MicroLED光互联旨在重构近场算力通信的“宽而慢”范式,其核心优势在于能效比和可靠性。传统光模块依赖功耗巨大的DSP进行信号纠错,而MicroLED方案通过单通道2-4Gbps速率设计(理论极限20Gbps),可采用纯模拟后端设计,裁撤DSP,功耗仅为1-2 pJ/bit,较传统方案降低约68%(微软MOSAIC文献)。此外,MicroLED为自发光非相干体系,无激光器谐振腔结构,对环境温度不敏感(-55°C至125°C),可靠性比传统激光器方案高出100倍,大幅降低Opex,并相较于SiPh CPO互联降低Capex投入。
产业链方面,发射端采用硅基GaN MicroLED阵列,核心工艺是3μm级超微像素制造以及与CMOS的混合键合,主要关注三安光电、华灿光电等公司;接收端为高灵敏度CMOS探测器阵列,工艺流程与CIS封装高度重合,主要关注思特威、豪威集团、格科微等公司;传输采用多芯成像光纤替代单模/多模光纤,需配套微透镜进行光束准直,主要关注长飞光纤、亨通光电(特殊光纤)、舜宇光学(微透镜设计与精密制造)等公司;封装平台需通过TSV技术与逻辑芯片实现3D堆叠,属于先进封装。
目前产业处于从实验室到下游应用的环节中,预计产业链量产节点在27年末,率先在AI服务器内部实现对铜缆的替代,解决机柜内布线拥挤与散热瓶颈。在链主NV、微软等公司推动下,随着MicroLED制造良率提升及供应链配合,MicroLED有望集成至CPO架构中片间互联的核心组件。