核心观点与关键数据
公司作为HJT微晶硅工艺首创者,具备深厚的技术knowhow,并持续推出创新技术以提升HJT组件功率。2025年提出的技术包括边缘优化、背抛、P面光子烧结、N面无籽铜电镀等,有望将组件功率逐步提升至775W。
作为全球唯一能提供真正GW级量产型HJT整线设备的供应商,公司主导的RF-PECVD技术具有薄膜均匀性优异但沉积速率慢的特点,是制约设备量产节拍的主要因素。2019年推出国内首套HJT整线设备,2024年第四代设备年产能达到1.2GW。
在2021-2022年N型技术路线之争中,TOPCon成为主流,HJT市占率不足10%,扩产推进缓慢。只有能帮助客户提升产品竞争力、资金充足的HJT设备企业才能在P→N迭代中生存。
研究结论
预计2026年地面光伏+半导体新签订单达到100GW,其中地面光伏/半导体增速分别为50%/100%。主业对应市值空间超500亿,新型领域光伏有望带来500亿增量市值,HJT电池全新领域开拓将带来量价齐升机会。