三星电子和SK海力士为满足不断增长的需求，大幅提升HBM产量，近期与英伟达达成交易。两家公司作为全球最大的存储芯片制造商，正随着各类产品需求全面激增而扩大半导体产量，涵盖HBM、DDR和NAND SSD等。
三星电子：
- HBM产能预计2026年将较前一年扩大50%，以应对英伟达的大量订单。
- 去年10月业绩电话会议上，三星电子存储业务副总裁金在俊表示公司正在内部审查扩大HBM生产的可能性。
- 三星计划在平泽的P5工厂投资60万亿韩元（约415亿美元），约是此前平泽工厂投资的两倍。
- P5项目已于去年11月破土动工，预计2028年开始投产；P6项目计划仍在推进中，但未获确认。
- 平泽园区目前运营P1至P4共四座晶圆厂，KB证券预测到2026年第二季度，三星将通过P4新增约每月6万片晶圆的DRAM产能。
- 三星在英伟达针对第六代HBM（HBM4）的内部测试中获得最高评价，HBM4将用于英伟达下一代Rubin处理器，每引脚数据传输速度达11 Gbps，超过英伟达10 Gbps的标准要求。
- 预计到2026年底，HBM晶圆月产量将达到25万片，较当前17万片水平增长47%。
- KB证券分析师金东元表示，三星2026年HBM位出货量预计同比增长达112亿千兆位，HBM4约占总出货量的50%；市场份额预计明年跃升至35%，较2025年预计的16%增长逾一倍。
SK海力士：
- M15X工厂已获得超过20万亿韩元投资，将运行两间洁净室，第一间洁净室已于去年10月开始设备安装，预计2月从试运行转入量产，第二间洁净室预计年底前完工。
- 预计到2027年中期实现工厂全面运转，月产量估计约为5万片晶圆。
- SK海力士去年10月预测基础设施投资将有所增加，反映为龙仁芯片集群和印第安纳州HBM封装工厂做准备。
- SK集团会长崔泰源表示，龙仁园区投资规模可能达到600万亿韩元，超过公司最初设定的128万亿韩元的四倍多。
