- 核心观点:SST与远山新材料战略合作,旨在利用远山新材料在1200V-3000V蓝宝石基底高压GaN器件的研发生产能力,推动SST在数据中心及新型电力系统中的商业化应用。
- GaN需求与优势:
- 高频化与小型化:GaN具备高频/低损耗能力,显著缩小高频变压器与滤波电感电容体积,释放机柜/站内空间约束。
- 降低损耗:GaN器件能降低开关与导通损耗,缓解高频化带来的损耗上升问题,大幅降低热损耗,简化系统散热与结构设计。
- 动态响应提升:适配AI数据中心配电要求(“800V HVDC+极致动态响应+高功率密度”),GaN在高频、低寄生、快速调节等特性上远优于传统方案。
- 关键数据:GaN器件电压范围覆盖1200V-3000V。
- 研究结论:GaN材料以高频、低损耗、高效率、小体积为核心优势,为SST带来高频化、高能效、小型化与动态响应提升,推动SST在数据中心、新型电力系统中的商业化应用。SST产业爆发窗口临近,持续看好公司深度布局及核心卡位优势,强烈推荐。