAM的存储cell由1T1C一个晶体管和一个电容构成。与SRAM相比，体积更有优势，与SDRAM相比，功耗有优势 nm 指 nm表示nanometer，中文称纳米，长度计量单位，1纳米为十亿分之一米 工艺制程 指 集成电路制造过程中，以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术工艺，尺寸越小，工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间 存储介质 指 指存储数据的载体 存储单元 指 又称为cell，为存储芯片中最基本的信息存储单元 块、页、Byte、bit 指 数据存储芯片逻辑地址划分结构 SLC、MLC、TLC、QLC 指 SLC：每个cell单元存储1bit信息，只有0、1两种状态MLC：每个cell单元存储2bit信息，有00到11四种状态TLC：每个cell 单元存储3bit信息，从000到111有8种状态QLC：每个cell单元存储4bit信息，从0000到1111有16种状态 SPI、PPI 指 具备串行外设接口、具备并行外设接口 GB、MB 指 1GB=1024*1024*1024Byte、1MB=1024*1024Byte Gb、Mb 指 1Gb=1024*1024*1024bit、1Mb=1024*1024bit 存储阵列 指 由大量的存储单元组成，每个存储单元能存放1位二值数据（0,1） 芯片封装、封装 指 把从晶圆上切割下来的集成电路裸片（Die），用导线及多种连接方式把管脚引出来，然后固定包装成为一个包含外壳和管脚的可使用的芯片成品。集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而使集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性 芯片测试、测试 指 集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工作 物联网 指 IoT是物联网（Internetofthings）的英文缩写，意指物物相连的互联网。物联网是一个动态的全球网络基础设施，具有基于标准和互操作通信协议的自组织能力，其中物理的和虚拟的“物”具有身份标识、物理属性、虚拟的特性和智能的接口，并与信息网络无缝整合 3D、3D堆叠 指 与传统的二维芯片把所有的模块放在平面层相比，三维芯片允许多层堆叠 ECC 指 ErrorCorrectingCode，即错误检查和纠正技术 阈值电压 指 通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压 车规级 指 符合汽车安全的电子产品标准 WSON 指 晶圆级小外形无引线封装，属于贴片封装类型中的一种 BGA 指 BallGridArray，球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术 SSTL 指 STUBSERIESTERMINATEDLOGIC，短截线串联端接逻辑，是JEDEC所认可的标准之一， VDDCA 指 存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压 VDDQ 指 存储芯片的输出缓冲供电电压 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 东芯半导体股份有限公司 公司的中文简称 东芯股份 公司的外文名称 DosiliconCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写 Dosilicon 公司的法定代表人 蒋学明 公司注册地址 上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层A区1228室 公司注册地址的历史变更情况 2019年4月由“中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号1幢203/03室”变更为“上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层A区1228室” 公司办公地址 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 公司办公地址的邮政编码 201799 公司网址 http://www.dosilicon.com/ 电子信箱 contact@dosilicon.com 报告期内变更情况查询索引 不适用 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代 表） 证券事务代表 姓名 蒋雨舟 黄沈幪 联系地址 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 电话 021-61369022 021-61369022 传真 021-61369024 021-61369024 电子信箱 contact@dosilicon.com contact@dosilicon.com 三、信息披露及备置地点变更情况简