DRAM Memory ETF（DRAM，未评级）：首支存储行业ETF（繁体版）

核心观点与投资逻辑

我们认为，受益于人工智能基础设施建设的周期，记忆体和存储行业将迎来量价齐升的快速增长期。HBM和企業级高容量SSD的需求呈现指数级爆发，结构性产能短缺带来定价权转移。投资DRAM本质上是投资存储行业的确定性Beta，可以规避个股良率不达标、新产品不及预期、市场竞争博弈的风险。

ETF简介

• 产品名称：Roundhill Memory ETF（DRAM）
• 交易日期：2026年4月2日
• 投资目标：投资于一篮子全球记忆体芯片公司
• 特点：首只存储行业主动ETF，提供全球领先的记忆体生产商组合的投资机会
• 管理费率：0.65%
• 换手率：预计仅在季度再平衡时进行

主要持仓

• DRAM主要持仓：SK海力士、美光（通过互换协议持有）、三星电子，三者占据约73%的权重
• 其他持仓：
  • NAND：铠侠及闪迪
  • HDD：西部数据及希捷
  • DRAM：南亚科技
  • DRAM及Flash：华邦电子

溢价率

• 由于DRAM投资于多市场，美股交易时段的股价包含对第二天韩日台股票的预期，做市商会通过ADR或掉期合约进行对冲，并根据底层资产的公允价值进行盘中定价。
• 盘中可能出现微小的流动性点差，但收盘后的净值折溢价依然会收敛至极低水平，不会出现动辄5%-10%的单边溢价损耗。
• 当前溢价率：1.5%

风险

• 行业周期风险
• AI需求不确定性的风险
• 拓产不及预期的风险