美光小会要点总结1预计供需紧张局面将持续到2026年以后

年以后2. HBM4开始向客户出货HBM4，并且出货量在26Q1 成功爬坡，比预期提前了一个季度。 目前已经售罄了2026年的HBM供应。 HBM4良率也处于正轨。 3.由于模型变得更大，Token数量激增，上下文窗口变得更长，推理变得更加密集，agents调用，这些因素加速驱动存储需求高 美光小会要点总结：1.预计供需紧张局面将持续到2026 年以后2. HBM4开始向客户出货HBM4，并且出货量在26Q1 成功爬坡，比预期提前了一个季度。 目前已经售罄了2026年的HBM供应。 HBM4良率也处于正轨。 3.由于模型变得更大，Token数量激增，上下文窗口变得更长，推理变得更加密集，agents调用，这些因素加速驱动存储需求高增长。 4.供给侧，一些关键客户只能满足其需求的50%到2/3。 无论是大客户还是小客户，这种无法提供供应的情况在各个市场都普遍存在。 5.供给侧新增产能主要在27H2之后。 爱达荷州1号工厂，将在2027年中期或下半年产出比特；在新加坡建设一座全新的NAND Flash工厂，预计将于2028年下半年投产；收购的铜锣厂将在2027年底进入2028年开始投产。 6.HBM占比提升限制整体DRAM供给增长。 HBM占比增加挤占传统DRAM产能，HBM3和DRAM晶圆消耗比例3：1，的增加，随着HBM 4、4E和5推出，比例随着时间推移还在增加，进一步限制了供给。 7.目前库存很低，特别是在DRAM方面。