- 供需紧张局面:预计将持续到2026年以后。
- HBM4出货情况:已开始向客户出货,26Q1成功爬坡并提前一个季度,2026年HBM供应已售罄,良率正常。
- 存储需求驱动因素:模型变大、Token激增、上下文窗口变长、推理密集及agents调用加速需求高增长。
- 供给侧缺口:关键客户仅满足50%-2/3需求,普遍存在供应不足。
- 新增产能时间线:
- 爱达荷州1号工厂:2027年中/下半年产出比特;
- 新加坡NAND Flash工厂:2028年下半年投产;
- 收购铜锣厂:2027年底进入2028年开始投产。
- HBM占比限制供给:HBM占比提升挤占传统DRAM产能,HBM3/DRAM晶圆比例3:1,随HBM4/4E/5推出比例增加,进一步限制供给。
- 库存水平:目前库存低,尤其DRAM方面。