数据中心拉动增长，指引超预期

业绩简评

2024年第四季度，公司实现营收77.50亿美元，同比增长93%，环比增长14%。GAAP毛利率为35.3%，同比提升46.1个百分点，环比提升8.4个百分点。GAAP净利润为8.87亿美元，同比扭亏为盈，环比增长167%。Non-GAAP净利润为13.42亿美元，同比扭亏为盈，环比增长91%。

经营分析

• 分产品看：DRAM收入53亿美元，位元出货量持平，价格环比增长约15%。NAND收入24亿美元，位元出货量高个位数环比增长，价格环比增长5%-10%。
• 数据中心领域：预计2024年服务器出货量同比增长中个位数到高个位数，传统服务器增长低个位数。HBM良率爬坡，拉动DRAM及整体毛利率。预计2025年HBM市场规模达250亿美元，占整体DRAM位元数的6%。
• 消费电子领域：预计2024年PC OEM库存将在2025年春季更加健康，PC出货量低个位数同比增长。手机出货量2024年低个位数到中个位数增长，预计2025年继续增长，安卓OEM开始发布12-16GB DRAM机型。
• 行业展望：预计2025年DRAM与NAND位元数均实现15%左右增长，HBM消耗DRAM晶元将使行业2025年供需关系健康。

投资建议

• 盈利预测：预计2025-2027年净利润分别为91.06、149.41、134.88亿美元，美股净资产分别为48.56、61.68、73.40美元。
• 估值与评级：对当前股价市净率（PB）为2.0倍，维持“买入”评级。
• 风险提示：下游需求不及预期、原厂减产不及预期、行业竞争加剧、存货减值、产品迭代不及预期、产品禁售等风险。

关键数据

• FY23-FY27E财务预测：
  • 营业收入：15,540-49,201百万美元
  • 归母净利润：-5,833-13,488百万美元
  • 每股收益：-5.31-12.16美元
  • 市盈率（P/E）：-18.03-7.87倍
  • 市净率（P/B）：2.38-1.30倍
• FY24 CAPEX：81亿美元，预计FY25 CAPEX为收入约35%，同比大幅增长。
• 产能规划：Idaho和纽约的新建工厂预计2025-2026年不会产生DRAM供给。