今天盘中，据媒体报道：英伟达为了确保HBM稳定供应，已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款，等同已确定供应合约

今天盘中，据《》等媒体报道：英伟达为了确保HBM稳定供应，已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款，等同已确定供应合约。三星电子近期也结束产品测试，与英伟达签订HBM产品供应协议。 该事件进一步凸显当前HBM的紧缺，供给跟不上需求。 HBM是高端AI芯片专用存储，英伟达最新的H200中，显存达到了141GB，而AMD最新的MI300则提高到了192G 今天盘中，据《》等媒体报道：英伟达为了确保HBM稳定供应，已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款，等同已确定供应合约。三星电子近期也结束产品测试，与英伟达签订HBM产品供应协议。 该事件进一步凸显当前HBM的紧缺，供给跟不上需求。 HBM是高端AI芯片专用存储，英伟达最新的H200中，显存达到了141GB，而AMD最新的MI300则提高到了192GB，是英伟达目前主流H100的足足2.4倍。 现在的趋势就是，AI芯片性能的提升离不开显存容量的提升，而显存容量的提升就意味着HBM需求的提升，所以HBM的需求正在爆发式增长。之前海力士曾预测，今年HBM出货量50万颗，到2030年将达每年1亿颗，也就是7年200倍。 由于是新技术，所以需求一下子爆发导致了短期供给不足、严重缺货。 原来主要是韩国SK海力士一家巨头做这个，现在英伟达这些客户已经要求三星、美光都要上产能，并且这还不够，为了催促这些企业，还有客户先付款数亿美元，支持美光开发新产品，这在产业内是比较罕见的现象，说明都急着要货。 美光近期还透露，其2024年全年的HBM预估供给已全数售罄。现在的HBM，就是两三年前的硅料，只要有货，钱不是问题。 从产业链看的话，国内高端HBM目前做不了，所以实质受益的主要是能供应海外的公司。但在存储回暖+国产替代的背景下，国内明年存储整体扩产能是大概率事件： NAND方面，长江存储的232层3DNAND已经做到业内领先水平，但目前全球3DNAND月产能200万-300万片，国内月产能占比不到5%，所以大规模扩产是大概率事件，并且3DNAND对光刻设备的技术要求不高，所以没有太大阻碍。 DRAM方面，主要是手机需求回暖，国产化渗透率要提升，所以合肥长鑫等DRAM厂商扩产也是大概率事件。 存储扩产有利于稳定明年设备的需求预期，有机构表示预计2024年全球晶圆厂设备支出达到1000亿美元，同比增长14%，其中国内设备国产化率有望提升至30%左右，国产设备厂商订单有望重回高速增长，进入下一轮上行周期。