DRAM Memory ETF（DRAM，未评级）：首支存储行业ETF（简体版）

核心观点

• 投资逻辑：受益于人工智能基础设施建设周期，内存和存储行业将迎来量价齐升的快速增长期，HBM和企业级高容量SSD的需求呈现指数级爆发，结构性产能短缺带来定价权转移。投资DRAM本质上是投资存储行业的确定性Beta，规避个股风险。
• ETF简介：Roundhill内存ETF（DRAM）旨在投资全球内存芯片公司，于2026年4月2日开始交易，是首只存储行业主动ETF，管理费率为0.65%，预计季度再平衡时进行换手。
• 主要持仓：DRAM主要持仓为SK海力士、美光（通过互换协议持有）及三星电子，三者占据约73%权重；铠侠、闪迪为NAND制造商；西部数据、希捷为HDD制造商；南亚科技、华邦电子为DRAM及Flash制造商。
• 溢价率：由于投资多市场，股价包含对韩日台股票的预期，做市商会通过ADR或掉期合约对冲，收盘后净值折溢价收敛至极低水平，当前溢价率1.5%。
• 风险：行业周期风险、AI需求不确定性风险、扩产不及预期风险。

关键数据

• 市值：N/A
• 总股本：N/A
• 52周高/低：35.97/26.14美元
• 每股账面值：34.55美元
• ETF管理费率：0.65%
• 主要持仓权重：SK海力士、美光、三星电子约73%

研究结论

Roundhill内存ETF（DRAM）为投资者提供全球领先内存生产商组合的投资机会，受益于AI驱动的数据处理和存储需求增长，具有确定性Beta属性。尽管存在行业周期、AI需求不确定性等风险，但ETF通过分散投资和低换手率控制风险，净值折溢价收敛至极低水平，适合长期配置。